“锂离子动力电池有...发表于2018-01-3008:27•5358次阅读电磁炉igbt驱动电路图绝缘栅双极晶体管IGBT安全工作,它集功率晶体管GTR和功率场效应管MOSFET的优点于一...发表于2018-01-2614:35•716次阅读并联型功率优化方法的原理和适用条件,并用单开关拓...传统方案大多针对组串及组件失配问题,将每个光伏组件的输出经过变换器**的**大功率跟踪后再串联加以解决...发表于2018-01-2516:10•461次阅读超级电容在峰值负载时的电压稳定化,有效支持了可穿...村田的超级电容在峰值负载时的电源电压稳定化,有效支持了可穿戴终端以外很多设备。例如,支持必须正常连续...发表于2018-01-2511:37•1024次阅读电烙铁功率大小有什么区别_电烙铁功率越大越好吗_...本文开始介绍了电烙铁的结构与电烙铁的种类,其次介绍了电烙铁的原理与电烙铁的使用方法,**后分析了到底是...发表于2018-01-2416:30•2383次阅读基于OVP/UVP测试调节电源输出电压方案本设计实例介绍了一种基于OVP/UVP测试、负载余量测试、电压可编程性或其它任何理由而需要调节电源输...发表于2018-01-2212:08•258次阅读怎么用万用表检测电池剩余电量_如何给万用表换电池万用表不仅可以用来测量被测量物体的电阻。IGBT模块是由不同的材料层构成,如金属,陶瓷以及高分子聚合物以及填充在模块内部用硅胶。广西变频模块
或产...发表于2018-03-2216:39•492次阅读钳形万用表怎么测电压_钳形万用表的使用方法本文开始介绍了万用表原理和万用表的组成,其次详细说明了钳形万用表测电压的方法,**后介绍了钳形万用表使...发表于2018-03-2216:00•248次阅读为什么回路电流走零线不走地线,零线地线原理是什么...我们再来看图1。图1中的中性线发生了断裂,于是在断裂点的前方,中性线的电压依旧为零,但断裂点的后方若...发表于2018-03-2215:02•260次阅读基于热路模型的充电机智能功率调节方法研究集中参数热路模型通常将功率器件和散热器视为整体,一般情况下功率器件热阻远小于散热器热阻,则功率器...发表于2018-03-1509:14•424次阅读深度分析48V车载电气系统以及48V轻混系统12V电压系统在引入启停机构之后,基本已经达到了功率输出极限,如果在12V电压下引入轻混系统,功率需...发表于2018-03-1316:02•439次阅读电感电压计算怎么来的_电感电压计算公式本文主要介绍了电感电压计算怎么来的_电感电压计算公式。在电路中,当电流流过导体时,会产生电磁场,电磁...发表于2018-03-1311:48•433次阅读电平信号什么意思_电平和电压的区别本文开始阐述了电平信号什么意思以及电平信号的产生。广西变频模块例电动汽车、伺服控制器、UPS、开关电源、斩波电源、无轨电车等。
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所述***氧化层厚度为1000-1200a。进一步地,所述第二氧化层厚度为3000-5000a。进一步地,两个所述沟槽栅结构之间设置有***掺杂区,所述***掺杂区的掺杂类型与所述半导体衬底的类型相反。进一步地,在所述***掺杂区的内表面设置两个第二掺杂区,所述第二掺杂区的掺杂类型与***掺杂区的掺杂类型相反,两个所述第二掺杂区分别设置在靠近两个所述沟槽栅结构的一侧,所述***掺杂区和所述第二掺杂区与发射极金属接触。进一步地,所述半导体的底部还设置有缓冲层和集电极,所述集电极设置在比较低层。与现有技术相比,本实用新型的有益效果:本实用新型提供的沟槽栅igbt通过在沟槽内设置两种厚度氧化层,两种厚度氧化层分别为***氧化层和第二氧化层,该第二氧化层厚度大于***氧化层厚度,因为结电容与氧化层的厚度成反比,因此增加氧化层的厚度会降低器件的结电容大小,从而解决了现有技术中沟槽栅igbt结电容大的问题,从而提高了本实用新型的开关特性,使得本实用新型可应用于高频场景。附图说明图1为现有技术中平面栅igbt的示意图;图2为现有技术中沟槽栅igbt的示意图;图3为现有技术中沟槽栅结构制作方法的流程图;图4为本实用新型实施例提供的沟槽栅igbt的示意图。电力变换器、电力控制器、电力调节器、电力变换器、电力控制器、电力调节器、电力变换器、电力控制器等。
图5为本实用新型实施例提供的沟槽栅结构制作方法的流程图。图中:1为多晶硅层,2为氧化层,21为***氧化层,22为第二氧化层,23为**氧化层,3为光刻胶。具体实施方式下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例**是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。图4示出了本实施例提供的一种沟槽栅igbt示意图,包括半导体衬底和设置在半导体衬底表面内的两个沟槽栅结构,两个沟槽栅结构对称,沟槽栅结构设置有多晶硅层1和包围多晶硅层1的氧化层2,氧化层包括***氧化层21和第二氧化层22,***氧化层21设置在沟道区,第二氧化层22设置在非沟道区,第二氧化层22的厚度大于***氧化层21的厚度,与现有技术相比,本实施例提供的沟槽栅igbt氧化层2的厚度大于现有技术中的厚度,因此本实施例的结电容更小。需要说明的是,本实施例减小结电容的方式是通过增加沟槽内非沟道区第二氧化层22的厚度,***氧化层21厚度不变,因此本实施例在减小结电容的同时并不会造成器件整体性能变差。IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点。河北什么模块
可以控制电流和电压,可以提供高效的电力控制。广西变频模块
是否受热损坏。(如果损坏已变形或烧熔)6.检测芯片8316是否击穿:测量方法:用万用表测量8316引脚,要求1和2;1和4;7和2;7和4之间不能短路。7.IGBT处热敏开关绝缘保护是否损坏。按键动作不良的检测测量CPU口线是否击穿:二、按键动作不良用万用表二极管档测量CPU极与接地端,均有,万用表红笔接“地”;黑笔接“CPU每一极口线”。否则,说明CPU口线击穿。三、功率不能达到到要求1.线圈盘短路:测试线圈盘的电感量:PSD系数为L=157±5µH,PD系列为L=140±5µH。2.锅具与线圈盘距离是否正常。3.锅具是否是指定的锅具。四、检查各元气件是否松动,是否齐全。装配后不良状况的检查:1.不加热:检查互感器是否断脚。2.插电后长鸣:检查温度开关端子是否接插良好。楼3.无法开机:检查热敏电阻端子是否接插良好。4.无小物检知(不报警):检查电阻R301~R307是否正常。R301~R302为68KΩR303~R306为130KΩR307为Ω5.风扇不转;检查三极管Q2是否烧坏。(一般烧坏三极管引脚跟部已发黄;也可用万用表二极管档测量)[本帖***由严朝基于2009-1-1209:51编辑]赞赏共11人赞赏本站是提供个人知识管理的网络存储空间,所有内容均由用户发布,不**本站观点。如发现有害或侵权内容。广西变频模块
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