晋中MD二极管模块生产厂家

晶闸管智能模块的选择

  如：某加热炉控制柜，需要控制额定电压为380V，蕞大工作电流为150A的加热炉，应使用什么规格型号的模块？

《使用说明书》中的选型计算公式：

I>K×I负载×U蕞大/U实际

K：安全系数，阻性负载K=1.5，感性负载K=2

I负载：负载流过的蕞大电流

U蕞大：负载上的蕞小电压

U实际：模块能输出的蕞大电压（三相整流模块为输入电压的1.35倍，单相整流模块为输入电压的0.9倍，其余规格均为1.0倍）

I：需要选择模块的蕞小电流，模块标称的电流必须大于该值。

1.5×150A×1.0×380V/380V=225A

应选择型号为3MTAC260的模块。 奥凯电气的行业影响力逐年提升。晋中MD二极管模块生产厂家

晶闸管模块的介绍和特点：

三相交流一体化移相调压模块采用大规模集成电路设计，内部集三相移相触发电路、单向可控硅、RC阻容吸收回路及电源电路等于一体。可在自动或手动输入控制作用下，产生三相可改变导通角的强触发脉冲信号，再以此分别控制内部可控硅，实现三相负载电压从0 V到电网全电压的无级可调，从而调节输出给三相负载电功率。调压模块直接带动变压器等感性负载或电加热等阻性负载，可适用于小功率三相力矩电机的调速，及风机、水泵等的调速，也可应用于交流电机的缓启动。调压模块采用SMT工艺，DCB陶瓷基板，其体积小、**接线少、性能稳定、使用方便、可靠性高。  晋中MD二极管模块生产厂家奥凯电气以快的速度提供前列的产品质量和好的价格及完善的售后服务。

晶闸管智能模块的过流保护：

  加热炉在实际工作中因加热丝温度上升，会导致加热丝变形，如果加热丝没有采取良好的固定措施，会慢慢变形直至两处加热丝挨到一块，形成短路，短路后会使电流增大，电流过大后会超过模块的额定电流，烧毁模块，为了限制电流过大，必须采取过流保护措施，一般再模块的输入端分别串联快速熔断器来限制蕞大电流，熔断器额定电流值一般取负载的额定电流或略大于负载额定电流，必须保证小于晶闸管智能模块的额定电流，快速熔断器额定电流过大将起不到保护作用。

  晶闸管智能模块工作时由导通到截止时或因雷击及其他原因都会产生能量较大，持续时间较长的过电压，此电压直接作用与晶闸管上会使晶闸管超过额定电压而击穿，为了保护晶闸管，常采用压敏电阻吸收与阻容吸收的方法来吸收过电压，有效避免晶闸管被击穿。

随着智能调压模块在电气自动化领域中的应用越来越大范围，它在发挥其工作上也发挥着机器重要的作用，相信对于那些对该产品的应用比较熟悉的人来说，对于它的使用情况已经是再熟悉不过了，但是对于刚接触的人来说，想要系统的了解一 下可能就稍微困难了，那么接下来小编就带大家一起来了解一下它的使用方法吧。

  1、各功能端相对com端必须为正，若com端为负极，极性相反，则智能调压模块主回路输出端可能失控。

  2、智能调压模块各功能端的控制特性均为正极性，即控制电压越高，模块强电主回路输出电压越高。

  3、在某一时刻宜使用一种输入控制方式，若2种以上方式同时输入使用，则输入信号较强的一种起主要作用。

  4、电源为上进下出，三相交流电路的进线R、S、T无相序要求，导线粗细按实际使用电流选择。

  5、N线*为模块内部开关电源用，用1平方细导线即可，N线与各输入控制端之间为全隔离绝缘设计。

  6、在使用过程中若发生过流现象，应首先检查负载有无短路等故障。可在模块的进线R、S、T端之前安装快速熔断器进行过流保护，规格可按实际负载电流的1.5倍选配。 奥凯电气愿和各界朋友真诚合作一同开拓。

奥凯电气可控硅整流调压模块的使用方法

奥凯电气可控硅整流调压模块在电气自动化领域发挥着重要的作用，特别是随着科学技术的高速前进，整流调压模块将会应用到各个领域中。接触过整流调压模块的人对它有一定的了解，但是在使用过程中难免会出现问题，为解决这个问题接下来为大家讲一下它的使用方法：

  1、各功能端相对com端必须为正，若com端为负极，极性相反，则整流调压模块主回路输出端可能失控。

  2、整流调压模块各功能端的控制特性均为正极性，即控制电压越高，模块强电主回路输出电压越高。

  3、在某一时刻宜使用一种输入控制方式，若2种以上方式同时输入使用，则输入信号较强的一种起主要作用。

  4、电源为上进下出，三相交流电路的进线R、S、T无相序要求，导线粗细按实际使用电流选择。

  5、N线*为模块内部开关电源用，用1平方细导线即可，N线与各输入控制端之间为全隔离绝缘设计。 奥凯电气设备不懈追求产品质量，精益求精不断升级。晋中MD二极管模块生产厂家

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可控硅模块的简要说明：

可控硅模块的出现已经历史悠久，它的出现也帮助人们解决了很多难题，凭借它的优势，使可控硅模块在电气行业中非常的受欢迎，

可控硅模块通常被称之为功率半导体模块（semiconductormodule）。刚开始是在1970年出现在电力电子技术领域，是采用模块封装形式，具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。

可控硅模块的优点体积小、重量轻、结构紧凑、可靠性高、外接线简单、互换性好、便于维修和安装；结构重复性好，装置的机械设计可以简化，价格比分立器件低等诸多优点，因而在一诞生就受到了各大电力半导体厂家的热捧，并因此得到长足发展。

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