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    本实用新型涉及驱动电路技术领域，具体是风电变流器的igbt驱动电路。背景技术：风电变流器系统电压690v，一般采用1700v的igbt模块，大功率igbt模块开关速度快，产生很高的di/dt和du/dt，带来emc电磁干扰问题，影响变流器的可靠运行，甚至损坏igbt模块，为了提高抗干扰能力，有以下两种解决方案：1）、采用光纤传递控制信号，控制电路弱信号与igbt模块的强信号实现电气完全隔离，抗干扰能力强，可靠性高，但是光纤成本昂贵；2）、通常采用**的驱动器和驱动芯片，例如风电**驱动器2sd300，采用专业的调制与解调芯片，通过脉冲变压器传递驱动信号，抗干扰能力强，可靠性高，大量应用于风电变流器领域。以上两种方案虽然解决了风电变流器emc抗干扰问题，但是成本相对较高，较为经济的解决方案是采用光耦来实现电气隔离，但是光耦的原边一般采用低压电路（15v或者5v），容易受干扰。另外，大功率igbt模块在运行过程中产生高的di/dt和du/dt，会导致igbt模块上下管门极误触发，导致igbt模块上下管直通，产生短路电流，如果不及时保护就会导致igbt模块损坏，严重影响变流器正常运行。技术实现要素：本实用新型的目的在于提供风电变流器的igbt驱动电路。具有良好化学结晶度的特种热塑性工程塑料，综合性能优异，可作为IGBT模块的质量材料之选。家居模块品牌

    是一种非常直观...发表于2018-01-1509:38•700次阅读为物联网未来发声——物联网微功率频谱应用研讨会***上午，来自全国各地及海外的一百多家物联网行业企业、用户单位和科研机构**齐聚北京，共同参与了“为...发表于2018-01-1217:20•1299次阅读功率和功耗一样吗_功耗和功率的区别功率是指物体在单位时间内所做的功的多少，即功率是描述做功快慢的物理量。功的数量一定，时间越短，功率值...发表于2018-01-1214:43•1024次阅读浪涌电压防护_电解电容浪涌电压措施在电子设计中，浪涌主要指的是电源（只是主要指电源）刚开通的那一瞬息产生的强力脉冲，由于电路本身的非线...发表于2018-01-1111:11•301次阅读什么是浪涌电压_浪涌电压产生原因浪涌也叫突波，就是超出正常电压的瞬间过电压，一般指电网中出现的短时间象“浪”一样的高电压引起的大电流...发表于2018-01-1111:09•686次阅读解析充电IC中的功率管理策略：动态路径管理***MPS小编要和大家聊一聊充电IC中的功率管理策略：动态路径管理。节能模块排行榜对IGBT模块需求也在逐步扩大，新兴行业的加速发展将持续推动IGBT市场的高速增长。

    以解决上述背景技术中提出的问题。为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：风电变流器的igbt驱动电路，包括原边电路、隔离电路和副边电路，所述原边电路包括死区电路、互锁电路、保护电路、15v电源输入滤波电路和dc/dc电路，所述隔离电路包括变压器隔离电路和光耦隔离电路，所述副边电路包括±15v驱动电源、驱动电路和vce-sat检测电路，vce-sat检测电路分别连接igbt模块、驱动电路和光耦隔离电路，光耦隔离电路还连接死区电路、互锁电路和保护电路，驱动电路还分别连接光耦隔离电路和igbt模块，vce-sat检测电路检测到igbt模块发生短路故障或过流故障时，通过光耦隔离电路传递故障信号给原边电路，原边电路同时***igbt模块上下管驱动信号，并通过光耦隔离电路和驱动电路关断igbt模块。作为本实用新型的进一步方案：所述igbt模块分为上下两路。作为本实用新型的进一步方案：所述死区电路、互锁电路、保护电路均分为上下两路。作为本实用新型的进一步方案：所述光耦隔离电路分为上下两路。作为本实用新型的进一步方案：所述驱动电路分为上下两路。作为本实用新型的进一步方案：所述光耦隔离电路包括反馈光耦和驱动光耦。

    特别是对于8寸以上的大硅片，极易破碎，难度更大。背面工艺，包括了背面离子注入，退火***，背面金属化等工艺步骤，由于正面金属的熔点的限制，这些背面工艺必须在低温下进行(不超过450°C)，退火***这一步难度极大。背面注入以及退火，此工艺并不像想象的那么简单。国外某些公司可代加工，但是他们一旦与客户签订协议，就不再给中国客户代提供加工服务。在模块封装技术方面，国内基本掌握了传统的焊接式封装技术，其中中低压模块封装厂家较多，高压模块封装主要集中在南车与北车两家公司。与国外公司相比，技术上的差距依然存在。国外公司基于传统封装技术相继研发出多种先进封装技术，能够大幅提高模块的功率密度、散热性能与长期可靠性，并初步实现了商业应用。**工艺开发人员非常缺乏，现有研发人员的设计水平有待提高。目前国内没有系统掌握IGBT制造工艺的人才。从国外先进功率器件公司引进是捷径。但单单引进一个人很难掌握IGBT制造的全流程，而要引进一个团队难度太大。国外IGBT制造中许多技术是有**保护。目前如果要从国外购买IGBT设计和制造技术，还牵涉到好多**方面的东西。左边所示为一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+区称为源区，附于其上的电极称为源极（即发射极E）。

    TA＝125°C图7其他公司的IGBT的低端IGBT开关电压和dV/dt感生电流的18A峰值图8IRGP30B120KD-EIGBT的低端IGBT开关电压和dV/dt感生电流的dV/dt感生电流的减小清楚说明单正向栅驱动设计的优胜之处。但在这个测试中，Co-Pack二极管电流的影响并没有完全计算在内。为了只显示出IGBT对整体电流的影响，我们只利用相同的分立式反并联二极管再重复测试，如图9中的Ice(cntrl)。图9利用相同的分立式Co-Pack二极管产生的dV/dt感生电流图10显示出在没有IGBT情况下，负偏置栅驱动器IGBT的I电流。图11为IRGP30B120KD-E单正向栅驱动器的I电流。两种情况下的电流都很低，分别为1A和。图10其他公司的IGBT的Co-Pack二极管内的低端IGBT的VCE和dV/dt感生电流1A峰值图11IRG30B120KD-E的Co-Pack二极管内的低端IGBT的VCE和dV/dt感生电流如果从整体IGBT/二极管电流中减去图10和图11的二极管电流，结果是I（负偏置栅驱动IGBT）=18-1=17AI（IRGP30B120KD-E）==可见总的减小为17:=21:1在相同的测试条件下，当栅电压是在0V或单正向栅驱动情况下，IRGP30B120KD的电路性能显示dV/dt感生开通电流减小比例为21:1。如果IGBT采用这种方式驱动，电流很小，对功耗的影响几乎可以忽略。IGBT模块是由不同的材料层构成，如金属，陶瓷以及高分子聚合物以及填充在模块内部用来改善热性能的硅胶。北京贸易模块推荐货源

而PPS材料具有一系列优异的特性，使其成为了IGBT模块的比较好材料选择。家居模块品牌

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