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IGBT模块采用预涂热界面材料（TIM），能让电力电子应用实现一致性的散热性能。此外，IGBT模块可以借助压接引脚进行安装，从而实现无焊料无铅的功率模块安装。英飞凌可控硅：综述：6.5kV片式晶闸管系列包括四款强大而可靠的片式器件，专为满足中压软起动器应用的特殊要求而开发。所有器件均具备很强的抗浪涌电流能力。开关性能经过优化，可以按串联器件的数量轻松调整软起动器，以适应不同的工作电压。该器件还适用于通用线电压整流器应用，如电源和标准驱动。我们的产品组合包括不同的先进IGBT功率模块产品系列，它们拥有不同的电路结构、芯片配置和电流电压等级。代理模块批发价格

    本实用新型属于半导体器件技术领域，具体地说，本实用新型涉及一种igbt模块。背景技术：引脚在igbt(insulatedgatebipolartransistor)模块中的作用是做电路的引出，引脚焊接的品质直接关系到模块的电路输出及整体生产良率。对于现有的模块，引脚与铜层之间的焊接面积较小，在作业过程中容易出现爬锡不良及虚焊等品质问题，影响产品整体作业良率。技术实现要素：本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本实用新型提供一种igbt模块，目的是提高引脚的焊接品质。为了实现上述目的，本实用新型采取的技术方案为：igbt模块，包括铝基板和引脚，所述引脚包括与所述铝基板焊接的***连接部、与***连接部连接的第二连接部和与第二连接部连接且与***连接部相平行的第三连接部，***连接部的长度为，第二连接部与第三连接部之间的夹角为120°。所述铝基板包括铝层、设置于铝层上的绝缘层和设置于绝缘层上的铜层，所述***连接部与铜层焊接。本实用新型的igbt模块，通过增大引脚与铝基板的焊接面积，提高了引脚的焊接品质，提升了产品整体作业良率，确保产品的电性输出。附图说明本说明书包括以下附图，所示内容分别是：图1是本实用新型igbt模块的结构示意图。微型模块供应商家过零触发型交流固态继电器（AC-SSR）的内部电路。

    根据数据表中标示的IGBT的寄生电容，可以分析dV/dt引起的寄生导通现象。可能的寄生导通现象，是由集电极-栅极和栅极-发射极之间的固有容性分压器引起的（请参见图9）。考虑到集电极-发射极上的较高瞬态电压，这个固有的容性分压器比受限于寄生电感的外接栅极驱动电路快得多。因此，即使栅极驱动器关断了IGBT，即，在零栅极-发射极电压状态下，瞬态集电极-发射极电压也会引起与驱动电压不相等的栅极-发射极电压。忽略栅极驱动电路的影响，可以利用以下等式，计算出栅极-发射极电压：因此，商数Cres/Cies应当尽可能低，以避免dV/dt引起寄生导通现象（商数约为35，请参见图12）。此外，输入电容应当尽可能低，以避免栅极驱动损耗。图12IGBT的寄生电容（摘自数据表）数据表中给出的寄生电容是在恒定的25V集电极-发射极电压条件下的值（请参见图12）。栅极-发射极电容约为该恒定集电极-发射极电压条件下的值（等式（9））。反向传递电容严重依赖于集电极-发射极电压，可以利用等式（10）估算得到（请参见图13）：图13利用等式（9）和（10）计算得到的不同集电极-发射极电压条件下的输入和反向传递电容近似值所以，防止dV/dt引起的寄生导通现象的稳定性。

    需指出的是：IGBT参数表中标出的IC是集电极比较大直流电流，但这个直流电流是有条件的，首先比较大结温不能超过150℃，其次还受安全工作区（SOA）的限制，不同的工作电压、脉冲宽度，允许通过的比较大电流不同。同时，各大厂商也给出了2倍于额定值的脉冲电流，这个脉冲电流通常是指脉冲宽度为1ms的单脉冲能通过的比较大通态电流值，即使可重复也需足够长的时间。如果脉冲宽度限制在10μs以内，英飞凌NPT-IGBT短路电流承受能力可高达10倍的额定电流值。这种短路也不允许经常发生，器件寿命周期内总次数不能大于1000次，两次短路时间间隔需大于1s。但对于PT型IGBT，这种短路总次数不能大于100次，这是由于NPT-IGBT过载能力、可靠性比PT型高的原因。在电力电子设备中，选择IGBT模块时，通常是先计算通过IGBT模块的电流值，然后根据电力电子设备的特点，考虑到过载、电网波动、开关尖峰等因素考虑一倍的安全余量来选择相应的IGBT模块。但严格的选择，应根据不同的应用情况，计算耗散功率，通过热阻核算具比较高结温不超过规定值来选择器件。通过比较高结温核标可选择较小的IGBT模块通过更大的电流，更加有效地利用IGBT模块。电流等级从6 A到3600 A不等。IGBT模块的适用功率小至几百瓦，高至数兆瓦。

    IGBT的Uge幅值也影响着饱和导通压降：Uge增加，饱和导通压降将减小。由于饱和导通压降是IGBT发热的主要原因之一，因此必须尽量减小。通常Uge为15至18V，若过高，容易造成栅极击穿。一般取15V，IGBT关断时给其栅极发射极加一负偏压有利于提高IGBT的抗干扰的能力，通常取5到10V。、下降速率对IGBT的开通和关断过程有着较大的影响。在高频应用场合，驱动电压的上升、下降速率应尽量快一些，以提高IGBT的开关速度，降低损耗。减小栅极串联电阻，可以提高IGBT的开关速度，降低开关损耗，用户可根据实际应用的频率范围，选择合适的栅极驱动电阻，也可以选择开通和关断不同的栅极串联电阻值。在正常情况下IGBT的开通速度越快，损耗越小。但在开通过程中如有续流二极管的反向恢复电流和吸收电容的放电电流，则开通的越快，IGBT承受的峰值电流越大，越容易导致IGBT损坏。因此应该降低栅极驱动电压的上升速率,既增加栅极串联电阻的阻值，抑制该电流的峰值。其代价是较大的开通损耗。利用此技术，开通过程的电流峰值可以控制在任意值。由以上分析可知，栅极串联电阻和驱动电路内阻抗对IGBT开通过程影响较大，而对关断过程影响小一些，串联电阻小有利于加快关断速度，减小关断损耗。构成了晶体二极管，如下图所示。P区的引出的电极称为正极或阳极，N区的引出的电极称为负极或阴极。吉林模块批发厂家

正向电流开始增加，进入正向导通区，但此时电压与电流不成比例如AB段。代理模块批发价格

1.2正向特性1）外加正向电压较小时，二极管呈现的电阻较大，正向电流几乎为零，曲线OA段称为不导通区或死区。一般硅管的死区电压约为0.5伏，锗的死区电压约为0.2伏，该电压值又称门坎电压或阈值电压。2）当外加正向电压超过死区电压时，PN结内电场几乎被抵消，二极管呈现的电阻很小，正向电流开始增加，进入正向导通区，但此时电压与电流不成比例如AB段。随外加电压的增加正向电流迅速增加，如BC段特性曲线陡直，伏安关系近似线性，处于充分导通状态。3）二极管导通后两端的正向电压称为正向压降（或管压降），且几乎恒定。硅管的管压降约为0.7V，锗管的管压降约为0.3V。代理模块批发价格

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