磁通门技术是一种通过测量磁场强度来实现非接触式物理量测量的方法，其原理基于磁场对媒质导磁性的影响。在磁通门技术中，通常会使用一对磁通门传感器，分别放置在被测物理量的两侧。这两个传感器之间的媒质（如气体、液体、材料等）会对磁场的传播产生影响。当媒质中存在物理量时，如液体中的流速、气体中的温度变化等，它们会改变媒质的磁导率或磁化程度，进而影响通过传感器的磁场强度。这样，通过测量磁场强度的变化，就可以间接推断出被测物理量的数值。具体来说，磁通门技术通常包含以下几个步骤：通过一个产生稳定磁场的磁体，形成一个均匀的磁场。在被测物理量的两侧，分别放置磁通门传感器。当媒质中的物理量变化时，会改变磁场传播的路径和强度。通过测量磁通门传感器输出的电信号，可以分析出磁场强度的变化，并间接计算出被测物理量的数值。磁通门技术的优势在于可以实现非接触式测量，无需直接接触被测物体，避免了测量误差和对被测物体的干扰。同时，由于磁通门传感器具有高灵敏度和稳定性，使得磁通门技术在多个领域得到广泛应用，如流量测量、液位测量、温度测量等。电流传感器的漂移误差会随时间变化而逐渐变大，需要定期对其进行校准，以保证测量精度。九江漏电保护电流传感器
电流互感器(currenttransformer, CT)依据电磁感应原理测量电流，它主要应用于电力系统电流测量和继电保护系统中，其运行稳定性影响测量的准确性和保护装置动作的可靠性。但是电流互感器只能进行交流电流的测量，磁芯容易受到饱和的影响，并且体积较大，测量频率较低，价格昂贵。 巨磁阻(GMR)效应在微小磁场测量领域实现了巨大的改变，尤其在利用涡流传感器进行无损检测方面取得了很大的进展。巨磁阻传感器具有低功耗、尺寸小、高灵敏度以及频率与灵敏度的不相关性等特点；其缺点是这类传感器对外界磁场比较敏感，不是很适合用于复杂电流检测。兰州低温漂电流传感器出厂价电流传感器探头的性能受形状尺寸参数以及各项电磁参数的影响。
磁阻材料具备一种特别的属性，铁磁材料的电阻率随自身磁化强度和电流方向夹角的改变而变化。外部磁场施加到铁磁性材料上，铁磁材料的长度方向上施加一个垂直于磁场的电流，铁磁材料自身阻值的变化，可以转化为元件端电压的变化。磁阻效应包括AMR（各项异性磁阻）、GMR（巨磁电阻效应）和TMR（隧道磁阻效应）。相比于其它磁传感器，TMR磁传感器具备优异的温度稳定性、极高的灵敏度、极低的本底噪声、极低的功耗、高分辨率、较大的动态范围、更小的尺寸等特点，象征了固态传感器技术的发展新趋势。
磁通门传感器是利用被测磁场中高导磁率磁芯在交变磁场的饱和激励下，其磁感应强度与磁场强度的非线性关系来测量弱磁场的。这种物理现象对被测环境磁场来说好像是一道“门”，通过这道“门”，相应的磁通量即被调制，并产生感应电动势。利用这种现象来测量电流所产生的磁场，从而间接的达到测量电流的目的。现有技术中结构简单应用较非常多的一种方式为单绕组磁通门结构。环形磁芯上绕有线圈，此绕组即作为激励绕组又作为测量绕组。所测电流从磁环中间穿过。单棒型磁通门传感器的感应绕组与激励绕组为同一组绕组，其被测磁场与激励磁场的方向平行。
电流传感器测量原理的实现依赖于结构的设计，现有磁通门的结构一般包括标准型磁通门电流传感器结构，双磁芯型及三磁芯型结构。但是现有这些磁通门结构并不能实现高温环境下复杂电流波形的测量。标准磁通门电流传感器实际与闭环霍尔电流传感器结构相似，由相同带缝隙的磁路和用来得到零磁通的次级线圈构成，霍尔电流传感器与磁通门电流传感器主要的区别在于气隙磁场检测方式的不同：前者是通过一个霍尔元件获得电压信息进而得到被测电流；后者则是通过一个所谓的饱和电感来测量电流的。基于磁通门原理的电流传感器具有高灵敏性，其测量精度比霍尔型互感器高，可以达到1ppm级别。南通内阻测试仪电流传感器联系方式
用电设备通过电流传感器来实现测量、检测、保护、反馈控制等功能。九江漏电保护电流传感器
这种单磁芯结构的测量探头的主要缺点来自于激励线圈噪声可能会植入到初级线圈中，这一噪声主要是源于变压器效应。为了减小这种噪声，结构中引入了另一个磁芯，并且这两个磁芯的参数需要完全相同。向两个磁芯中注入相反方向的同一电流, 那么，初级导体的变压器效应便会由于次级线圈感应出相反的电流而相互抵消。 由于磁通门电流传感器只能测量直流以及低频交流电，频率上能测量100Hz的交流电。那么为了测量高频交流，提高整个测量探头的动态稳定性能，结构引入了第三个磁芯，这一磁芯只环绕次级线圈。这时初级被测电流便与次级线圈以及第三个磁环构成电流互感器，探头的频率特性得到改善。九江漏电保护电流传感器
