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    本实用新型涉及变流技术领域，尤其涉及一种igbt模块。背景技术：目前，国外标准型的igbt模块是由igbt(绝缘栅双极型晶体管芯片)与fwd(二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的igbt模块直接应用于变频器、ups不间断电源等设备上；igbt模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点，随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上越来越多见。然而，这种igbt模块的成本较高，严重制约了国内变流技术领域的发展。为了解决国外标准型igbt模块成本较高的问题，目前国内出现了一种将igbt单管并联后形成igbt模块的方案，这种igbt模块与国外相同技术参数规格下的标准型igbt模块相比，成本要低15％～20％，进而能够促进国内变流技术领域的发展；但是，这种igbt模块中的各igbt单管一般由螺钉固定在安装板上，这就**降低了igbt模块的生产效率。技术实现要素：有鉴于此，本实用新型实施例提供一种igbt模块，能够提高igbt模块的生产效率。本实用新型实施例提供一种igbt模块，包括安装板、以及布置在所述安装板上侧的igbt单管，所述安装板上还连接有具有弹性的压紧件，所述压紧件将所述igbt单管抵压在所述安装板上。可选的。集电极和发射极是导通端子，栅极是控制开关操作的控制端子。上海模块销售价格

    向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP晶体管提供基极电流，使IGBT导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT关断。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后，从P+基极注入到N一层的空穴（少子），对N一层进行电导调制，减小N一层的电阻，使IGBT在高电压时，也具有低的通态电压。IGBT单管产品图IGBT单管结构图IGBT功率模块采用IC驱动，各种驱动保护电路，高性能IGBT芯片，新型封装技术，从复合功率模块PIM发展到智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM。PIM向高压大电流发展，其产品水平为1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于变频调速外，600A/2000V的IPM已用于电力机车VVVF逆变器。平面低电感封装技术是大电流IGBT模块为有源器件的PEBB，用于舰艇上的导弹发射装置。IPEM采用共烧瓷片多芯片模块技术组装PEBB，**降低电路接线电感，提高系统效率，现已开发成功第二代IPEM，其中所有的无源元件以埋层方式掩埋在衬底中。智能化、模块化成为IGBT发展热点。安徽模块平台我们一般家庭里家用电器全部开启最大电流也不会超过30A。

    1汇流箱的组成大规模光伏电站中常见的标准产品有6、8、10、12、16回路等规格的光伏防雷汇流箱。它可根据客户需要进行定制，回路数不限，灵活配置，一般由以下几部分组成。2箱体箱体一般采用钢板喷塑、不锈钢、工程塑料等材质，外形美观大方、结实耐用、安装简单方便，防护等级达到IP54以上，防水、防尘，满足户外长时间使用的要求。3直流断路器直流断路器是整个汇流箱的输出控制器件，主要用于线路的分/合闸。其工作电压高至DC1000V。由于太阳能组件所发电能为直流电，在电路开断时容易产生拉弧，因此，在选型时要充分考虑其温度、海拔降容系数，且一定要选择光伏**直流断路器。4光伏组件所用直流熔断器是专为光电系统而设计的**熔断器（外形尺10mm×38mm），采用**封闭式底座安装，避免组串之间发生电流倒灌而烧毁组件。当发生电流倒灌时，直流熔断器迅速将故障组串退出系统运行，同时不影响其他正常工作的组串，可安全地保护光伏组串及其导体免受逆向过载电流的威胁。5汇流箱中，二极管与组件接线盒中二极管的作用是不同的。组件接线盒中的二极管主要是当电池片被遮挡时提供续流通道。

    IGBT单管和IGBT功率模块PIM、IPM的区别是什么？作者：海飞乐技术时间：2018-04-1218:47IGBT功率模块采用封装技术集成驱动、保护电路和高能芯片一起的模块，已经从复合功率模块PIM发展到了智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM等。IGBT单管和IGBT功率模块的定义不同：IGBT单管：分立IGBT，封装较模块小，电流通常在50A以下，常见有TO247、TO3P等封装。IGBT模块：块化封装就是将多个IGBT集成封装在一起，即模块化封装的IGBT芯片。常见的有1in1,2in1,6in1等。PIM模块：集成整流桥+制动单元（PFC）+三相逆变（IGBT桥）；IPM模块：即智能功率模块，集成门级驱动及保护功能（热保护，过流保护等）的IGBT模块。IGBT单管和IGBT功率模块的结构不同IGBT单管为一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构，N+区称为源区，附于其上的电极称为源极。P+区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P型区（包括P+和P一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（Subchannelregion）。而在漏区另一侧的P+区称为漏注入区（Draininjector），它是IGBT特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP双极晶体管，起发射极的作用。IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点。

    1～1200AVge栅极电压-30V～30V-30～0V±1%±；0～+30V±1%±-30V～30VQg栅极电荷400~20000nCIg:0～50A±3%±400~20000nCtd(on)、td(off)开通/关断延迟10～1000ns10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5nstr、tf上升/下降时间10～1000ns10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns；Eon、Eoff开通/关断能量1～5000mJ1～50mJ±2%±；50～200mJ±2%±1mJ；200～1000mJ±2%±2mJ；1000～5000mJ±1%±5mJ；表格5二极管反向恢复测试主要参数测试范围精度要求测试条件Vcc二极管电压50～1500V200～500V±3%±1V；500～1500V±2%±2V；200～1500VIRM反向恢复电流50～1200A50～200A±3%±1A；50～1200AQrr反向关断电荷1～20000μC50～200μC±3%±1μC；200～1000μC±3%±2μC；1000～5000μC±2%±5μC；5000～20000μC±2%±10μC；1～20000μCtrr反向恢复时间20～2000ns20~100±3%±1ns；100~500±3%±2ns；500~2000±2%±5ns；20～2000nsErec反向关断能量损失1～5000mJ1～50mJ±3%±；50～200mJ±3%±1mJ；200～1000mJ±2%±2mJ；1000～5000mJ±1%±5mJ1～5000mJ表格6IGBT短路测试主要参数测试范围精度要求测试条件Vce集射极电压150～1500V150～1000V±2%±2V；1000～3300V±1%±5V。IGBT模块是由IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片）与FWD通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品。海南英飞凌模块

它与GTR 的输出特性相似．也可分为饱和区1 、放大区2 和击穿特性3 部分。上海模块销售价格

    导通延迟时间），td（off）（截止延迟时间），tr（上升时间）和开关损耗，在高频应用（超过5kHz）时，这种损耗应尽量避免。另外。驱动器本身的损耗也必须考虑。如果驱动器本身损耗过大，会引起驱动器过热，致使其损坏。**后，当M57962L被用在驱动大容量的IGBT时，它的慢关断将会增大损耗。引起这种现象的原因是通过IGBT的Gres（反向传输电容）流到M57962L栅极的电流不能被驱动器吸收。它的阻抗不是足够低，这种慢关断时间将变得更慢和要求更大的缓冲电容器应用M57962L设计的驱动电路如下图。电路说明：电源去耦电容C2～C7采用铝电解电容器，容量为100uF／50V，R1阻值取1kΩ，R2阻值取Ω，R3取kΩ，电源采用正负l5V电源模块分别接到M57962L的4脚与6脚，逻辑控制信号IN经l3脚输入驱动器M57962L。双向稳压管Z1选择为V，Z2为18V，Z3为30V，防止IGBT的栅极、发射极击穿而损坏驱动电路，二极管采用快恢复的FR107管。IGBT模块接线注意事项：1）栅极与任何导电区要绝缘，以免产生静电而击穿，IGBT在包装时将G极和E极之问有导电泡沫塑料，将它短接。装配时切不可用手指直接接触G极，直到G极管脚进行长久性连接后，方可将G极和E极之间的短接线拆除。2）在大功率的逆变器中。上海模块销售价格

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