我司凭借深厚的技术积累，自主研发出高精密控温技术，精度高达 0.1% 的控制输出。温度波动值可实现±0.1℃、±0.05℃、±0.01℃、±0.005℃、±0.002℃等精密环境控制。该系统洁净度可实现百级、十级、一级。关键区域 ±5mK（静态）的温度稳定性，以及均匀性小于 16mK/m 的内部温度规格，为诸如芯片研发这类对温度极度敏感的项目，打造了近乎完美的温场环境，保障实验数据不受温度干扰。同时，设备内部湿度稳定性可达±0.5%@8h，压力稳定性可达+/-3Pa，长达 144h 的连续稳定工作更是让长时间实验和制造无后顾之忧。在洁净度方面，实现百级以上洁净度控制，工作区洁净度优于 ISO class3，确保实验结果的准确性与可靠性，也保障了精密仪器的正常工作和使用寿命。主要由设备主柜体、控制系统、气流循环系统、洁净过滤器、制冷(热)系统、照明系统、局部气浴等组成。四川环境选型
在电极制备环节，温湿度的不稳定会对电极材料的涂布均匀性造成极大干扰。温度过高，涂布用的浆料黏度降低，流动性增强，容易出现厚度不均的情况，这会使得电池在充放电过程中局部电流密度不一致，降低电池性能。湿度若偏高，浆料中的水分含量难以精细控制，水分过多不仅会改变浆料的化学性质，影响电极材料与集流体的附着力，还可能在后续干燥过程中引发气泡，导致电极表面出现孔洞，增加电池内阻，降低电池的能量密度和充放电效率。0.5℃环境设备金额采用先进的智能自控系统，根据监测数据自动调节环境参数，符合温湿度波动要求。
芯片蚀刻时，刻蚀速率的均匀性对芯片电路完整性至关重要。温度波动如同 “蝴蝶效应”，可能引发刻蚀过度或不足。精密环控柜稳定的温度控制，以及可达 ±0.5%@8h 的湿度稳定性，有效避免因环境因素导致的刻蚀异常，保障芯片蚀刻质量。芯片沉积与封装过程中，精密环控柜的超高水准洁净度控制发挥关键作用。其可实现百级以上洁净度控制，内部洁净度优于 ISO class3，杜绝尘埃颗粒污染芯片，防止水汽对芯片材料的不良影响，确保芯片沉积层均匀、芯片封装可靠。
激光干涉仪用于测量微小位移，精度可达纳米级别。温度波动哪怕只有 1℃，由于仪器主体与测量目标所处环境温度不一致，二者热胀冷缩程度不同，会造成测量基线的微妙变化，导致测量位移结果出现偏差，在高精度机械加工零件的尺寸检测中，这种偏差可能使零件被误判为不合格品，增加生产成本。高湿度环境下，水汽会干扰激光的传播路径，使激光发生散射，降低干涉条纹的对比度，影响测量人员对条纹移动的精确判断，进而无法准确获取位移数据，给精密制造、航空航天等领域的科研与生产带来极大困扰。可实现洁净度百级、十级，温度波动值±0.1℃、±0.05℃、±0.01℃、±0.005℃、±0.002℃等精密环境控制。
刻蚀的目的在于去除硅片上不需要的材料，从而雕琢出精细的电路结构。在这一精细操作过程中，温度的波动都会如同“蝴蝶效应”般，干扰刻蚀速率的均匀性。当温度不稳定时，硅片不同部位在相同时间内所经历的刻蚀程度将参差不齐，有的地方刻蚀过度，有的地方刻蚀不足，直接破坏芯片的电路完整性，严重影响芯片性能。湿度方面，一旦出现不稳定状况，刻蚀环境中的水汽会与刻蚀气体发生复杂的化学反应，生成一些难以预料的杂质。这些杂质可能会附着在芯片表面，或是嵌入刚刚刻蚀形成的微观电路结构中，给芯片质量埋下深深的隐患，后续即便经过多道清洗工序，也难以彻底根除这些隐患带来的负面影响。高精密温湿度控制设备内部湿度稳定性可达±0.5%@8h。真空镀膜机环境车间
磁屏蔽部分，可通过被动防磁和主动消磁器进行磁场控制。四川环境选型
设备运行静音高效是精密环控柜的又一优势。采用的 EC 风机，具备更高效、更强大、更安静的运行特点。相比传统风机，EC 风机能够在提供充足风量的同时，有效降低能耗，提高能源利用效率。制冷单元内部采用高效隔音材质，进一步降低设备噪音，使其运行噪音小于 45dB 。噪音作为一种能量对于生产过程存在难以忽视的影响，极低的噪音恰恰能防止设备收到干扰，影响生产环境。高效的运行则保证了设备能够快速、稳定地调节温湿度和洁净度，满足各类精密实验和生产的需求。四川环境选型
