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    更好的电气性能新的机械设计也改善了电气性能。事实上，***降低的热阻允许更高的输出电流。得益于角形栅极可控硅的使用，新的芯片具有更大的有效表面积，可以流过更多的电流。由于这些变化，在与当前模块具有同样有效芯片面积的情况***过芯片的输出电流大约多了10％以上。衡量可控硅模块可靠性的另一个重要参数是浪涌电流。该值显示了二极管/可控硅的稳健性，指的是故障条件下二极管/可控硅能够经受的住而无损伤的单一正弦半波通态电流脉冲，该脉冲持续10或（50或60Hz），这种情况在二极管/可控硅的使用寿命期间应该发生的很少［4］。认证所有赛米控的模块都要经历质量审批测试程序。测试的目的是在各种不同的测试条件下确定设计的极限，以评价生产过程的一致性，并对提出的工艺和设计的改变对可靠性的影响进行评估。为此，定义了标准测试和条件。测试本身主要集中于芯片和封装［5］。所有产品都经**批准认可，如UL（UnderwritersLaboratories保险商实验室）。应用领域SEMIPACK产品可被用作为整流直流电源、交流电机控制和驱动的软起动器，或者用在电池充电器及焊接设备中。结论多亏了第六代SEMIPACK中新的层概念，模块更加可靠。不用说，更低的热阻，改善了的电气性能。虽然IGBT听着**，但基本上用电的地方都有IGBT的身影。节能模块诚信合作

    是否受热损坏。（如果损坏已变形或烧熔）6．检测芯片8316是否击穿：测量方法：用万用表测量8316引脚，要求1和2；1和4；7和2；7和4之间不能短路。7．IGBT处热敏开关绝缘保护是否损坏。按键动作不良的检测测量CPU口线是否击穿：二、按键动作不良用万用表二极管档测量CPU极与接地端，均有，万用表红笔接“地”；黑笔接“CPU每一极口线”。否则，说明CPU口线击穿。三、功率不能达到到要求1．线圈盘短路：测试线圈盘的电感量：PSD系数为L=157±5µH，PD系列为L=140±5µH。2．锅具与线圈盘距离是否正常。3．锅具是否是指定的锅具。四、检查各元气件是否松动，是否齐全。装配后不良状况的检查：1.不加热：检查互感器是否断脚。2.插电后长鸣：检查温度开关端子是否接插良好。楼3.无法开机：检查热敏电阻端子是否接插良好。4.无小物检知（不报警）：检查电阻R301~R307是否正常。R301~R302为68KΩR303~R306为130KΩR307为Ω5.风扇不转；检查三极管Q2是否烧坏。（一般烧坏三极管引脚跟部已发黄；也可用万用表二极管档测量）[本帖***由严朝基于2009-1-1209:51编辑]赞赏共11人赞赏本站是提供个人知识管理的网络存储空间，所有内容均由用户发布，不**本站观点。如发现有害或侵权内容。湖南模块我们研发团队通过特殊配方对PPS材料进行改性，研发出了高CTI值300V~600V的PPS料，已应用于IGBT模块上。

    我国的功率半导体技术包括芯片设计、制造和模块封装技术目前都还处于起步阶段。功率半导体芯片技术研究一般采取“设计+代工”模式，即由设计公司提出芯片设计方案，由国内的一些集成电路公司代工生产。由于这些集成电路公司大多没有**的功率器件生产线，只能利用现有的集成电路生产工艺完成芯片加工，所以设计生产的基本是一些低压芯片。与普通IC芯片相比，大功率器件有许多特有的技术难题，如芯片的减薄工艺，背面工艺等。解决这些难题不仅需要成熟的工艺技术，更需要先进的工艺设备，这些都是我国功率半导体产业发展过程中急需解决的问题。从80年代初到现在IGBT芯片体内结构设计有非穿通型(NPT)、穿通型(PT)和弱穿通型(LPT)等类型，在改善IGBT的开关性能和通态压降等性能上做了大量工作。但是把上述设计在工艺上实现却有相当大的难度。尤其是薄片工艺和背面工艺。工艺上正面的绝缘钝化，背面的减薄国内的做的都不是很好。低温药芯锡丝薄片工艺，特定耐压指标的IGBT器件，芯片厚度也是特定的，需要减薄到200-100um，甚至到80um，现在国内可以将晶圆减薄到175um，再低就没有能力了。比如在100~200um的量级，当硅片磨薄到如此地步后，后续的加工处理就比较困难了。

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作为与动力电池电芯齐名的“双芯”之一，IGBT占整车成本约为7-10%，是除电池外成本比较高的元件。节能模块诚信合作

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