ITO药水基本参数
  • 品牌
  • 圣天迈
  • 纯度级别
  • 化学纯CP
  • 产品性状
  • 液态
ITO药水企业商机

TIO蚀刻液的基本信息:(1)配方。①热水12g,氟化铵15g,草酸8g,硫酸铵10g,甘油40g,硫酸钡15g;②氟化铵15g,草酸7g,硫酸铵8g,硫酸钠14g,甘油35g,水10g;③氢氟酸60(体积数,下同),硫酸10,水30。(2)配制方法。配制蚀刻液①和②时,将上述原料与60℃热水混合,搅拌均匀即可。配置时不要使溶液溅到皮肤上,而且操作时应戴上口罩。配制蚀刻液③时,按配方将氢氟酸和硫酸混合,然后将混合液倒入水中(不能将水倒入混合液),并不断搅拌。(3)使用方法。使用刻蚀液①或②时,把要蚀刻的玻璃洗净、晾干,建议用电炉或红外线灯将玻璃稍微加热,以便于蚀刻。蚀刻时,用毛笔蘸蚀刻液书写文字或图案于玻璃上,2min蚀刻工作即完成。制作毛玻璃时,将玻璃洗净、晾干,用刷子均匀涂上腐蚀液即可。ITO显影液是一种重要的湿电子化学品。安徽TIO清洁药剂

ITO膜层的主要成份是氧化铟锡。在厚度只有几千埃的情况下,氧化铟透过率高,氧化锡导电能力强,液晶显示器所用的ITO玻璃正是一种具有高透过率的导电玻璃。由于ITO具有很强的吸水性,所以会吸收空气中的水份和二氧化碳并产生化学反应而变质,俗称“霉变”,因此在存放时要防潮。ITO层在活性正价离子溶液中易产生离子置换反应,形成其它导电和透过率不佳的反应物质,所以在加工过程中,尽量避免长时间放在活性正价离子溶液中。ITO层由很多细小的晶粒组成,晶粒在加温过程中会裂变变小,从而增加更多晶界,电子突破晶界时会损耗一定的能量,所以ITO导电玻璃的ITO层在600度以下会随着温度的升高,电阻也增大。铜发黑零售价ITO显影剂也称为造影剂或对比剂。

温度对ITO酸性氯化铜蚀刻液速率的影响:随着温度的升高,蚀刻速率加快,但是温度也不宜过高,一般控制在45~55℃范围内。温度太高会引起HCl过多地挥发,造成溶液组分比例失调。另外,如果蚀刻液温度过高,某些抗蚀层会被损坏。温度对ITO碱性氯化铜蚀刻液速率的影响:蚀刻速率与温度有很大关系,蚀刻速率随着温度的升高而加快。蚀刻液温度低于40℃,蚀刻速率很慢,而蚀刻速率过慢会增大侧蚀量,影响蚀刻质量;温度高于60℃,蚀刻速率明显增大,但NH3的挥发量也很大程度增加,导致污染环境并使蚀刻液中化学组分比例失调。故温度一般控制在45~55℃为宜。

影响ITO碱性氯化铜蚀刻液蚀刻速率的因素:1、Cu2+离子浓度的影响:Cu2+是氧化剂,所以Cu2+的浓度是影响蚀刻速率的主要因素。研究铜浓度与蚀刻速率的关系表明:在0~82g/L时,蚀刻时间长;在82~120g/L时,蚀刻速率较低,且溶液控制困难;在135~165g/L时,蚀刻速率高且溶液稳定;在165~225g/L时,溶液不稳定,趋向于产生沉淀。2、氯化铵含量的影响:通过蚀刻再生的化学反应可以看出:[Cu(NH3)2]+的再生需要有过量的NH3和NH4Cl存在,如果溶液中缺乏NH4Cl,大量的[Cu(NH3)2]+得不到再生,蚀刻速率就会降低,以致失去蚀刻能力。所以,氯化铵的含量对蚀刻速率影响很大。随着蚀刻的进行,要不断补加氯化铵。ITO显影液在工业上来说,是针对半导体晶片而言。

ITO蚀刻液影响蚀刻速率的因素:酸性氯化铜蚀刻液。1、Cu2+含量的影响。溶液中的Cu2+含量对蚀刻速率有一定的影响。一般情况下,溶液中Cu2+浓度低于2mol/L时,蚀刻速率较低;在2mol/L时速率较高。随着蚀刻反应的不断进行,蚀刻液中铜的含量会逐渐增加。当铜含量增加到一定浓度时,蚀刻速率就会下降。为了保持蚀刻液具有恒定的蚀刻速率,必须把溶液中的含铜量控制在一定的范围内。2、Cu+含量的影响。根据蚀刻反应机理,随着铜的蚀刻就会形成一价铜离子。较微量的Cu+就会明显的降低蚀刻速率。所以在蚀刻操作中要保持Cu+的含量在一个低的范围内。ITO酸性氯化铜蚀刻液的蚀刻系数通常为3。杭州TIO去膜药水

ITO显影剂在使用中,显影剂与保护剂、促进剂、阻止剂等配成显影液使用。安徽TIO清洁药剂

ITO蚀刻液蚀刻过程中应注意的问题:减少侧蚀和突沿,提高蚀刻系数侧蚀产生突沿。通常印制板在蚀刻液中的时间越长,侧蚀越严重。侧蚀严重影响印制导线的精度,严重侧蚀将使制作精细导线成为不可能。当侧蚀和突沿降低时,蚀刻系数就升高,高的蚀刻系数表示有保持细导线的能力,使蚀刻后的导线接近原图尺寸。电镀蚀刻抗蚀剂无论是锡-铅合金,锡,锡-镍合金或镍,突沿过度都会造成导线短路。因为突沿容易断裂下来,在导线的两点之间形成电的桥接。安徽TIO清洁药剂

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