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    四种IGBT模块常规测量仪器作者：微叶科技时间：2015-10-1516:38看了很多的IGBT测量方法，其中不乏极具精髓的，但不怎么的***。现在我总结介绍四招，有这四招，足以应付日常工作中的要求了。但这是在简单工具的前提下，只能说是常规测量吧。下面先摆出四大装备（排名不分先后）：数字万用表：虽然，用它来测量有太多的局限性，但它却是我们**常用和普遍的工具**。用它测量二极管的管压降，不仅能在一定程度上判断其好坏，还能判定它们的离散性。数字电容表：这个可能是很多人用的比较少吧，其实我们都知道，IGBT的容量大小是有规律的，容量大它的各种等效电容容量也将同比加大，如**重要的Cies就是我们的测量对象。但是，官方给出的多是VGE=0VVCE=10Vf=1MHZ时的参考数值，我们根本没有条件来做直接对比。我们使用的数字电容表多在800HZ的测试频率。但这不并不影响我们的测量，我们只要总结规律，以我们现有的这种简单测试仪表也还是具有非大的靠性的，而且在一定程度上能判断各个IGBT管的同一性。现在很多***商以小充大来赚取暴利，所以这是一个很好的方法。万一你用上了“来历不明”的模块而爆机时有可能就是这种情况，不是你技术不好或是你维修的不够仔细。作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。浙江模块

    所述***氧化层厚度为1000-1200a。进一步地，所述第二氧化层厚度为3000-5000a。进一步地，两个所述沟槽栅结构之间设置有***掺杂区，所述***掺杂区的掺杂类型与所述半导体衬底的类型相反。进一步地，在所述***掺杂区的内表面设置两个第二掺杂区，所述第二掺杂区的掺杂类型与***掺杂区的掺杂类型相反，两个所述第二掺杂区分别设置在靠近两个所述沟槽栅结构的一侧，所述***掺杂区和所述第二掺杂区与发射极金属接触。进一步地，所述半导体的底部还设置有缓冲层和集电极，所述集电极设置在比较低层。与现有技术相比，本实用新型的有益效果：本实用新型提供的沟槽栅igbt通过在沟槽内设置两种厚度氧化层，两种厚度氧化层分别为***氧化层和第二氧化层，该第二氧化层厚度大于***氧化层厚度，因为结电容与氧化层的厚度成反比，因此增加氧化层的厚度会降低器件的结电容大小，从而解决了现有技术中沟槽栅igbt结电容大的问题，从而提高了本实用新型的开关特性，使得本实用新型可应用于高频场景。附图说明图1为现有技术中平面栅igbt的示意图；图2为现有技术中沟槽栅igbt的示意图；图3为现有技术中沟槽栅结构制作方法的流程图；图4为本实用新型实施例提供的沟槽栅igbt的示意图。品质模块价格多少可以控制电机、变频器、变压器、电源、电抗器等电力电子设备。

    死区电路的作用是：实现上下管驱动信号有一定的时间间隔td，例如上管驱动信号关闭后，需要等待td延时后才能开通下管驱动信号；互锁电路的作用是：上下管驱动信号不能同时为有效，避免产生上下管驱动直通信号；保护电路的作用是：当副边出现故障信号是，保护电路能够同时关闭上下管驱动信号。15v电源输入滤波电路的作用是：对输入15v电源进行滤波，维持15v电源的稳定并且降低emc干扰。dc/dc电路的的作用是：15v电源高频脉宽调制dc/dc。隔离电路包括：驱动光耦、反馈光耦和隔离变压器。驱动光耦的作用是：传递原边驱动信号给副边电路，电气隔离原边低压侧和副边高压侧。反馈光耦的作用是：传递副边故障信号给原边电路，电气隔离原边低压侧和副边高压侧。隔离变压器的作用是：输出上下管驱动电源，电气隔离原边低压侧和副边高压侧。副边电路包括：±15v电源、驱动电路、vce-sat检测电路。±15v电源的作用是：输出igbt模块所推荐的驱动电源。驱动电路的作用是：副边驱动信号放大，推挽输出。vce-sat检测电路的作用是：检测igbt模块退饱和或过流信号，故障信号反馈给原边。vce-sat检测电路分别连接igbt模块、驱动电路和光耦隔离电路。

    1988-1991，集电极额定电流为Tcase=80℃时值）“1”、“2”表示***代IGBT产品（1992-1996，集电极额定电流为Tcase=25℃时值）;600V产品：集电极额定电流为Tcase=80℃时值。“3”表示第二代IGBT产品（600V和1200V：高密度NPT型IGBT）；1700V为***代NPT型。600V产品：集电极额定电流为Tcase=80℃时值。1200V与1700V产品：集电极额定电流为Tcase=25℃时值。“4”表示高密度、低保和压降NPT型IGBT（1200V、1700V）。“5”表示高密度、高速NPT型IGBT（600V、1200V）。“6”表示沟道式NPT型IGBT。第八单元：表示IGBT模块特点，“D”表示快速回复二极管。“K”表示SEMIKRON五号外壳带螺栓端子。“L”表示六单元外壳带焊接端子。上一篇：IGBT模块与MOSFET的工作原理相同和不同下一篇：IGBT与MOSFET的区别。可以控制电流和电压，可以提供高效的电力控制。

    图5为本实用新型实施例提供的沟槽栅结构制作方法的流程图。图中：1为多晶硅层，2为氧化层，21为***氧化层，22为第二氧化层，23为**氧化层，3为光刻胶。具体实施方式下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例**是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。图4示出了本实施例提供的一种沟槽栅igbt示意图，包括半导体衬底和设置在半导体衬底表面内的两个沟槽栅结构，两个沟槽栅结构对称，沟槽栅结构设置有多晶硅层1和包围多晶硅层1的氧化层2，氧化层包括***氧化层21和第二氧化层22，***氧化层21设置在沟道区，第二氧化层22设置在非沟道区，第二氧化层22的厚度大于***氧化层21的厚度，与现有技术相比，本实施例提供的沟槽栅igbt氧化层2的厚度大于现有技术中的厚度，因此本实施例的结电容更小。需要说明的是，本实施例减小结电容的方式是通过增加沟槽内非沟道区第二氧化层22的厚度，***氧化层21厚度不变，因此本实施例在减小结电容的同时并不会造成器件整体性能变差。电力变换器、电力控制器、电力调节器、电力变换器、电力控制器、电力调节器。家居模块厂家供应

还可以应用于太阳能、风能发电的逆变器里，将蓄电池的直流电逆变成交流电。浙江模块

随着我国经济的飞速发展，脱贫致富，实现小康之路触手可及。值得注意的是有限责任公司（自然）企业的发展，特别是近几年，我国的电子企业实现了质的飞跃。从电子元器件的外国采购在出售。电子元器件自主可控是指在研发、生产和保证等环节，主要依靠国内科研生产力量，在预期和操控范围内，满足信息系统建设和信息化发展需要的能力。电子元器件关键技术及应用，对电子产品和信息系统的功能性能影响至关重要，涉及到工艺、合物半导体、微纳系统芯片集成、器件验证、可靠性等。电子元器件贸易是联结上下游供求必不可少的纽带，目前电子元器件企业商已承担了终端应用中的大量技术服务需求，保证了原厂产品在终端的应用，提高了产业链的整体效率和价值。电子元器件行业规模不断增长，国内市场表现优于国际市场，多个下游的行业的应用前景明朗，电子元器件行业具备广阔的发展空间和增长潜力。利用物联网、大数据、云计算、人工智能等技术推动贸易产品智能化升级。信息消费5G先行,完善信息服务基础建设:信息消费是居民、相关部门对信息产品和服务的使用,包含产品和服务两大类,产品包括手机、电脑、平板、智能电视和VR/AR等。浙江模块

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