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    控制栅极电压VGS的大小就可以控制漏极电流ID的大小。这就可以得出如下结论：1）MOS管是一个由改变电压来控制电流的器件，所以是电压器件。2）MOS管道输入特性为容性特性，所以输入阻抗极高。4、MOS管的电压极性和符号规则：图1-4-（a）是N沟道MOS管的符号，图中D是漏极，S是源极，G是栅极，中间的箭头表示衬底，如果箭头向里表示是N沟道的MOS管，箭头向外表示是P沟道的MOS管。实际在MOS管生产的过程中衬底在出厂前就和源极连接，所以在符号的规则中，表示衬底的箭头也必须和源极相连接，以区别漏极和源极。图1-4-（c）是P沟道MOS管的符号。MOS管应用电压的极性和我们普通的晶体三极管相同，N沟道的类似NPN晶体三极管，漏极D接正极，源极S接负极，栅极G正电压时导电沟道建立，N沟道MOS管开始工作,如图1-4-（b）所示。同样P道的类似PNP晶体三极管，漏极D接负极，源极S接正极，栅极G负电压时，导电沟道建立，P沟道MOS管开始工作,如图1-4-（d）所示。N沟道MOS管符号图1-4-（a）N沟道MOS管电压极性及衬底连接1-4-（b）（c）（d）P沟道MOS管符号图1-4-（c）P沟道MOS管电压极性及衬底连接1-4-（d）MOS管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管。放大倍数大、噪声小、功耗低等优良性能。海南进口MOS管供应

    也就是MOS管没有二次击穿现象，可见采用MOS管作为开关管，其开关管的损坏率大幅度的降低，近两年电视机开关电源采用MOS管代替过去的普通晶体三极管后，开关管损坏率降低也是一个极好的证明。11、MOS管导通后其导通特性呈纯阻性：普通晶体三极管在饱和导通是，几乎是直通，有一个极低的压降，称为饱和压降，既然有一个压降，那么也就是；普通晶体三极管在饱和导通后等效是一个阻值极小的电阻，但是这个等效的电阻是一个非线性的电阻（电阻上的电压和流过的电流不能符合欧姆定律），而MOS管作为开关管应用，在饱和导通后也存在一个阻值极小的电阻，但是这个电阻等效一个线性电阻，其电阻的阻值和两端的电压降和流过的电流符合欧姆定律的关系，电流大压降就大，电流小压降就小，导通后既然等效是一个线性元件，线性元件就可以并联应用，当这样两个电阻并联在一起，就有一个自动电流平衡的作用，所以MOS管在一个管子功率不够的时候，可以多管并联应用，且不必另外增加平衡措施（非线性器件是不能直接并联应用的）。MOS管和普通的晶体三极管相比，有以上11项优点，就足以使MOS管在开关运用状态下完全取代普通的晶体三极管。目前的技术MOS管道VDS能做到1000V。海南进口MOS管供应mos管的输入端加有控制电极以使mos管的导通状态受控制而稳定下来。

    CE极间相当“短路”,即呈“开”的状态。三极管在截止状态(发射结、集电结都是反偏置)时,其CE极间的电流极小(硅管基本上量不到),相当于“断开(即‘关’)”的状态。三极管开关电路的特点是开关速度极快,远远比机械开关快;没有机械接点,不产生电火花;开关的控制灵敏,对控制信号的要求低;导通时开关的电压降比机械开关大,关断时开关的漏电流比机械开关大;不宜直接用于高电压、强电流的控制。2020-08-30什么是高反压开关三极管晶体三极管工作在开关状态时，发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，即为三极管的截止状态。开关三极管处于截止状态的特征是发射结，集电结均处于反向偏置。此时三极管能够承受额电压越高，其被击穿的可能性越小，工作越可靠，所以在一些特殊电路中必须选用高反压开关三极管，例如彩色电视机的行输出电路，一般高反压三极管的耐压都在1500伏以上。2020-08-30有关三极管的开关作用三极管都有开关作用。普通三极管当B极没有电流时会截止的，但是可控硅（也是一种三极管）却是只管导通不能控制截止，就是说B极给电流导通之后不能控制EC截止。

    原因是导通电阻小，且容易。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。下面的介绍中，也多以NMOS为主。在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，大电压等，大电流等，也有很多人考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是的，作为正式的产品设计也是不允许的。1、MOS管种类和结构MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被**成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小，*。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。下面的介绍中，也多以NMOS为主。MOS管是压控器件，作为开关时，NMOS只要满足Vgs>Vgs(th)即可导通，PMOS只要满足Vgs。

    mos管导通电阻mos管导通特性与条件（一）mos管导通特性金属-氧化层半导体场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistorMOSFET）是一种可以广使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effecttransistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为“N型”与“P型”的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS?FET、PMOSFET、nMOSFET、pMOSFET等。导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到4V或10V就可以了。PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，使用与源极接VCC时的情况(驱动)。但是，虽然PMOS可以很方便地用作驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在驱动中，通常还是使用NMOS。（二）MOS管导通条件场效应管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就可以了。但是，场效应管分为增强型（常开型）和耗尽型（常闭型），增强型的管子是需要加电压才能导通的，而耗尽型管子本来就处于导通状态。P-MOS管的通断控制，其实就是控制其Vgs的电压，从而达到控制电源的目的。海南进口MOS管供应

MOS管一般又叫场效应管，与二极管和三极管不同，二极管只能通过正向电流，反向截止，不能控制。海南进口MOS管供应

    低压MOS管四大重要参数：1、电压规格(VDSS)2、电流规格(In)3、mos饱和导通电阻(RDS（ON）)4、封装形式低压MOS管四大选型要点1、用N沟道orP沟道选择好MOS管器件的首要一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。2、确定MOS管的额定电流该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的很大电流。与电压的情况相似，确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOS管处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。一旦确定了这些条件下的很大电流，只需直接选择能承受这个很大电流的器件便可。3、选择MOS管的下一步是系统的散热要求须考虑两种不同的情况，即坏情况和真实情况。建议采用针对坏情况的计算结果，因为这个结果提供更大的安全余量，能确保系统不会失效。海南进口MOS管供应

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