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    绝缘栅双极晶体管)和MOSFET(Metallicoxidesemiconductorfieldeffecttransistor,金属氧化物半导体场效应晶体管)等高频自关断器件应用的日益***,驱动电路的设计就显得尤为重要。本文介绍了一种以CONCEPT公司的IGD515EI驱动器为主要器件构成的驱动电路,适用于大功率、高耐压IGBT模块串、并联电路的驱动和保护。通过光纤传输驱动及状态识别信号,进行高压隔离传输,具有良好的抗电磁干扰性能和高于15A的驱动电流。因此,该电路适用于高压大功率场合。在隔离的高电位端,IGD515EI内部的DC-DC电源模块只需一路驱动电源就能够产生栅极驱动所需的±15V电源。器件内还包括功率管的过流和短路保护电路,以及信号反馈检测功能。该电路是一种性能优异、成熟的驱动电路。2IGD515EI在刚管调制器中的应用雷达发射机常用的调制器一般有三种类型:软性开关调制器、刚性开关调制器和浮动板调制器。浮动板调制器一般用于控制极调制的微波电子管,而对于阴调的微波管则只能采用软性开关调制器和刚性开关调制器。由于软性开关调制器不易实现脉宽变化,故在阴调微波管发射机的脉宽要求变化时。 大家使用的是单向晶闸管，也就是人们常说的普通晶闸管，它是由四层半导体材料组成的。宁夏质量IGBT模块供应

    其它端口为特殊端口，只在具有多功能产品中使用，普通调压产品其余脚为空脚。4、各引脚功能与控制线颜色对照表引脚功能脚号与对应的引线颜色5芯接插件9芯接插件15芯接插件+12V5(红色)1(红色)1(红色)GND4(黑色)2(黑色)2(黑色)GND13(黑色)3(黑白双色)3(黑白双色)CON10V2(中黄)4(中黄)4(中黄)TESTE1(橙色)5(橙色)5(橙色)CON20mA9(棕色)9(棕色)5、满足模块工作的必要条件模块使用中必须具有以下条件：（1）、+12V直流电源：模块内部控制电路的工作电源。①输出电压要求：+12V电源：12±，纹波电压小于20mv。②输出电流要求：标称电流小于500安培产品：I+12V＞，标称电流大于500安培产品：I+12V＞1A。（2）、控制信号：0～10V或4～20mA控制信号，用于对输出电压大小进行调整的控制信号，正极接CON10V或CON20mA，负极接GND1。（3）、供电电源和负载：供电电源一般为电网电源，电压460V以下的或者供电变压器，接模块的输入端子；负载为用电器，接模块的输出端子。6、导通角与模块输出电流的关系模块的导通角与模块能输出的**大电流有直接关系，模块的标称电流是**大导通角时能输出的**大电流。在小导通角（输出电压与输入电压比值很小）下输出的电流峰值很大，但电流的有效值很小。 重庆质量IGBT模块现价作为与动力电池电芯齐名的“双芯”之一，IGBT占整车成本约为7-10%，是除电池外成本的元件。

    下面描述中的附图**是本发明中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本发明的立式晶闸管模块的一具体实施方式的平面示意图。具体实施方式下面结合附图所示的各实施方式对本发明进行详细说明，但应当说明的是，这些实施方式并非对本发明的限制，本领域普通技术人员根据这些实施方式所作的功能、方法、或者结构上的等效变换或替代，均属于本发明的保护范围之内。如图1所示，本发明的立式晶闸管模块包括：外壳1、盖板2、铜底板3、形成于所述盖板2上的***接头4、第二接头5和第三接头6、封装于所述外壳1内部的***晶闸管单元和第二晶闸管单元。其中，任一所述接头均可与电力系统中一路电路相连接，并在晶闸管单元的控制下对所在电路进行投切控制。所述***晶闸管单元包括：***压块7、***门极压接式组件8、***导电片9、第二导电片10、瓷板11。其中，所述***压块7设置于所述***门极压接式组件8上，并通过所述***门极压接式组件8对所述***导电片9、第二导电片10、瓷板11施加压合作用力，所述***导电片9、第二导电片10、瓷板11依次设置于所述铜底板3上。

    晶闸管一般指晶体闸流管晶闸管（Thyristor）是晶体闸流管的简称，又可称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅；1957年美国通用电器公司开发出世界上***晶闸管产品，并于1958年使其商业化；晶闸管是PNPN四层半导体结构，它有三个极：阳极，阴极和门极；晶闸管工作条件为：加正向电压且门极有触发电流；其派生器件有：快速晶闸管，双向晶闸管，逆导晶闸管，光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件，在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示（旧标准中用字母“SCR”表示）。晶闸管具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制、被***应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。中文名晶闸管外文名Thyristo目录1种类2工作原理3工作条件4工作过程5注意事项6如何保护晶闸管晶体闸流管种类编辑（一）按关断、导通及控制方式分类晶闸管按其关断、导通及控制方式可分为普通晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、门极关断晶闸管（GTO）、BTG晶闸管、温控晶闸管和光控晶闸管等多种。。 5STM–新IGBT功率模块可为高达30kW的负载提供性能。

    不需要具体计算IAT、IG之值，只要读出二者所对应的表针正向偏转格数，即可迅速估测关断增益值。晶体闸流管注意事项编辑（1）在检查大功率GTO器件时，建议在R×1档外边串联一节′，以提高测试电压和测试电流，使GTO可靠地导通。（2）要准确测量GTO的关断增益βoff，必须有**测试设备。但在业余条件下可用上述方法进行估测。由于测试条件不同，测量结果*供参考，或作为相对比较的依据。逆导晶闸管RCT(Reverse-ConductingThyristir)亦称反向导通晶闸管。其特点是在晶闸管的阳极与阴极之间反向并联一只二极管，使阳极与阴极的发射结均呈短路状态。由于这种特殊电路结构，使之具有耐高压、耐高温、关断时间短、通态电压低等优良性能。例如，逆导晶闸管的关断时间*几微秒，工作频率达几十千赫，优于快速晶闸管（FSCR）。该器件适用于开关电源、UPS不间断电源中，一只RCT即可代替晶闸管和续流二极管各一只，不*使用方便，而且能简化电路设计。逆导晶闸管的符号、等效电路如图1(a)、(b)所示。其伏安特性见图2。由图显见，逆导晶闸管的伏安特性具有不对称性，正向特性与普通晶闸管SCR相同，而反向特性与硅整流管的正向特性相同（*坐标位置不同）。 GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大。重庆质量IGBT模块现价

智能功率模块是以IGBT为内核的先进混合集成功率部件，由高速低功耗管芯（IGBT）和优化的门极驱动电路。宁夏质量IGBT模块供应

    设计时应注意以下几点:①IGBT栅极耐压一般在±20V左右，因此驱动电路输出端要给栅极加电压保护，通常的做法是在栅极并联稳压二极管或者电阻。前者的缺陷是将增加等效输入电容Cin，从而影响开关速度，后者的缺陷是将减小输入阻抗，增大驱动电流，使用时应根据需要取舍。②尽管IGBT所需驱动功率很小，但由于MOSFET存在输入电容Cin，开关过程中需要对电容充放电，因此驱动电路的输出电流应足够大，这一点设计者往往忽略。假定开通驱动时，在上升时间tr内线性地对MOSFET输入电容Cin充电，则驱动电流为Igt=CinUgs/tr，其中可取tr=2。2RCin，R为输入回路电阻。③为可靠关闭IGBT，防止擎住现象，要给栅极加一负偏压，因此比较好采用双电源供电。IGBT集成式驱动电路IGBT的分立式驱动电路中分立元件多，结构复杂，保护功能比较完善的分立电路就更加复杂，可靠性和性能都比较差，因此实际应用中大多数采用集成式驱动电路。日本富士公司的EXB系列集成电路、法国汤姆森公司的UA4002集成电路等应用都很***。IPM驱动电路设计IPM对驱动电路输出电压的要求很严格，具体为:①驱动电压范围为15V±10%?熏电压低于13．5V将发生欠压保护，电压高于16．5V将可能损坏内部部件。②驱动电压相互隔离。 宁夏质量IGBT模块供应