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Dalicap电容基本参数
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Dalicap电容企业商机

容值稳定性是Dalicap电容的重心优势之一。其C0G(NP0)介质的电容温度系数(TCC)低至0±30ppm/°C,在-55°C至+125°C的宽温范围内,容值变化率小于±0.5%。同时,容值随时间的老化率遵循对数定律,每十年变化小于1%,表现出惊人的长期稳定性,这对于需要长寿命和高可靠性的工业控制和基础设施应用至关重要。Dalicap电容具备很好的高温工作能力,最高工作温度可达+200°C甚至+250°C。其特种陶瓷介质和电极系统在高温下仍能保持优异的绝缘电阻和容值稳定性,避免了因过热导致的性能退化。这使得它们能够直接应用于汽车发动机控制单元(ECU)、航空航天设备的热敏感区域,简化了热管理设计。为通讯设备电源提供稳定滤波,保障网络畅通无阻。DLC70P4R7BW251NT

DLC70P4R7BW251NT,Dalicap电容

公司掌握了射频微波MLCC从配料、流延、叠层到烧结、测试的全流程重心工艺和技术,并拥有全部自主知识产权。这种垂直整合的能力使其能够快速响应客户需求,进行定制化开发,并严格控制每一道工序的质量和成本。独特的陶瓷浆料配方技术是Dalicap的重心机密之一。通过与国内供应商联合攻关,在材料端实现了自主可控,确保了陶瓷粉末的高纯度和一致性,从而保证了终产品性能的优异和稳定,摆脱了对进口材料的依赖。公司正在大连金普新区建设高级电子元器件产业化项目,新工厂总投资超过3.3亿元,设计年产能高达30亿只瓷介电容器。项目将引进先进的砂磨机、流延机、印刷机等自动化设备,大幅提升产能和品质,以满足5G等重点领域国产替代的急迫需求。DLC70E122GW102XT是LED照明驱动电源的关键组件,保障灯具长效稳定运行。

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Dalicap电容展现出很好的容值稳定性,其采用的C0G(NP0)介质材料具有极低的温度系数(TCC),典型值低至0±30ppm/°C。在-55°C至+125°C的全温范围内,容值变化率通常小于±0.5%。同时,其容值随时间的老化率遵循对数定律,每十年变化小于1%,表现出惊人的长期稳定性,这对于需要长寿命和高可靠性的工业控制和基础设施应用尤为重要。高Q值(品质因数)特性是Dalicap电容在射频电路中的立身之本。其Q值通常在数千量级,远高于普通MLCC,这使得由其构建的谐振电路和滤波器具有极低的插入损耗和极高的带外抑制能力。在基站滤波器、低相位噪声振荡器等应用中,高Q值确保了信号的高纯净度和频率稳定性,降低了系统误码率。

公司提供强大的定制化服务,能够根据客户的特殊需求,开发特定容值、电压、公差、温度系数和封装形式的电容产品,这种“量体裁衣”式的服务满足了客户在前列产品研发中的特种元件需求。快速的客户响应速度和供货能力是Dalicap的市场利器。其采用以销定产和备货式生产相结合的模式,能够灵活应对客户需求,缩短交货周期,提升市场竞争力。在光通信模块(如400G/800G光收发器)中,其很低的ESL和ESR能够在高速SerDes和DSP电源引脚处提供极其高效的宽带去耦,抑制电源噪声对高速信号的干扰,保障了高速数据可靠传输。价格具有竞争力,为客户提供了优异的性价比。

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工业环境往往伴随着高温、高湿及强烈的电磁干扰,这对电子元件的可靠性提出了很好要求。Dalicap电容凭借其优异的温度稳定性和长寿命特性,成为PLC(可编程逻辑控制器)、伺服驱动器、工业电源等设备中不可或缺的组件。它们主要用于电源滤波、能量缓冲和信号耦合,能有效平滑电压波动,抑制噪声,确保控制信号的精确传输和执行机构的稳定运行。其 robust 的设计保证了即使在7x24小时不间断运行的恶劣条件下,也能比较大限度地减少故障率,保障生产线的连续与安全。密封性能很好,有效防止电解液泄漏和干涸。DLC75D5R1CW251NT

专为光伏逆变器设计,具备高耐压和高纹波电流承受能力。DLC70P4R7BW251NT

Dalicap电容通过了很全的可靠性测试,包括MIL-STD-202等标准下的温度循环、机械冲击、振动、耐湿等测试。其产品符合AEC-Q200汽车电子标准,能够承受汽车环境的严苛要求,如高温、高湿和振动,适用于发动机ECU电源滤波、车载信息娱乐系统和ADAS等领域。在电源分配网络(PDN)中,Dalicap电容的低阻抗特性发挥了关键作用。其极低的ESL和ESR能在宽频带内(从KHz到GHz)提供低阻抗路径,有效滤除电源轨上的高频噪声,抑制同步开关噪声(SSN),为高性能CPU、GPU和ASIC芯片提供纯净、稳定的电压,防止系统时序错误和数据损坏。DLC70P4R7BW251NT

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