天津dcdc电源模块

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    在...发表于2017-06-1217:28•875次阅读电阻电容标准值取值法则及电阻的技术范畴和常见特性如E6系列的公比为6√10≈，系列的***个量取，接下来的量为上临的量乘以公比值6√10...发表于2017-06-0914:45•504次阅读基础知识：伏安法如何取电阻值及电阻色环的取值标准拿到色环电阻要把**靠近电阻端部的那一环认为***环，否则会读反，如三个环分别是红橙黄，正确读是2300...发表于2017-06-0817:15•479次阅读绝缘电阻该如何测量功率？如何使用兆欧表测量绝缘电...兆欧表的接线柱共有三个：一个为“L”即线端，一个“E”即为地端，再一个“G”即屏蔽端（也叫保护环）。...发表于2017-06-0810:41•336次阅读什么是电阻分压？电阻分压的工作原理是什么？电阻分...当电流表和其相连电阻连接时起到分压效果，此时用外接（电流表内阻一般不足一欧，但如果于其相连的电阻也只...发表于2017-06-0716:17•3161次阅读什么是电阻的高频工作模式？电阻电桥的工作原理及其...电桥是用来精密测量电阻或其他模拟量的一种非常有效的方法。福建哪里有模块批发二极管被击穿后电流过大将使管子损坏，因此除稳压管外，二极管的反向电压不能超过击穿电压。

    死区电路的作用是：实现上下管驱动信号有一定的时间间隔td，例如上管驱动信号关闭后，需要等待td延时后才能开通下管驱动信号；互锁电路的作用是：上下管驱动信号不能同时为有效，避免产生上下管驱动直通信号；保护电路的作用是：当副边出现故障信号是，保护电路能够同时关闭上下管驱动信号。15v电源输入滤波电路的作用是：对输入15v电源进行滤波，维持15v电源的稳定并且降低emc干扰。dc/dc电路的的作用是：15v电源高频脉宽调制dc/dc。隔离电路包括：驱动光耦、反馈光耦和隔离变压器。驱动光耦的作用是：传递原边驱动信号给副边电路，电气隔离原边低压侧和副边高压侧。反馈光耦的作用是：传递副边故障信号给原边电路，电气隔离原边低压侧和副边高压侧。隔离变压器的作用是：输出上下管驱动电源，电气隔离原边低压侧和副边高压侧。副边电路包括：±15v电源、驱动电路、vce-sat检测电路。±15v电源的作用是：输出igbt模块所推荐的驱动电源。驱动电路的作用是：副边驱动信号放大，推挽输出。vce-sat检测电路的作用是：检测igbt模块退饱和或过流信号，故障信号反馈给原边。vce-sat检测电路分别连接igbt模块、驱动电路和光耦隔离电路。

    原标题：IGBT功率模块如何选择？在说IGBT模块该如何选择之前，小编先带着大家了解下什么是IGBT？IGBT全称为绝缘栅双极型晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor)，所以它是一个有MOSGate的BJT晶体管，可以简单理解为IGBT是MOSFET和BJT的组合体。MOSFET主要是单一载流子(多子)导电，而BJT是两种载流子导电，所以BJT的驱动电流会比MOSFET大，但是MOSFET的控制级栅极是靠场效应反型来控制的，没有额外的控制端功率损耗。所以IGBT就是利用了MOSFET和BJT的优点组合起来的，兼有MOSFET的栅极电压控制晶体管(高输入阻抗)，又利用了BJT的双载流子达到大电流(低导通压降)的目的(Voltage-ControlledBipolarDevice)。从而达到驱动功率小、饱和压降低的完美要求，广泛应用于600V以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。1.在选择IGBT前需要确定主电路拓扑结构，这个和IGBT选型密切相关。2.选择IGBT需要考虑的参数如下:额定工作电流、过载系数、散热条件决定了IGBT模块的额定电流参数，额定工作电压、电压波动、最大工作电压决定了IGBT模块的额定电压参数，引线方式、结构也会给IGBT选型提出要求。，目前市面上的叫主流的IGBT产品都是进口的。正向电流开始增加，进入正向导通区，但此时电压与电流不成比例如AB段。

    目前，为了防止高dV/dt应用于桥式电路中的IGBT时产生瞬时集电极电流，设计人员一般会设计栅特性是需要负偏置栅驱动的IGBT。然而提供负偏置增加了电路的复杂性，也很难使用高压集成电路（HVIC）栅驱动器，因为这些IC是专为接地操作而设计──与控制电路相同。因此，研发有高dV/dt能力的IGBT以用于“单正向”栅驱动器便**为理想了。这样的器件已经开发出来了。器件与负偏置栅驱动IGBT进行性能表现的比较测试，在高dV/dt条件下得出优越的测试结果。为了理解dV/dt感生开通现象，我们必须考虑跟IGBT结构有关的电容。图1显示了三个主要的IGBT寄生电容。集电极到发射极电容C，集电极到栅极电容C和栅极到发射极电容CGE。图1IGBT器件的寄生电容这些电容对桥式变换器设计是非常重要的，大部份的IGBT数据表中都给出这些参数：输出电容，COES＝CCE＋CGC（CGE短路）输入电容，CIES＝CGC＋CGE（CCE短路）反向传输电容，CRES＝CGC图2半桥电路图2给出了用于多数变换器设计中的典型半桥电路。集电极到栅极电容C和栅极到发射极电容C组成了动态分压器。当**IGBT（Q2）开通时，低端IGBT（Q1）的发射极上的dV/dt会在其栅极上产生正电压脉冲。对于任何IGBT。树立了行业应用**。分立式硅或碳化硅（SiC）肖特基二极管的应用范围包括服务器堆场、太阳能发电厂。青海模块销售价格

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