IC封装药液起着把金属与腐蚀介质完全隔开的作用，防止金属与腐蚀介质接触，从而使金属基本停止溶解形成钝态达到防腐蚀的作用。防变色剂一般分为两种：一种为有机封闭剂，一种为油性封闭剂。有机封闭剂：闪点高（110度），可水溶性，不易燃烧，使用安全，环保，无铬，无排放；使用简单，常温浸泡，封闭前无需干燥产品；使用寿命长，平时操作一般只需添加，无需更换；产品封闭处理后，表面为全干性，无油感，不影响产品后期的导电与焊接性能，耐腐蚀性能提高5-20倍。IC封装药水使金属基本停止溶解形成钝态达到防腐蚀的作用。上海IC清洁除胶剂
半水清洗主要采用有机溶剂和去离子水，再加上一定量的活性剂、添加剂所组成的清洗剂。该类清洗介于溶剂清洗和水清洗之间。这些IC清洁剂都属于有机溶剂，属于可燃性溶剂，闪点比较高，毒性比较低，使用上比较安全，但是须用水进行漂洗，然后进行烘干。有些清洗剂中添加5%~20%的水和少量表面活性剂，既降低了可燃性，又可使漂洗更为容易。半水清洗工艺特点是：清洗能力比较强，能同时除去极性污染物和非极性污染物，洗净能力持久性较强；清洗和漂洗使用两种不同性质的介质，漂洗一般采用纯水，漂洗后要进行干燥。苏州IC镀锡药剂规格型号IC封装药水本剂不含磷、不易生菌、无泡。
现代清洗技术中的关键要求：IC清洁剂在未来90~65nm节点技术工艺中，除了要考虑清洗后的硅片表面的微粗糙度及自然氧化物去除率等技术指标外，也要考虑对环境的污染以及清洗的效率其经济效益等。硅片清洗技术评价的主要指标可以归纳为：微粗糙度（RMS)；自然氧化物去除率；金属沾污、表面颗粒度以及有机物沾污，其他指标还包括：芯片的破损率；清洗中的再沾污；对环境的污染；经济的可接受：包括设备与运行成本、清洗效率)等。金属沾污在硅片上是以范德华引力、共价键以及电子转移等三种表面形式存在的。这种沾污会破坏薄氧化层的完整性，增加漏电流密度，影响MOs器件的稳定性，重金属离子会增加暗电流，情况为结构缺陷或雾状缺陷。
在IC除锈剂涂抹完20分钟时间里，必须保证生锈的表面尽量的湿润，如果效果不好，可以用IC除锈剂进行反复的擦拭；在擦拭完毕后，用清水冲洗表面，尽量是使用热水，这样可以让表面更快的干燥，同时还可以预防生锈。浸泡槽除锈法：在浸泡槽里水和IC除锈剂按照5比1的比例进行调和；除锈的温度保持常温即可，如果有条件可以将IC除锈剂进行加温，加温至上限70摄氏度即可；锈蚀的物体放在浸泡槽内浸泡的时间不能超过三个小时；浸泡完毕后，用清水冲洗表面，尽量是使用热水，这样可以让表面更快的干燥，同时还可以预防生锈。IC封装药水牢固地吸附在金属表面上的物理膜。
随着芯片尺寸加大，工艺线宽减小，从9Onm工艺开始，以往IC清洁剂在清洗过程中使用的超声波清洗遇到一些问题，如造成半导体器件结构损伤，在65nm及以下工艺，其损伤程度可能会加剧。芯片中的深沟槽结构清洗时清洗液和漂洗去离子水很难进入结构内部，难以达到清洗目的。高堆桑式和深沟槽式结构清洗后的干燥过程也是很关键的技术问题。一般小于130nm工艺中，要求必须去除所有大于或等于100nm的颗粒，而由于表面边界层的限制，现行清洗技术，如液体或高压〈液体〉喷射清洗已无法洗去0onm的颗粒。STM-C160除锈活化剂，单剂操作，配比浓度20-40%。南通IC除胶清洗剂
IC封装药水能通过硫化氢和盐雾测试48小时以上。上海IC清洁除胶剂
有机物的去除常常在清洗工序的第1步进行，金属污染物：IC电路制造过程中采用金属互连材料将各个单独的器件连接起来，首先采用光刻、蚀刻的方法在绝缘层上制作接触窗口，再利用蒸发、溅射或化学汽相沉积(CVD)形成金属互连膜，如A-Si，Cu等，通过蚀刻产生互连线，然后对沉积介质层进行化学机械抛光（CMP)。这个过程对IC制程也是一个潜在的污染过程，在形成金属互连的同时，也产生各种金属污染。必须采取相应的措施去除金属污染物。原生氧化物及化学氧化物：硅原子非常容易在含氧气及水的环境下氧化形成氧化层，称为原生氧化层。上海IC清洁除胶剂
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