中国香港国产整流桥模块生产厂家

整流桥模块的作用是什么：整流桥模块的功能，是将由交流配电单元提供的交流电，变换成48V或者24V直流电输出到直流配电单元。采用谐振电压型双环控制的谐振开关电源技术，具有稳压精度高、动态响应快的特点。整流模块内置MCU，全智能控制，可实现单机或多机并联运行。模块可以带电热插拔，日常维护方便快捷。采用多级吸收，具有过压、欠压、短路、过流、过热等自动保护及自动恢复运行功能。散热条件的好坏，直接影响模块的可靠和安全。不同型号模块在其额定电流工作状态下，环境温度为40℃时所需散热器尺寸、风机的规格各不相同。多组三相整流桥相互连接，使得整流桥电路产生的谐波相互抵消。中国香港国产整流桥模块生产厂家

所述负载为led灯串，所述led灯串的正极连接所述高压供电管脚hv，负极连接所述漏极管脚drain。如图2所示，所述一采样电阻rcs1的一端连接所述合封整流桥的封装结构1的采样管脚cs，另一端接地。本实施例的电源模组为非隔离场合的小功率led驱动电源应用，适用于高压线性(3w～12w)。实施例二如图3所示，本实施例提供一种合封整流桥的封装结构，与实施例一的不同之处在于，所述合封整流桥的封装结构还包括高压续流二极管df，且功率开关管121及逻辑电路122分立设置。如图3所示，在本实施例中，所述高压续流二极管df采用n型二极管，所述高压续流二极管df的负极通过导电胶或锡膏粘接于所述高压供电基岛13上，正极通过金属引线连接漏极基岛15，进而实现与所述漏极管脚drain的连接。需要说明的是，所述高压续流二极管df也可采用p型二极管，粘接于漏极基岛15上，在此不一一赘述。如图3所示，所述功率开关管121的漏极通过导电胶或锡膏粘接于所述漏极基岛15上，源极s通过金属引线连接所述采样管脚cs。所述逻辑电路122为芯片结构，其底面为绝缘材料，设置于所述信号地基岛14上，控制信号输出端out通过金属引线连接所述功率开关管121的栅极g，采样端口cs通过金属引线连接所述采样管脚cs。甘肃哪里有整流桥模块销售在整流桥的每个工作周期内，同一时间只有两个二极管进行工作。

所述第六电容c6的一端连接所述合封整流桥的封装结构1的高压供电管脚hv，另一端连接所述合封整流桥的封装结构1的电源地管脚bgnd。具体地，所述第二电感l2连接于所述合封整流桥的封装结构1的电源地管脚bgnd与信号地管脚gnd之间。需要说明的是，本实施例增加所述电源地管脚bgnd实现整流桥的接地端与所述逻辑电路122的接地端分开，通过外置电感实现emi滤波，减小电磁干扰。同样适用于实施例一及实施例三的电源模组，不限于本实施例。需要说明的是，所述整流桥的设置方式、所述功率开关管与所述逻辑电路的设置方式，以及各种器件的组合可根据需要进行设置，不以本实用新型列举的几种实施例为限。另外，由于应用的多样性，本实用新型主要针对led驱动领域的三种使用整流桥的拓扑进行了示例，类似的结构同样适用于充电器/适配器等ac-dc电源领域等，尤其是功率小于25w的中小功率段应用，本领域的技术人员很容易将其推广到其他使用了整流桥的应用领域。本实用新型的拓扑涵盖led驱动的高压线性、高压buck、flyback三个应用，并可以推广到ac-dc充电器/适配器领域；同时，涵盖了分立高压mos与控制器合封、高压mos与控制器一体单晶的两种常规应用。

整流桥模块的损坏原因及解决办法：-整流桥模块损坏，通常是由于电网电压或内部短路引起。在排除内部短路情况下，我们可以更换整流桥模块。而导致整流桥损坏的原因有以下5个原因1、散热片不够大，过载冲击电流过大，热量散发不出来。2、负载短路，绝缘不好，负荷电流过大引起；3、频繁的启停电源，若是感性负载属于储能元件！那么会产生反电动势。将整流元件反向击穿。在桥整流时只要一个坏了。则对称桥臂必烧坏！4、个别元件使用时间较长，质量下降！5、输入电压过高。整流桥模块坏了的解决办法（1）找到引起整流桥模块损坏的根本原因，并消除，防止换上新整流桥又发生损坏。（2）更换新整流桥模块，对焊接的整流桥模块需确保焊接可靠。确保与周边元件的电气安全间距，用螺钉联接的要拧紧，防止接触电阻大而发热。与散热器有传导导热的，要求涂好硅脂降低热阻。（3）对并联整流桥模块要用同一型号、同一厂家的产品以避免电流不均匀而损坏。由于一般整流桥应用时,常在其负载端接有平波电抗器，故可将其负载视为恒流源。

所述负载连接于所述第三电容c3的两端。具体地，在本实施例中，所述负载为led灯串，所述led灯串的正极连接所述高压供电管脚hv，负极连接所述第三电容c3与所述一电感l1的连接节点。如图4所示，所述第二采样电阻rcs2的一端连接所述合封整流桥的封装结构1的采样管脚cs，另一端接地。本实施例的电源模组为非隔离场合的小功率led驱动电源应用，适用于高压buck(5w～25w)。实施例三如图5所示，本实施例提供一种合封整流桥的封装结构，与实施例一及实施例二的不同之处在于，所述整流桥的设置方式不同，且还包括瞬态二极管dtvs。如图5所示，在本实施例中，所述瞬态二极管dtvs与所述高压续流二极管df叠置于所述高压供电基岛13上。具体地，所述高压续流二极管df采用p型二极管，所述瞬态二极管dtvs采用n型二极管。所述高压续流二极管df的正极通过导电胶或锡膏粘接于所述漏极基岛15上，负极朝上。所述瞬态二极管dtvs的负极通过导电胶或锡膏粘接于所述高压续流二极管df的负极上，正极(朝上)通过金属引线连接所述高压供电管脚hv。需要说明的是，在实际使用中，所述高压续流二极管df及所述瞬态二极管dtvs可采用不同类型的二极管根据需要设置在同一基岛。整流桥的上述特性可等效成对应于输入电压频率的占空比大约为30%。整流桥模块推荐货源

对于单相桥式全波整流器，在整流桥的每个工作周期内，同一时间只有两个二极管进行工作。中国香港国产整流桥模块生产厂家

金属引线的一端设置在与管脚连接的导电部件上)，能实现电连接即可，不限于本实施例。需要说明的是，所述整流桥可基于不同类型的器件选择不同的基岛实现，不限于本实施例，任意可实现整流桥连接关系的设置方式均可，在此不一一赘述。如图1所示，在本实施例中，所述功率开关管及所述逻辑电路集成于控制芯片12内。具体地，所述功率开关管的漏极作为所述控制芯片12的漏极端口d，源极连接所述逻辑电路的采样端口，栅极连接所述逻辑电路的控制信号输出端(输出逻辑控制信号)；所述逻辑电路的采样端口作为所述控制芯片12的采样端口cs，高压端口连接所述功率开关管的漏极，接地端口作为所述控制芯片12的接地端口gnd。所述控制芯片12的接地端口gnd连接所述信号地管脚gnd，漏极端口d连接所述漏极管脚drain，采样端口cs连接所述采样管脚cs。在本实施例中，所述控制芯片12的底面为衬底，通过导电胶或锡膏粘接于所述信号地基岛14上，所述控制芯片12的接地端口gnd采用就近原则，通过金属引线连接所述信号地基岛14，进而实现与所述信号地管脚gnd的连接；漏极端口d通过金属引线连接所述漏极管脚drain；采样端口cs通过金属引线连接所述采样管脚cs。中国香港国产整流桥模块生产厂家