智能一体化HTOL测试机,可靠性测试整体解决方案,自主研发可实时监控每颗芯片状态的高温老化测试炉,通过监测数据,可以实时发现问题并介入分析,让HTOL问题更容易分析,更有追溯性。上海顶策科技有限公司,提供可靠性测试整体解决方案,包括HTOL、LTOL、双85、HAST等可靠性设备,以及测试方案制定,PCB设计制作,测试实验,满足各类芯片可靠性测试需求。有全程HTOL数据记录,保证HTOL测试质量,让报告更有说服力,下游客户更放心。集成电路动态老化设备,上海顶策科技有限公司自主研发TH801智能一体化HTOL测试机。智能化HTOL测试机市面价
高温工作寿命实验(Hightemperatureoperatinglifetest:HTOL)测试目的:芯片处于高温条件下,加入动态信号,并长时间工作,以评估其使用寿命,并确定其可靠性。测试条件:结温(Tj)≧125℃,电压Vcc≧Vccmax,测试时间:1000hrs样品数:77ea/lot,3lots测试读点:168、500、1000hrs参考规范:、JESD22-A108JESD22-A108B:Temperature,Bias,andOperatingLifeJESD85:METHODSFORCALCULATINGFAILURERATESINUNITSOFFITSJESD47K:Stress-Test-DrivenQualificationofIntegratedCircuitsJESD74:EarlyLifeFailureRateCalculationProcedureforSemiconductorComponents芯片工作寿命试验、老化试验(OperatingLifeTest),为利用温度、电压加速方式,在短时间试验内,预估芯片在长时间可工作下的寿命时间(生命周期预估)。BI(Burn-in)/ELFR(EarlyLifeFailureRate):评估早夭阶段的故障率或藉由BI手法降低出货的早夭率-DPPM(DefectPartsPer-Million),针对失效模式中的InfantMortality,一般测试低于48小时,车规级芯片需要100%BI测试。HTOL(HighTemperatureOperatingLife):评估可使用期的寿命时间-FIT/MTTF,针对失效模式中的Wearout,一般需要测试1000小时,属于抽样测试。 宝山区HTOL测试机哪家强上海顶策科技有限公司智能一体化HTOL测试机TH801通过监测数据,可实时发现问题并介入分析,大幅提高效率。
3.试验方法标准试验方法备注JESD22-A108F-20171.应力持续时间应符合要求,在必要时进行测量;2.如果制造商提供了验证数据,不需要在偏置下进行冷却。中断偏置1min,不应认为消除了偏置。1.测量所用时间不应纳入器件试验时间;2.偏置指电源对引脚施加的电压。,一般在老化结束96h内进行;2.在消除偏置之前,器件在室温下冷却到稳定状态的10℃以内。如果应力消失,则试验时间延长。GJB548B-2015方法:1.四种标准都保证了器件高温工作时间的完整性。————————————————版权声明:本文为CSDN博主「月丶匈」的原创文章,遵循,转载请附上原文出处链接及本声明。原文链接:。
高效率HTOL自研设备,高质量HTOL品质保障,低成本HTOL测试方案。上海顶策科技有限公司TH801智能一体化老化测试机,自主研发在线实时单颗监测技术,通过监测数据,可以实时发现问题并介入分析,大幅提高HTOL效率,节省更多时间、FA成本,全程数据记录,让HTOL问题更容易分析,更有追溯性;有全程HTOL数据记录,让报告更有说服力,下游客户更放心。可靠性测试事业部提供可靠性测试整体解决方案,包括HTOL、LTOL、双85、HAST等可靠性设备,以及测试方案制定,PCB设计制作,测试试验,可以满足各类芯片可靠性测试需求。上海顶策科技有限公司可靠性测试服务,有全程HTOL数据记录,让报告更有说服力,下游客户更放心。
上海顶策科技有限公司(Topictest)推出的TH801,智能在线监控动态老化设备,可以监控的参数除了整板的电压,电流,还可以根据需求,监控到老化中每颗芯片的电压、电流,寄存器数据,时间,频率等诸多参数,并实时记录保存成Excel文档。这样不仅可以确保每颗芯片都处于正常的老化状态,保证老化测试的质量,同时还可以清楚地知道具体失效的参数,以及在什么时间点失效等诸多信息,非常有益于失效后的FA分析。另外由于可以监控更多芯片参数,这使得免除ATE回测成为可能,这将大幅度提高老化测试效率,节省更多人力成本!这项技术目前已在对芯片质量要求较高的芯片设计公司广泛应用。上海顶策科技有限公司自主研发智能HTOL测试机TH801实时监测确保芯片处于正常状态,保证HTOL测试质量。在线HTOL测试机一般多少钱
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进一步的,对所述闪存参考单元进行编译,包括:在所述源极上施加***编程电压,在所述漏极上施加第二编程电压,在所述控制栅上施加第三编程电压,在所述衬底上施加第四编程电压;其中,所述***编程电压小于所述第二编程电压;所述第二编程电压小于所述第三编程电压。进一步的,所述***编程电压的范围为~0v,所述第二编程电压的范围为~,所述第三编程电压的范围为8v~10v,所述第四编程电压的范围为~-1v。进一步的,编译过程中的脉冲宽度为100μs~150μs。进一步的,对所述闪存参考单元进行擦除,包括:将所述源极和漏极均悬空,在所述控制栅上施加***擦除电压,在所述衬底上施加第二擦除电压;其中,所述***擦除电压为负电压,所述第二擦除电压为正电压。进一步的,所述***擦除电压的范围为-10v~-8v,所述第二擦除电压的范围为8v~10v。进一步的,擦除过程中的脉冲宽度为10ms~20ms。进一步的,对所述闪存参考单元进行编译和擦除,循环次数为10次~20次。进一步的,对所述闪存进行htol测试包括:对所述闪存依次进行***时间点读点、第二时间点读点、第三时间点读点至第n时间点读点。
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