深圳XBM2138赛芯内置MOS 两节锂保

芯纳科技针对物联网传感器行业的特点，提供定制化的技术服务，比如为客户提供赛芯 XR4981A 与传感器主板的集成方案指导，协助客户进行功耗测试和优化，帮助客户进一步提升传感器设备的续航能力。此外，芯纳科技还为客户提供完善的售后保障，若客户在使用赛芯 XR4981A 过程中出现质量问题，可享受 7 天无理由退换货服务，同时专业售后团队会全程跟进问题解决，确保客户的生产经营不受影响。另外，作为代理商，芯纳科技还能为客户提供更优惠的采购价格，相比非代理渠道，可为客户降低 10%-15% 的采购成本，帮助物联网传感器厂商提升产品竞争力。在输入端的NTC热敏电阻，是靠充电器的输入电流来加热，降低电阻。深圳XBM2138赛芯内置MOS 两节锂保

锂电池电量计芯片介绍定义与原理锂电池电量计芯片是一种用于监测和计算锂电池电量的集成电路。其原理通常是通过测量一个特定电阻两端的电压，将电压除以该电阻的阻值得到即时电流值，芯片内集成的取样电阻在流过不同电流时会产生不同压差，芯片对这个电压和时间进行积分，从而得到用户使用时的正确电量，常采用库仑计数法实现这一功能\应用场景随着各类智能移动终端的普及，电量计芯片的应用越发***，除了常见的手机、充电宝、无线耳机充电盒等设备，还包括电动汽车、储能系统等领域。例如，手机需要准确显示电池电量，电动汽车需要精确估算续航里程，这些都离不开电量计芯片。市场趋势目前电子产品往小型化、智能化发展，电量计量功能已被多种协议芯片、电源管理芯片所集成，很多产品出于成本及集成度考虑采用协议芯片中集成的电量计功能进行电量显示。但**的电量计芯片测量效果往往更好上海2L1EAE赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保6-7串锂电池保护NTC/PWM/SSOP16 多节锂电池保护——二级保护 XBM5772 。Series。

XBM4X30系列产品、3或4串电池组的二级保护芯片主要描述内置高精度的电压检测电路和延迟电路，是一款用于可充电电池组的二级保护芯片，通过检测电池包中每一节电芯的电压，为电池包提供过充电保护和过放保护1。功能特点高精度电池电压检测功能：过充电检测电压-（步进50mV），精度±25mV；过充电电压0-（步进50mV），精度±50mV；过放电检测电压-（步进100mV），精度±80mV；过放电电压0V-（步进100mV），精度±100mV1。保护延时内置可选：可根据不同应用场景选择合适的保护延时1。内置断线保护功能（可选）：增加了电池使用的安全性1。输出方式可选：有CMOS输出、N沟道开路漏级输出、P沟道开路漏级输出三种方式1。输出逻辑可选：动态输出H、动态输出。

赛芯 XR4981A，在便携式监控设备场景中表现稳定。便携式监控设备如随身摄像头、移动监控终端等，需要可靠的供电系统支持，赛芯 XR4981A 的高输入输出电压特性，能适配内置电池和外接电源。测试表明，该控制器在监控设备待机时功耗降低 30%，在录制 4K 视频时输出功率稳定，画面不会出现卡顿或中断。其小型化封装设计使监控设备体积缩小，便于隐蔽安装。在户外监控场景中，该控制器的防水防潮性能经过验证，在雨天仍能正常工作，确保监控设备的连续运行。合作企业表示，使用该控制器后，监控设备的故障率降低 9%，维护成本减少，为安防监控系统的灵活部署提供了保障。XL1507、XL1509、XL2596、XL2576。

物联网传感器作为物联网系统的 “感知”，广泛应用于智慧农业、工业监测、智能家居等领域，其对供电稳定性和低功耗的要求极高，而深圳市芯纳科技代理的赛芯 XR4981A 在该场景中表现出色。赛芯 XR4981A 具备低待机功耗特性，能有效降低物联网传感器的能耗，延长电池使用寿命，减少传感器更换电池的频率，尤其适用于安装在偏远地区、不易维护的物联网传感器设备。同时，该 IC 支持宽电压输入，可适配不同类型的供电电源，满足物联网传感器在复杂环境下的供电需求。作为赛芯 XR4981A 的代理商，深圳市芯纳科技的优势为物联网传感器厂商提供了支持。首先，在货源保障方面，芯纳科技与赛芯原厂建立了长期稳定的合作关系，拥有专属的货源渠道，可确保赛芯 XR4981A 持续稳定供应，避免因市场供需波动导致的缺货问题，保障物联网传感器厂商的批量生产需求。2~3串锂电保护 多节锂电保护芯片(三元/磷酸铁锂)XBM2138/XBM32XX 推挽。扬州DS6066赛芯原厂

2串 XBM2138 集成均衡/集成MOS 锂电池保护IC.深圳XBM2138赛芯内置MOS 两节锂保

   PCBLayout参考---两颗芯片并联两个同型号的锂电保护可以直接并联，实现几乎是直接翻倍的带载能力，降低内阻，提高效率，但布板清注意：①两个芯片尽量对称，直接跨接在B-和大地上。②B-和VM尽量大面积铺地，减小布线内阻和加强散热。③，每片锂电保护IC都需要一个。100Ω电阻**好共用一颗电阻，并且布的离VDD近些，尽量与两个芯片距离差不都。④VDD采样线可以略长些，也无需多粗，但需要绕开干扰源-VDD采样线里面没有大电流。PCBLayout参考---DFN1*1-4①DFN1*1-4封装较小，PCB板上，封装焊盘略大一些，避免虚焊。②，走线经过电阻后，先经过电容再到芯片的VDD。③电容的GND尽量短的回到芯片的GND，使整个电容环路**小。④芯片的GND（B-）到VM建议预留一个C2（）电容位置，C2电容可以提高ESD和抗干扰能力。⑤芯片的EPAD，建议连接芯片的GND（B-）或者悬空。深圳XBM2138赛芯内置MOS 两节锂保