氮化硅陶瓷作为现代工程陶瓷之一，硬度次于金刚石，具有热膨胀系数小、热导率高、化学稳定性好、耐磨性高、机械性能好、高温抗氧化等优异的物理化学性能。它已成为很有前途的结构陶瓷，可应用于石油化工、冶金机械、微电子器件、航空航天等领域。同时，氮化硅陶瓷还具有中子活性低、抗辐射损伤能力强和高温结构稳定性好的优点，成为新一代核裂变和未来核聚变反应堆的重要结构材料之一。
随着陶瓷的基础研究和新技术开发的不断进步，特别是复杂件和大型件制备技术的日臻完善，氮化硅陶瓷材料作为性能优良的工程材料将得到更广大的应用
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氮化硅陶瓷有七大特点，即耐热、抗热震、自润滑、耐腐蚀、耐磨损、比重小和脆性大。除第七项为缺点之外，其他几项特点使得其在航空领域发挥了巨大的作用。且脆性大的缺点也是可以通过连续纤维增韧的方式得到解决的。
航空航天领域里，对材料性能的要求十分苛刻，挑战着传统材料的极限。氮化硅陶瓷因具有高温强度、良好的断裂韧性、高硬度、高介电强度、出色耐热冲击性和摩擦学性能，应用于航空航天是一个很好的选择，能确保优异的机械可靠性和耐磨性。可用于控制卫星轨道的火箭燃烧室推进器，对材料要求很苛刻。由于高温燃烧能够获得更大的推进力，所以不但要求其材料质轻，且能够承受高温。
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氮化硅陶瓷的常压烧结法( PLS)在提高烧结氮气氛压力方面，利用Si3N4 分解温度升高（通常在N2 = 1atm气压下，从1800℃开始分解）的性质，在1700———1800℃温度范围内进行常压烧结后，再在1800———2000℃温度范围内常压烧结。该法目的在于采用气压能促进Si3N4 陶瓷组织致密化，从而提高陶瓷的强度.所得产品的性能比热压烧结略低。这种方法的缺点与热压烧结相似。
氮化硅陶瓷的气压烧结法(GPS)人们对气压烧结进行了大量的研究，获得了很大的进展。气压烧结氮化硅在1 ～10MPa气压下，2000℃左右温度下进行。高的氮气压抑制了氮化硅的高温分解。由于采用高温烧结，在添加较少烧结助剂情况下，也足以促进Si3N4晶粒生长，而获得密度＞ 99%的含有原位生长的长柱状晶粒高韧性陶瓷. 因此气压烧结无论在实验室还是在生产上都得到越来越大的重视. 气压烧结氮化硅陶瓷具有高韧性、强度高和好的耐磨性，可直接制取接近形状的各种复杂形状制品，从而可大幅度降低生产成本和加工费用. 而且其生产工艺接近于硬质合金生产工艺，适用于大规模生产。
氮化硅陶瓷的反应烧结法(RS)是采用一般成型法，先将硅粉压制成所需形状的生坯，放入氮化炉经预氮化（部分氮化）烧结处理，预氮化后的生坯已具有一定的强度，可以进行各种机械加工(如车、刨、铣、钻). 末尾，在硅熔点的温度以上；将生坯再一次进行完全氮化烧结，得到尺寸变化很小的产品(即生坯烧结后，收缩率很小，线收缩率＜ 011% ). 该产品一般不需研磨加工即可使用。反应烧结法适于制造形状复杂，尺寸精确的零件，成本也低，但氮化时间很长。鑫鼎厂家定制氮化硅陶瓷块。
氮化硅陶瓷（Si3N4）是一种重要的结构材料，它是一种超硬物质，本身具有润滑性，并且耐磨损。作为在恶劣环境下使用的天线罩材料用氮化硅陶瓷制造的雷达天线罩可以在6～7Ma的高速飞行器使用，其强度高、抗热震性和抗雨蚀性好。
氮化硅陶瓷是六方晶系结晶呈六面体。材料的抗热震性与材料的各种物理性能密切相关,但是,它不是材料的物理性能对于选定的材质,其物理性能虽已确定,我们仍然可以根据所选材质的具体特点,通过工艺过程的优化调整控制,提高材料的抗热震性能。 电子陶瓷-氮化硅陶瓷零件源头厂家---鑫鼎精密。鹤壁高精度氮化硅陶瓷板
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多孔氮化硅陶瓷兼具氮化硅陶瓷与多孔材料的性质，既具有氮化硅陶瓷的强度高、韧性好、抗蠕变性好、结构稳定性好、抗雨蚀、抗热冲击性能优良的特点，也具有多孔材料密度小，介电常数和介电损耗小的特性。因此，多孔氮化硅可以应用于航空、航天领域，作为在恶劣环境下使用的天线罩材料。用氮化硅陶瓷制造的雷达天线罩可以在6-7Ma的高速飞行器使用，其强度高、抗热震性和抗雨蚀性好。
**指出，航空发动机平均使用时间超过上千个小时后，存在发动机抗高温的问题，必须由隔热陶瓷解决。同时，要减少油耗，就必须减轻飞机重量，氮化硅陶瓷发动机有助于实现这个目标。 鹤壁高精度氮化硅陶瓷板
