导致偏移量发生的原因是在htol可靠性验证过程中闪存参考单元会有空穴丢失，而丢失的空穴是在制作闪存的生产工艺过程中捕获(引入)的，短期内无法消除。而闪存产品从工程样品(es，engineeringsample)到客户样品(cs，customersample)的时间不容延期。从测试端找出解决方案非常迫在眉睫。本发明实施例的闪存htol测试方法对所述闪存参考单元循环进行编译和擦除，以在所述闪存参考单元中引入电子；对所述闪存进行htol测试，所述引入电子在所述htol测试过程中存在丢失，以对htol测试过程中所述空穴的丢失形成补偿。TH801智能老化系统，自有发明专利智能实时在线监测技术。怎样选择HTOL测试机多少钱
闪存参考单元包括：衬底100，位于所述衬底中的导电沟道、位于所述导电沟道两侧的源极101和漏极102，位于导电沟道上方的栅极单元，所述栅极单元从下到上依次包括隧穿氧化层103、浮栅104、栅间介质层105以及控制栅106,所述栅极单元的两侧分布有侧墙107。栅间介质层105例如可以为依次层叠的氧化硅层、氮化硅层和氧化硅层的多层结构，即为ono结构。具体的，闪存在其生产工艺过程中易在闪存参考单元的隧穿氧化层103中捕获(引入)空**3为本发明实施例的对闪存参考单元进行编译示意图，如图3所示，对所述闪存参考单元进行编译，包括：在所述源极101上施加***编程电压vb1，在所述漏极102上施加第二编程电压vb2，在所述控制栅106上施加第三编程电压vb3，在所述衬底100上施加第四编程电压vb4；其中，所述***编程电压vb1小于所述第二编程电压vb2；所述第二编程电压vb2小于所述第三编程电压vb3。所述***编程电压的范围为～0v,所述第二编程电压的范围为～，所述第三编程电压vb3的范围为8v～10v,所述第四编程电压vb4的范围为～-1v，编译过程中的脉冲宽度为100μs～150μs。编译通过热电子注入的方式对所述浮栅104中注入电子。本地HTOL测试机型号上海顶策科技智能HTOL系统，有全程HTOL数据记录，让报告更有说服力，下游客户更放心。
HTOL的注意要点高温工作寿命的测试条件主要遵循JESD22-A108进行，除了给器件合适的偏置与负载外，主要包括温度应力和电压应力，这两者都属于加速因子。合理设置温度应力和电压应力，以便在合理的时间和成本下完成寿命评估。对于硅基产品，温度应力一般设置在结温>=125℃，GaAs等其它耐高温材料则可以设置更高的温度，具体根据加速要求而定。但无论哪种材料，均需要结温小于材料的极限工作温度或者热关断（thermalshutdown）温度。HTOL硬件的散热设计有利于加速因子的提高，这样可以节省试验时间。电压应力一般采用最高工作电压进行，如果需要提高加速度，则可以采用更高的电压进行试验，但是无论电压应力还是温度应力都不允许器件处于过电应力的状态。
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第二时间点读点、第三时间点读点至第n时间点读点。在每个时间点读点过程为：将闪存参考单元的输出电流iref与闪存阵列单元的输出电流i的差值经由读出放大器进行比对判断，若iref＜i，则闪存读出“1”；若iref＞i，则闪存读出“0”。具体的，在闪存(例如norflash)产品htol可靠性验证的阶段的测试流程例如依次为：初始(***时间点)读点、48小时(第二时间点)读点、168小时(第三时间点)读点、500小时(第四时间点)读点、1000小时(第n时间点)读点。本发明实施例的闪存参考单元未经过编译和擦除循环而直接进行htol测试时，发现闪存htol可靠性验证在48小时(hrs)读点失效。怎样选择HTOL测试机多少钱
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