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    原标题：干货|大功率IGBT模块及驱动技术电力电子技术在当今急需节能降耗的工业领域里起到了不可替代的作用;而igbt在诸如变频器、大功率开关电源等电力电子技术的能量变换与管理应用中，越来越成为各种主回路的优先功率开关器件，因此如何安全可靠地驱动igbt工作，也成为越来越多的设计工程师面临需要解决的课题。在使用igbt构成的各种主回路之中，大功率igbt驱动保护电路起到弱电控制强电的终端界面(接口)作用。因其重要性，所以可以将该电路看成是一个相对**的“子系统”来研究、开发及设计。大功率igbt驱动保护电路一直伴随igbt技术的发展而发展，现在市场上流行着很多种类非常成熟的大功率igbt驱动保护电路**产品，成为大多数设计工程师的优先;也有许多的工程师根据其电路的特殊要求，自行研制出各种**的大功率igbt驱动保护电路。本文对这些大功率igbt驱动保护电路进行分类，并对该电路需要达到的一些功能进行阐述，***展望此电路的发展。此外本文所述大功率igbt驱动保护电路是指应用于直流母线电压在650v～1000v范围、输出电流的交流有效值在100a～600a范围的场合。来源：电力电子技术与新能源，智享汽车圈返回搜狐。市场**的62 mm、Easy和Econo系列、IHM / IHV B系列、PrimePACK和XHP系列功率模块都采用了***的IGBT技术。山东进口模块

    ⑷在工作电流较大的情况下，为了减小关断过电压，应尽量减小主电路的布线电感，吸收电容应采用低感或无感型；⑸IGBT与MOSFET都是电压驱动，都具有一个～5V的阈值电压，有一个容性输入阻抗，因此IGBT对栅极电荷非常敏感故驱动电路必须很可靠，要保证有一条低阻抗值的放电回路，即驱动电路与IGBT的连线要尽量短；⑹用内阻小的驱动源对栅极电容充放电，以保证栅极控制电压Uge,有足够陡的前后沿，使IGBT的开关损耗尽量小。另外，IGBT开通后，栅极驱动源应能提供足够的功率，使IGBT不退出饱和而损坏；⑺驱动电平Uge也必须综合考虑。Uge增大时，IGBT通态压降和开通损耗均下降，但负载短路时的Ic增大，IGBT能承受短路电流的时间减小，对其安全不利，因此在有短路过程的设备中Uge应选得小些，一般选12～15V；在关断过程中，为尽快抽取PNP管的存储电荷，须施加一负偏压Uge,但它受IGBT的G、E间**大反向耐压限制，一般取1～10V；⑻在大电感负载下，IGBT的开关时间不能太短，以限制出di/dt形成的尖峰电压，确保IGBT的安全；⑼由于IGBT在电力电子设备中多用于高压场合，故驱动电路与控制电路在电位上应严格隔离；⑽IGBT的栅极驱动电路应尽可能简单实用，**好自身带有对IGBT的保护功能。辽宁模块工业化当外加正向电压超过死区电压时，PN结内电场几乎被抵消，二极管呈现的电阻很小。

    但是各路之间在电路上必须相互隔离，以防干扰或误触发四路驱动信号根据触发相位分为两组，相位相反。图3为一路栅极驱动电路，整流桥B1、B2与电解电容C1、C2组成整流滤波电路，为驱动电路提供+25V和-15V直流驱动电压。光耦6N137的作用是实现控制电路与主电路之间的隔离，传递PWM信号。电阻R1与稳压管VS1组成PWM取样信号，电阻R2限制光耦输入电流。电阻R3、R4与稳压管VS3、VS4分别组成，分别为光耦和MOSFET管Q3提供驱动电平。Q3在光耦控制下，工作在开关状态。MOSFET管Q1、Q2组成推挽放大电路，将放大后的输出信号输入到IGBT门极，提供门极的驱动信号。当输入控制信号，光耦U导通，Q3截止，Q2导通输出+15V驱动电压。当控制信号为零时，光耦U截止，Q3、Q1导通，输出-15V电压，在IGBT关断时时给门极提供负的偏置，提高lGBT的抗干扰能力。稳压管VS3～VS6分别对Q2、Q1输入驱动电压限幅在-10V和+15V，防止Q1、Q2进入深度饱和，影响MOS管的响应速度。电阻R6、R7与电容C0为Q1、Q2组成偏置网络。其中的电容C0是为了在开通时，加速Q2管的漏极电流上升速度，为栅极提供过冲电流，加速栅极导通。图3栅极驱动电路原理IGBT栅极耐压一般在±20V左右。

英飞凌整流桥综述EconoBRIDGE整流器模块应用在完善的Econo2和Econo4封装中。它们可以与EconoPACK2&3和EconoPACK4封装三相桥较高程度地配合使用。EconoBRIDGE可在整流级*有二极管时实现不控整流，也可在整流级中使用晶闸管实现半控整流。关键特性•高集成度：整流桥、制动斩波器和NTC共用一个封装，可节约系统成本•灵活性：可定制的封装（引脚位置和拓扑结构可根据客户需求定制）•一体通用：多种拓扑和电流（100A-360A）等级适用于多种应用，实现平台化战略•功率密度：与TrenchstopIGBT3相比，TrenchstopIGBT4技术的Tvjop达到150°C,具有更高的功率密度，适用于紧凑型逆变器设计•性能：与标准模块相比，预涂热界面材料（TIM）*可以提高输出功率并延长使用寿命•标准化：建立符合RoHS的封装理念，实现高可用性•简便性：PressFIT用于主端子以及辅助端子，以减少装配的工作量应用领域•电机控制和驱动•采暖通风与空调(HVAC)•不间断电源(UPS)100kVA•太阳能系统解决方案•工业加热和焊接它们可以与 EconoPACK 2 & 3 和 EconoPACK 4 封装三相桥较高程度地配合使用。

    随集电极-发射极电压的升高而增强（请参见等式（8））。低阻抗（即，低杂散电感）栅极驱动电路，也可比较大限度地降低发生寄生导通事件的风险。开关时间数据表中给出的开关时间，为确定半桥配置中的互补器件的接通与关断之间的恰当空载时间，提供了有用信息。关于设置恰当的空载时间的更多信息，请参阅参考资料[1]。数据表中给出的开关时间的定义如下，如图14中的示意图所示。接通延时（tdon）：10%栅极-发射极电压，至10%集电极电流升高时间（tr）：10%集电极电流，至90%集电极电流关断延时（tdoff）：90%栅极-发射极电压，至90%集电极电流下降时间（tf）：90%集电极电流，至10%集电极电流开关时间不能提供关于开关损耗的可靠信息，因为电压升高时间和下降时间以及电流拖尾均未确定。因此，每个脉冲造成的功率损耗需单独确定。图14开关波形示意图以及开关时间和功率损耗定义在数据表中，将每个脉冲造成的开关损耗定义为如下积分：积分范围t1和t2为：每个脉冲造成的接通功率损耗（Eon）：10%集电极电流，至2%集电极-发射极电压每个脉冲造成的关断功率损耗（Eoff）：10%集电极-发射极电压，至2%集电极电流这样，开关时间和每个脉冲造成的功率损耗。过零触发型交流固态继电器（AC-SSR）的内部电路。湖南西门子模块

外加正向电压较小时，二极管呈现的电阻较大，正向电流几乎为零。山东进口模块

在西门康IGBT得到大力发展之前，功率场效应管MOSFET被用于需要快速开关的中低压场合，晶闸管、GTO被用于中高压领域。MOSFET虽然有开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好、驱动电路简单的优点;但是，在200V或更高电压的场合，MOSFET的导通电阻随着击穿电压的增加会迅速增加，使得其功耗大幅增加，存在着不能得到高耐压、大容量元件等缺陷。双极晶体管具有优异的低正向导通压降特性，虽然可以得到高耐压、大容量的元件，但是它要求的驱动电流大，控制电路非常复杂，而且交换速度不够快。山东进口模块

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