单极型场效应管参数

MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免，后边再详细介绍。在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载（如马达），这个二极管很重要。可以在MOS管关断时为感性负载的电动势提供击穿通路从而避免MOS管被击穿损坏。顺便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。在进行场效应管电路调试时，应逐步调整栅极电压，观察输出变化，以确保电路性能达到预期。单极型场效应管参数

电机驱动：在电机控制系统中，场效应管用于控制电机的启动、停止和速度调节。LED驱动：场效应管用于LED驱动电路中，提供恒流源以保证LED的稳定亮度。场效应管的这些应用展示了其在现代电子技术中的多样性和重要性。通过选择合适的场效应管类型和设计合适的电路，可以实现高效、可靠的电子系统。我们知道三极管全称为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种电流控制型半导体器件，其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。佛山强抗辐场效应管价位场效应管具有低噪声、低功耗的特点，适用于需要高灵敏度和低功耗的电子设备中。

MOS管发热情况有：1.电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。这是设计电路的较忌讳的错误。2.频率太高，主要是有时过分追求体积，导致频率提高，MOS管上的损耗增大了，所以发热也加大了。3.没有做好足够的散热设计，电流太高，MOS管标称的电流值，一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于较大电流，也可能发热严重，需要足够的辅助散热片。4.MOS管的选型有误，对功率判断有误，MOS管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大。

场效应管使用优势：场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是既有多数载流子，也利用少数载流子导电，被称之为双极型器件。有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比三极管好。场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了普遍的应用。避免将场效应管的栅极与其它电极短路，以免损坏器件。同时，注意防止静电对场效应管造成损害。

VMOS场效应管，VMOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不只继承了MOS场效应管输入阻抗高（≥108W）、驱动电流小（左右0.1μA左右），还具有耐压高（较高可耐压1200V）、工作电流大（1.5A～100A）、输出功率高（1～250W）、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得普遍应用。场效应管的功耗较低，可以节省能源。佛山源极场效应管市价

IGBT结合了场效应管和双极晶体管的优点，适用于高电压和高频率的场合。单极型场效应管参数

静态电特性：注①：Vgs（off）其实就是开启电压Vgs（th），只不过这里看的角度不一样。注②：看完前文的读者应该知道为什么这里两个Rds（on）大小有差异，不知道的回去前面重新看。动态点特性：注①：Ciss = Cgs + Cgd ；Coss = Cds ；Crss = Cgd；注②：MOS管开启速度较主要关注的参数是Qg，也就是形成反型层需要的总电荷量！注③：接通/断开延迟时间t d(on/off)、上升/下降时间tr / tf，各位工程时使用的时候请根据实际漏级电路ID，栅极驱动电压Vg进行判断。单极型场效应管参数