企业商机
模块基本参数
  • 品牌
  • 英飞凌,西门康,艾赛斯,巴斯曼,美国IR,西玛,美高森美,富
  • 型号
  • 全系列
模块企业商机

3、满足可控硅模块工作的必要条件:(1)+12V直流电源:可控硅模块内部控制电路的工作电源。①可控硅模块输出电压要求:+12V电源:12±0.5V,纹波电压小于20mv。②可控硅模块输出电流要求:标称电流小于500安培产品:I+12V>0.5A,标称电流大于500安培产品:I+12V>1A。5(2)可控硅模块控制信号:0~10V或4~20mA控制信号,用于对输出电压大小进行调整的控制信号,正极接CON10V或CON20mA,负极接GND1。6(3)可控硅模块供电电源和负载:供电电源一般为电网电源,电压460V以下的或者供电变压器,接可控硅模块的输入端子;负载为用电器,接可控硅模块的输出端子。从输电端来看,特高压直流输电中FACTS柔性输电技术需要大量使用IGBT等功率器件。云南igbt模块

可选的,所述连接部包括连接板、以及设置在所述连接板一侧的凸起;所述安装板的上侧设置有挡板和卡槽,所述挡板竖向设置且所述挡板上开设有连接孔或凹槽,所述卡槽位于所述挡板靠近所述igbt单管的一侧;所述连接板的下端插接在所述卡槽内,所述连接板侧部的凸起位于在所述连接孔或凹槽内。可选的,所述压紧部与所述连接板的上端相连,且所述压紧部远离所述连接板的一端朝背离所述挡板的一侧斜向下延伸。可选的,所述压紧部远离所述连接部的一端设置有工装槽。可选的,所述igbt单管的数量为一个以上,各所述igbt单管成排设置在所述安装板上。可选的,所述压紧件的数量与所述igbt单管的排数相等,每个所述压紧件将其中一排所述igbt单管抵压在所述安装板上。可选的,所述压紧件的连接板呈长条状,所述压紧件包括一个以上的所述压紧部,各所述压紧部沿所述连接板的长度方向依次连接在所述连接板的上端。可选的,所述安装板为水冷板。自动化模块销售价格1974年,逆导晶闸管和非对称晶闸管研制完成。

三、1600V、1700V系列EUPEC IGBT模块/infineon IGBT模块/英飞凌IGBT模块/优派克IGBT模块,部分型号如下:一单元EUPEC IGBT模块/infineon IGBT模块:BSM200GA170DN2  BSM300GA170DN2 FZ800R16KF4  FZ1200R16KF4  FZ1800R16KF4  BSM200GA170DLC  BSM300GA170DLC  BSM400GA170DLC  FZ400R17KE3  FZ600R17KE3  二单元EUPEC IGBT模块/infineon IGBT模块: BSM50GB170DN2  BSM75GB170DN2   BSM150GB170DN2   FF400R16KF4   BSM100GB170DLC  BSM150GB170DLC  BSM200GB170DLC    四、3300V系列EUPEC IGBT模块/infineon IGBT模块/英飞凌IGBT模块/优派克IGBT模块,部分型号如下:一单元EUPEC IGBT模块/infineon IGBT模块:FZ800R33KF2C  FZ1200R33KF2C    FZ800R33KL2C  FZ1200R33KL2C二单元EUPEC IGBT模块/infineon IGBT模块:FF200R33KF2C   FF400R33KF2C五、6500V系列EUPEC IGBT模块/infineon IGBT模块/英飞凌IGBT模块/优派克IGBT模块,部分型号如下:一单元EUPEC IGBT模/块infineon IGBT模块:FZ200R65KF1  FZ400R65KF1  FZ600R65KF1EUPEC IGBT模块/ infineon IGBT模块/英飞凌IGBT模块/优派克IGBT模块

光控晶闸是通过光信号控制晶闸管触发导通的器件,它具有很强的抗干扰能力、良好的高压绝缘性能和较高的瞬时过电压承受能力,因而被应用于高压直流输电(HVDC)、静止无功功率补偿(SVC)等领域。其研制水平大约为8000V/3600A。逆变晶闸因具有较短的关断时间(10~15s)而主要用于中频感应加热。在逆变电路中,它已让位于GTR、GTO、IGBT等新器件。目前,其最大容量介于2500V/1600A/1kHz和800V/50A/20kHz的范围之内。非对称晶闸是一种正、反向电压耐量不对称的晶闸管。而逆导晶闸管不过是非对称晶闸管的一种特例,是将晶闸管反并联一个二极管制作在同一管芯上的功率集成器件。与普通晶闸管相比,它具有关断时间短、正向压降小、额定结温高、高温特性好等优点,主要用于逆变器和整流器中。目前,国内有厂家生产3000V/900A的非对称晶闸管。当晶闸管模块承受正极电压时,晶闸管只能在栅承受正向电压时才能开启。

虽然在模块内部已对外部的电压噪声采取了相应的措施,但是由于噪声的种类和强度不同,加之也不可能完全避免误动作或损坏等情况,因此需要对交流进线加滤波器,并采用绝缘方式接地,同时应在每相的输入信号与地(GND)间并联 l000pF的吸收电容。(1)光电耦合器控制 电路  控制电路主要针对的是单片机控制系统的弱电控制部分,由于IPM模块要直接和配电系统连接,因此,必须利用隔离器件将IPM模块和控制部分的弱电电路隔离开来,以保护单片机控制系统。所有超快恢复二极管芯片,主电极,内连接线和氮化铝陶瓷覆铜板均设置在塑料外壳内。品质模块

体积小、重量轻、结构紧凑、可靠性高、外接线简单、互换性好、便于维修和安装;结构重复性好。云南igbt模块

技术实现要素:有鉴于此,本实用新型实施例提供一种igbt模块,能够提高igbt模块的生产效率。本实用新型实施例提供一种igbt模块,包括安装板、以及布置在所述安装板上侧的igbt单管,所述安装板上还连接有具有弹性的压紧件,所述压紧件将所述igbt单管抵压在所述安装板上。可选的,所述压紧件包括连接部和具有弹性的压紧部,所述连接部一端与所述压紧部相连,另一端与所述安装板相连,所述压紧部抵设在所述igbt单管的上侧,将所述igbt单管抵压在所述安装板上。云南igbt模块

江苏芯钻时代电子科技有限公司正式组建于2022-03-29,将通过提供以IGBT模块,可控硅晶闸管,二极管模块,熔断器等服务于于一体的组合服务。业务涵盖了IGBT模块,可控硅晶闸管,二极管模块,熔断器等诸多领域,尤其IGBT模块,可控硅晶闸管,二极管模块,熔断器中具有强劲优势,完成了一大批具特色和时代特征的电子元器件项目;同时在设计原创、科技创新、标准规范等方面推动行业发展。同时,企业针对用户,在IGBT模块,可控硅晶闸管,二极管模块,熔断器等几大领域,提供更多、更丰富的电子元器件产品,进一步为全国更多单位和企业提供更具针对性的电子元器件服务。江苏芯钻时代始终保持在电子元器件领域优先的前提下,不断优化业务结构。在IGBT模块,可控硅晶闸管,二极管模块,熔断器等领域承揽了一大批高精尖项目,积极为更多电子元器件企业提供服务。

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