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    即检测输入端或直流端的总电流，当此电流超过设定值后比较器翻转，***所有IGBT输入驱动脉冲，使输出电流降为零。这种过载过流保护，一旦动作后,要通过复位才能恢复正常工作。IGBT能够承受很短时间的短路电流，能够承受短路电流的时间与该IGBT的饱和导通压降有关，随着饱和导通压降的增加而延长。如饱和压降小于2V的IGBT允许的短路时间小于5μS，而饱和压降为3V的IGBT的允许短路时间可达15μS，4～5V时可达到30μS以上。存在以上的关系是由于随着饱和导通压降的降低，IGBT的阻抗也降低，短路电流同时增大，短路时的功耗随着电流的平方增大，造成承受短路时间迅速减小。通常采取的保护措施有软关断和降栅压两种。软关断是指在过流和短路时，直接关断IGBT。但是，软关断抗干扰能力差，一旦检测到过流信号就关断，很容易发生误动作。为增加保护电路的抗干扰能力，可在故障信号和保护动作之间加一延时，不过故障电流会在这个延时时间内急剧上升，**增加了故障损耗，同时还会导致器件的di/dt过大。所以往往是保护电路启动了，器件依然损坏了。降栅压旨在检测到器件过流时，马上降低栅压，但器件仍维持导通。降栅压后，设有固定延时，故障电流在这一段时间内被限制在一个较小的值。该器件还适用于通用线电压整流器应用，如电源和标准驱动。自动化模块厂家电话

在西门康IGBT得到大力发展之前，功率场效应管MOSFET被用于需要快速开关的中低压场合，晶闸管、GTO被用于中高压领域。MOSFET虽然有开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好、驱动电路简单的优点;但是，在200V或更高电压的场合，MOSFET的导通电阻随着击穿电压的增加会迅速增加，使得其功耗大幅增加，存在着不能得到高耐压、大容量元件等缺陷。双极晶体管具有优异的低正向导通压降特性，虽然可以得到高耐压、大容量的元件，但是它要求的驱动电流大，控制电路非常复杂，而且交换速度不够快。哪里有模块单价过零触发型交流固态继电器（AC-SSR）的内部电路。

1.3反向特性1）二极管承受反向电压时，加强了PN结的内电场，二极管呈现很大电阻，此时*有很小的反向电流。如曲线OD段称为反向截止区，此时电流称为反向饱和电流。实际应用中，反向电流越小说明二极管的反向电阻越大，反向截止性能越好。一般硅二极管的反向饱和电流在几十微安以下，锗二极管则达几百微安，大功率二极管稍大些。2）当反向电压增大到一定数值时，反向电流急剧加大，进入反向击穿区，D点对应的电压称为反向击穿电压。二极管被击穿后电流过大将使管子损坏，因此除稳压管外，二极管的反向电压不能超过击穿电压。

    全桥逆变电路IGBT模块的实用驱动电路设计作者：海飞乐技术时间：2017-04-2116:311.前言全侨式逆变电路应用***，国内外许多厂家的焊机都采用此主电路结构。全桥式电路的优点是输出功率较大，要求功率开关管耐压较低，便于选管。在硬开关侨式电路中，IGBT在高压下导通，在大电流下关断，处于强迫开关过程，功率器件IGBT能否正常可靠使用起着至关重要的作用。驱动电路的作用就是将控制电路输出的PWM信号进行功率放大，满足驱动IGBT的要求。其性能直接关系到IGBT的开关速度和功耗、整机效率和可靠性。随着开关工作频率的提高，驱动电路的优化设计更为重要。2.硬开关全桥式电路工作过程分析全桥式逆变主电路由功率开关管IGBT和中频变压器等主要元器件组成，如图1所示快速恢复二极管VD1~VD4与lGBT1～IGBT4反向并联、承受负载产生的反向电流以保护IGBT。IGBT1和IGBT4为一组，IGBT2和IGBT3为一组，每组IGBT同时导通与关断，当激励脉冲信号轮流驱动IGBT1、IGBT4和IGBT2、IGBT3时，逆变主电路把直流高压转换为20kHz的交流电压送到中频变压器，经降压整流滤波输出。图1全桥式逆变电路全桥式逆变器的一大缺陷就是存在中频变压器偏磁问题，正常工作情况下。6.5 kV片式晶闸管系列包括四款强大而可靠的片式器件，专为满足中压软起动器应用的特殊要求而开发。

    IGBT模块驱动及保护技术1.引言IGBT是MOSFET和双极晶体管的复合器件。它既有MOSFET易驱动的特点，又具有功率晶体管高电压、电流大等优点。其特性发挥出MOSFET和功率晶体管各自的优点，正常情况下可工作于几十kHz的频率范围内，故在较高频率应用范围中，其中中、大功率应用占据了主导地位。IGBT是电压控制型器件，在它的栅极发射极之间施加十几V的直流电压，只有μA级的电流流过，基本上不消耗功率。但IGBT的栅极发射极之间存在较大的寄生电容（几千至上万pF），在驱动脉冲的上升和下降沿需要提供数A级的充放电电流，才能满足开通和关断的动态要求，这使得它的驱动电路也必须输出一定的峰值电流。IGBT作为一种大功率的复合器件，存在着过流时可能发生闭锁现象而造成损坏的问题。在过流时如采取一定的速度***栅极电压，过高的电流变化会引起过电压，需要采用软关断技术，因此掌握好IGBT的驱动和保护特性对于设计人员来说是十分必要的。2．IGBT的栅极特性IGBT的栅极通过氧化膜和发射极实现电隔离。由于氧化膜很薄，其击穿电压一般只能达到20到30V，因此栅极击穿是IGBT**常见的失效原因之一。在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过**大额定栅极电压。它们有斩波器、DUAL、PIM、四单元、六单元、十二单元、三电平、升压器或单开关配置。福建国产模块成本价

EconoBRIDGE 可在整流级*有二极管时实现不控整流，也可在整流级中使用晶闸管实现半控整流。自动化模块厂家电话

西门康IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)结构和工作原理绝缘栅双极型晶体管是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。西门康IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。在西门康IGBT得到大力发展之前，功率场效应管MOSFET被用于需要快速开关的中低压场合，晶闸管、GTO被用于中高压领域。MOSFET虽然有开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好、驱动电路简单的优点;但是，在200V或更高电压的场合，MOSFET的导通电阻随着击穿电压的增加会迅速增加，使得其功耗大幅增加，存在着不能得到高耐压、大容量元件等缺陷。双极晶体管具有优异的低正向导通压降特性，虽然可以得到高耐压、大容量的元件，但是它要求的驱动电流大，控制电路非常复杂，而且交换速度不够快。自动化模块厂家电话

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