膜厚仪基本参数
  • 品牌
  • 创视智能-TronSight
  • 型号
  • TS-IT50
  • 用途类型
  • 薄膜测厚
  • 工作原理
  • 白光干涉型
  • 输出信号
  • 模拟型
  • 材质
  • 金属膜
  • 位移特征
  • 点位移
  • 测量范围
  • 小位移
膜厚仪企业商机

用峰峰值法处理光谱数据时,被测光程差的分辨率取决于光谱仪或CCD的分辨率。我们只需要获取相邻的两个干涉峰值处的波长信息,即可确定光程差,不必关心此波长处的光强大小,从而降低了数据处理难度。此外,也可以利用多组相邻干涉光谱极值对应的波长分别求出光程差,然后再求平均值作为测量结果,以提高该方法的测量精度。但是,峰峰值法存在着一些缺点:当使用宽带光源时,不可避免地会有与光源同分布的背景光叠加在接收光谱中,从而引起峰值处波长的改变,从而引入测量误差。同时,当两干涉信号之间的光程差很小,导致其干涉光谱只有一个干涉峰时,此法便不再适用。Michelson干涉仪的光路长度是影响仪器精度的重要因素。膜厚仪应用案例

光谱拟合法易于应用于测量,但由于使用了迭代算法,因此其优缺点在很大程度上取决于所选择的算法。随着遗传算法、模拟退火算法等全局优化算法的引入,被用于测量薄膜参数。该方法需要一个较好的薄膜光学模型(包括色散系数、吸收系数、多层膜系统),但实际测试过程中薄膜的色散和吸收的公式通常不准确,特别是对于多层膜体系,建立光学模型非常困难,无法用公式准确地表示出来。因此,通常使用简化模型,全光谱拟合法在实际应用中不如极值法有效。此外,该方法的计算速度慢,不能满足快速计算的要求。高精度膜厚仪行业应用在半导体、光学、电子、化学等领域广泛应用,有助于研究和开发新产品。

本文主要研究了如何采用白光干涉法、表面等离子体共振法和外差干涉法来实现纳米级薄膜厚度的准确测量,研究对象为半导体锗和贵金属金两种材料。由于不同材料薄膜的特性差异,所适用的测量方法也会有所不同。对于折射率高,在通信波段(1550nm附近)不透明的半导体锗膜,采用白光干涉的测量方法;而对于厚度更薄的金膜,由于其折射率为复数,且具有表面等离子体效应,所以采用基于表面等离子体共振的测量方法会更合适。为了进一步提高测量精度,本文还研究了外差干涉测量法,通过引入高精度的相位解调手段来检测P光与S光之间的相位差,以提高厚度测量的精度。

光谱拟合法易于测量具有应用领域,由于使用了迭代算法,因此该方法的优缺点在很大程度上取决于所选择的算法。随着各种全局优化算法的引入,遗传算法和模拟退火算法等新算法被用于薄膜参数的测量。其缺点是不够实用,该方法需要一个较好的薄膜的光学模型(包括色散系数、吸收系数、多层膜系统),但是在实际测试过程中,薄膜的色散和吸收的公式会有出入,尤其是对于多层膜体系,建立光学模型非常困难,无法用公式准确地表示出来。在实际应用中只能使用简化模型,因此,通常全光谱拟合法不如极值法有效。另外该方法的计算速度慢也不能满足快速计算的要求。膜厚仪的干涉测量能力较高,可以提供精确和可信的膜层厚度测量结果。

基于表面等离子体共振传感的测量方案,利用共振曲线的三个特征参量半高宽、—共振角和反射率小值,通过反演计算得到待测金属薄膜的厚度。该测量方案可同时得到金属薄膜的介电常数和厚度,操作方法简单。我们利用Kretschmann型结构的表面等离子体共振实验系统,测得金膜在入射光波长分别为632.8nm和652.1nm时的共振曲线,由此得到金膜的厚度为55.2nm。由于该方案是一种强度测量方案,测量精度受环境影响较大,且测量结果存在多值性的问题,所以我们进一步对偏振外差干涉的改进方案进行了理论分析,根据P光和S光之间相位差的变化实现厚度测量。白光干涉膜厚仪广泛应用于半导体、光学、电子、化学等领域,为研究和开发提供了有力的手段。膜厚仪的精度

增加光路长度可以提高仪器分辨率,但同时也会更容易受到振动等干扰,需要采取降噪措施。膜厚仪应用案例

光纤白光干涉此次实验所设计的解调系统是通过检测干涉峰值的中心波长的移动实现的,所以光源中心波长的稳定性将对实验结果产生很大的影响。实验中我们所选用的光源是由INPHENIX公司生产的SLED光源,相对于一般的宽带光源具有输出功率高、覆盖光谱范围宽等特点。该光源采用+5V的直流供电,标定中心波长为1550nm,且其输出功率在一定范围内是可调的,驱动电流可以达到600mA。测量使用的是宽谱光源。光源的输出光功率和中心波长的稳定性是光源选取时需要重点考虑的参数。膜厚仪应用案例

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