第二时间点读点、第三时间点读点至第n时间点读点。在每个时间点读点过程为：将闪存参考单元的输出电流iref与闪存阵列单元的输出电流i的差值经由读出放大器进行比对判断，若iref＜i，则闪存读出“1”；若iref＞i，则闪存读出“0”。具体的，在闪存(例如norflash)产品htol可靠性验证的阶段的测试流程例如依次为：初始(***时间点)读点、48小时(第二时间点)读点、168小时(第三时间点)读点、500小时(第四时间点)读点、1000小时(第n时间点)读点。本发明实施例的闪存参考单元未经过编译和擦除循环而直接进行htol测试时，发现闪存htol可靠性验证在48小时(hrs)读点失效。可靠性事业部提供各类芯片的可靠性测试方案，原理图设计，PCB加工制作，出具可靠性报告等一条龙服务。如何选HTOL测试机大概费用
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上海顶策科技自主研发智能HTOL测试机TH801，实时监测并记录每颗芯片电压，电流，频率，寄存器状态等数据。如何选HTOL测试机大概费用
进一步的，对所述闪存参考单元进行编译，包括：在所述源极上施加***编程电压，在所述漏极上施加第二编程电压，在所述控制栅上施加第三编程电压，在所述衬底上施加第四编程电压；其中，所述***编程电压小于所述第二编程电压；所述第二编程电压小于所述第三编程电压。进一步的，所述***编程电压的范围为～0v,所述第二编程电压的范围为～，所述第三编程电压的范围为8v～10v,所述第四编程电压的范围为～-1v。进一步的，编译过程中的脉冲宽度为100μs～150μs。进一步的，对所述闪存参考单元进行擦除，包括：将所述源极和漏极均悬空，在所述控制栅上施加***擦除电压，在所述衬底上施加第二擦除电压；其中，所述***擦除电压为负电压，所述第二擦除电压为正电压。进一步的，所述***擦除电压的范围为-10v～-8v，所述第二擦除电压的范围为8v～10v。进一步的，擦除过程中的脉冲宽度为10ms～20ms。进一步的，对所述闪存参考单元进行编译和擦除，循环次数为10次～20次。进一步的，对所述闪存进行htol测试包括：对所述闪存依次进行***时间点读点、第二时间点读点、第三时间点读点至第n时间点读点。
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