二极管,(英语:Diode),电子元件当中,一种具有两个电极的装置,只允许电流由单一方向流过,许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管(VaricapDiode)则用来当作电子式的可调电容器。大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流(Rectifying)”功能。二极管普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过(称为顺向偏压),反向时阻断(称为逆向偏压)。因此,二极管可以想成电子版的逆止阀。早期的真空电子二极管;它是一种能够单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子,这种电子器件按照外加电压的方向,具备单向电流的传导性。一般来讲,晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层,构成自建电场。当外加电压等于零时,由于p-n结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态,这也是常态下的二极管特性。早期的二极管包含“猫须晶体(“Cat‘sWhisker”Crystals)”以及真空管(英国称为“热游离阀(ThermionicValves)”)。现今普遍的二极管大多是使用半导体材料如硅或锗。它具有单向导电性能, 即给二极管阳极加上正向电压时,二极管导通。安徽定制二极管销售价格
导通电压UD约为。在二极管加有反向电压,当电压值较小时,电流极小,其电流值为反向饱和电流IS。当反向电压超过某个值时,电流开始急剧增大,称之为反向击穿,称此电压为二极管的反向击穿电压,用符号UBR表示。不同型号的二极管的击穿电压UBR值差别很大,从几十伏到几千伏[4]。二极管正向特性外加正向电压时,在正向特性的起始部分,正向电压很小,不足以克服PN结内电场的阻挡作用,正向电流几乎为零,这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。[4]当正向电压大于死区电压以后,PN结内电场被克服,二极管正向导通,电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内,导通时二极管的端电压几乎维持不变,这个电压称为二极管的正向电压。[4]当二极管两端的正向电压超过一定数值,内电场很快被削弱,特性电流迅速增长,二极管正向导通。叫做门坎电压或阈值电压,硅管约为,锗管约为。硅二极管的正向导通压降约为,锗二极管的正向导通压降约为。[4]二极管反向特性外加反向电压不超过一定范围时,通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小,二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流。上海优势二极管供应当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。
所述二极管结构包括覆盖所述衬底和所述沟槽的传导层,所述传导层电连接到所述衬底以及电连接到所述一传导区域和所述第二传导区域。在一些实施例中,所述传导层与所述衬底接触或者与所述衬底分离小于300nm。在另一方面,提供了一种二极管。该二极管包括:衬底,具有一沟槽;阴极和阳极,耦合到所述衬底;一传导区域,位于所述沟槽中并且与所述衬底分离一距离,所述一距离短于10nm;以及第二传导区域,位于所述沟槽中并且比所述一传导区域更深地延伸。在一些实施例中,所述衬底包括第二沟槽,所述二极管进一步包括:至少一个晶体管,具有在所述一沟槽和所述第二沟槽之间延伸的至少一个沟道区域,所述一传导区域限定所述至少一个晶体管的栅极。在一些实施例中,所述二极管包括:传导层,覆盖所述衬底以及所述一沟槽和所述第二沟槽;以及接触区域,形成在所述衬底中并且将所述沟道区域电连接到所述传导层。在一些实施例中,所述一传导区域和所述第二传导区域是半导体区域,所述沟道区域和所述一传导区域掺杂有相反的导电类型。在一些实施例中,所述二极管包括漏极区域,所述漏极区域在所述沟道区域下方以及在所述一沟槽和所述第二沟槽之间延伸在一些实施例中。
术语“前”、“后”、“顶部”、“底部”、“左”、“右”等)或相对位置(例如,术语“之上”、“之下”、“上方”、“下方”等)的术语或参考限定方向(例如,术语“水平”、“垂直”等)的术语时,指的是有关元件在附图中的定向,应理解,在实践中,所描述的器件可以不同地定向。除非另有说明,否则表述“约”、“大约”、“基本上”和“……数量级”表示在10%以内、推荐在5%以内。图1是图示二极管10的实施例的简化截面图。二极管10包括例如由诸如硅的半导体制成的衬底20。二极管包括例如电连接到衬底的下表面的阴极端子k以及阳极端子a。二极管10包括沟槽22。沟槽22在衬底20中从衬底的上表面延伸。沟槽22例如彼此平行。沟槽22例如规则地间隔开。作为变型,沟槽22呈同心环的形状。二极管包括下文描述的结构30a,结构30a各自位于沟槽22中。二极管例如包括在二极管任一侧上的两个结构30a。在结构30a之间,二极管可以进一步包括一个或多个结构30。在相关的沟槽22中,每个结构30包括电传导区域302。传导区域302位于沟槽22的上部分中。区域302与沟槽22的壁分离。区域302例如通过布置在区域302的任一侧上的电介质层304与壁分离。可以理解,层304可以是相同电介质层的一部分。利用二极管的开关特性,可以组成各种逻辑电路。
对于常用的硅二极管而言导通后正极与负极之间的电压降为。根据二极管的这一特性,可以很方便地分析由普通二极管构成的简易直流稳压电路工作原理。3只二极管导通之后,每只二极管的管压降是,那么3只串联之后的直流电压降是×3=。3.故障检测方法检测这一电路中的3只二极管为有效的方法是测量二极管上的直流电压,如图9-41所示是测量时接线示意图。如果测量直流电压结果是,说明3只二极管工作正常;如果测量直流电压结果是0V,要测量直流工作电压+V是否正常和电阻R1是否开路,与3只二极管无关,因为3只二极管同时击穿的可能性较小;如果测量直流电压结果大于,检查3只二极管中有一只开路故障。图9-41测量二极管上直流电压接线示意图4.电路故障分析如表9-40所示是这一二极管电路故障分析:表9-40二极管电路故障分析5.电路分析细节说明关于上述二极管简易直流电压稳压电路分析细节说明如下。1)在电路分析中,利用二极管的单向导电性可以知道二极管处于导通状态,但是并不能说明这几只二极管导通后对电路有什么具体作用,所以只利用单向导电特性还不能够正确分析电路工作原理。2)二极管众多的特性中只有导通后管压降基本不变这一特性能够为合理地解释这一电路的作用。二极管模块分为:快恢复二极管模块,肖特基二极管模块,整流二极管模块、光伏防反二极管模块等。安徽本地二极管销售厂家
当无光照时,光电二极管的伏安特性与普通二极管一样。安徽定制二极管销售价格
所述第二垂直晶体管包括:电耦合到所述阳极的第二源极区域、垂直延伸到所述衬底中并且电耦合到所述阳极的第二栅极、电耦合到所述阴极的第二漏极区域、位于所述第二源极区域和所述第二漏极区域之间的第二沟道区域、以及在所述衬底中延伸并且位于所述第二栅极和所述第二沟道区域之间的第二栅极电介质。在一些实施例中,所述二极管包括:传导层,覆盖所述衬底以及所述一垂直晶体管和所述第二垂直晶体管;以及接触区域,形成在所述衬底中并且将所述一沟道区域和所述第二沟道区域电连接到所述传导层。因此,一个实施例提供了一种结构,该结构在衬底的沟槽中包括:一传导区域,其与衬底分离一距离,一距离短于约10nm;以及第二传导区域,其比一区域更深地延伸。根据一个实施例,第二区域与衬底分离第二距离,第二距离大于一距离。根据一个实施例,一区域通过一电介质层与衬底分离,并且第二区域通过第二电介质层与衬底分离。根据一个实施例,该衬底是半导体。根据一个实施例,该结构包括覆盖衬底和沟槽的传导层部分,所述部分电连接到衬底以及一区域和第二区域。根据一个实施例,所述部分与衬底接触或者与衬底分离小于300nm。安徽定制二极管销售价格
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