惠州晶体三极管加工

三极管的饱和状态，当三极管发射结正偏，集电结正偏时，三极管工作在饱和状态。在饱和状态下，三极管集电极电流ic的大小已经不受基极电流ib的控制，ic与ib不再成比例关系。饱和状态下的三极管基极电流ib变大时，集电极电流ic也不会变大了，这就相当于水龙头的开关已经开得比较大了，开关再开大时，流出的水流也不会再变大了。NPN型三极管是指由两块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成的三极管；也称为晶体三极管，可以说它是电子电路中较重要的器件。三极管是电子电路中较重要的器件，它较主要的功能是电流放大和开关作用，它可以把微弱的电信号变成一定强度的信号，当然这种转换仍然遵循能量守恒，它只是把电源的能量转换成信号的能量。三极管的放大倍数可达数百至数千倍适用于信放大。惠州晶体三极管加工

三极管的作用：1、用作开关，三极管的作用之二就是用作开关。三极管在饱和导通时，其CE极间电压很小，低于PN结导通电压，CE极间相当于短路，“开关”呈现开的状态;三极管在截止状态时，其CE极间电流很小，相当于断路，“开关”呈现关的状态。因此可完成开关的功能，且其开关速度极快，控制灵敏，且不产生电火花。2、扩流，三极管的作用之三就是扩流作用，在某些情况下，可扩大电流限值或电容容量等。比如：将小功率可控硅与大功率三级管相结合，可以得到大功率可控硅，扩大了较大输出电流值;在长延时电路中，三极管可完成扩大电容容量的作用。锗管三极管市价三极管的放大系数由电极输入输出的电阻比来决定。

三极管结构，三极管的种类很多，按功率大小可分为大功率管和小功率管；按电路中的工作频率可分为高频管和低频管；按半导体材料不同可分为硅管和锗管；按结构不同可分为NPN管和PNP管。无论是NPN型还是PNP型都分为三个区，分别称为发射区、基区和集电区，由三个区各引出一个电极，分别称为发射极（E）、基极（B）和集电极（C），发射区和基区之间的PN结称为发射结，集电区和基区之间的PN结称为集电结。其结构和符号见下图1、图2所示，其中发射极箭头所示方向表示发射极电流的流向。

三极管的介绍：主要参数：1 电流放大系数： ⑴直流电流放大系数； ⑵交流电流放大系数； ⑶共基极电流放大系数。2 频率特性参数： ⑴共基极截止频率fa； ⑵共发射极截止频率fb； ⑶特性频率ft； ⑷较高振荡频率fm；3 极间反向电流： ⑴集电极－基极反向截止电流ICEO； ⑵集电极－发射极反向截止电流ICBO；4 极限参数： ⑴集电极－发射极反向击穿电压V（BR）CEO（BVCEO）； ⑵集电极－基极反向击穿电压V（BR）CBO（BVCBO）； ⑶发射极－基极反向击穿电压V（BR）EBO（BVEBO）；⑷集电极较大允许电流ICM； ⑸集电极较大允许耗散功率PCM。三极管的基本工作原理是通过输入信号控制输出端之间的电流流动，实现放大或开关控制。

极限参数：a.集电极较大允许电流ICM集电极较大允许电流是指当集电极电流IC增加到某一数值，引起β值下降到额定值的2/3或1/2时的IC值。所以当集电极电流超过集电极较大允许电流时，虽然不致使管子损坏，但β值明显下降，影响放大质量。b.集电极—基极击穿电压U(BR)CBO集电极—基极击穿电压是指当发射极开路时，集电结的反向击穿电压。c.发射极—基极反向击穿电压U(BR)EBO发射极—基极反向击穿电压是指当集电极开路时，发射结的反向击穿电压。d.集电极—发射极击穿电压U(BR)CEO集电极—发射极击穿电压是指当基极开路时，加在集电极和发射极之间的较大允许电压，使用时如果UCE＞U(BR)CEO，管子就会被击穿。e.集电极较大允许耗散功率PCM集电极较大允许耗散功率是指管子因受热而引起参数的变化不超过允许值时的较大集电极耗散功率。三极管分为NPN型和PNP型，分别对应不同的工作方式和极性。锗管三极管市价

三极管也常被用作振荡器的主要元件，产生稳定的交流信号。惠州晶体三极管加工

当NPN三极管b极输入一个正电压UB，NP之间正偏，由于电场力作用，e极N区负电子（自由电子）被b极P区正电子（空穴）吸引出来涌向到基极P区，因为基极P区做的很薄，所以只有一部分负电子（自由电子）与正电子（空穴）复合产生基极电流IB（基极电流方向与负电子移动方向相反）。而另一部分负电子（自由电子）则在集电结附近聚集，由于电场作用聚集在集电结的负电子穿过（漂移）集电结，到达集电区后与聚集在c极(N型半导体端)正电子碰撞产生集电极电流IC。从此可见，基极b电流越大，集电极c电流越大，即基极b输入一个小的电流，集电极c就可得到一个大的电流。惠州晶体三极管加工