广州XBM3204DBA赛芯集成MOS 两节锂保

    PCBLayout参考---两颗芯片并联两个同型号的锂电保护可以直接并联，实现几乎是直接翻倍的带载能力，降低内阻，提高效率，但布板清注意：①两个芯片尽量对称，直接跨接在B-和大地上。②B-和VM尽量大面积铺地，减小布线内阻和加强散热。③，每片锂电保护IC都需要一个。100Ω电阻**好共用一颗电阻，并且布的离VDD近些，尽量与两个芯片距离差不都。④VDD采样线可以略长些，也无需多粗，但需要绕开干扰源-VDD采样线里面没有大电流。PCBLayout参考---DFN1*1-4①DFN1*1-4封装较小，PCB板上，封装焊盘略大一些，避免虚焊。②，走线经过电阻后，先经过电容再到芯片的VDD。③电容的GND尽量短的回到芯片的GND，使整个电容环路**小。④芯片的GND（B-）到VM建议预留一个C2（）电容位置，C2电容可以提高ESD和抗干扰能力。⑤芯片的EPAD，建议连接芯片的GND（B-）或者悬空。 太阳能充电管理方案芯片。广州XBM3204DBA赛芯集成MOS 两节锂保

XBM2138内置MOS内置均衡器高精度电压检测电路和延时电路，用于2节串联锂离子/锂聚合物可再充电电池的保护。适合对2节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护。各延迟时间由内部电路设置（不需外接电容），连接充电器的端子采用高耐压设计（CS端子和OC端子，***额定值是33V），还具备向0V电池充电功能，可选择允许或禁止。内置MOS在高负载时可能发热，需优化PCB散热（如增加铜箔面积） 内置MOS，集成均衡功能天津XBM7101赛芯原厂充电管理芯片、LED驱动芯片、直流 - 直流转换芯片、温度开关芯片、电池放电管理芯片。

2串锂电池保护芯片介绍XBM3204XBM3214保护芯片功能基本保护功能：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流保护阈值调节：2串锂电池的保护芯片电路的过电流保护阈值由开关MOS管决定，如果觉得该阈值较小，可以将多个开关MOS管进行并联操作，以增大过流电流，将两节锂电池保护芯片电路和两节锂电池的充电电路连接在一起，可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路，锂电池就可以实现边充边放的功能

XBM2138QFA  移动电源应用 两串锂电池保护芯片介绍35W以内XBM2138QFA2串锂保集成MOS内置均衡：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流保护阈值调节：保护芯片功能基本保护功能：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流保护阈值调节，可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路，锂电池就可以实现边充边放的功能正极保护的锂电池保护方案。

 XBM4530系列产品内二级保护芯片、置高精度的电压检测电路和延迟电路，是一款用于可充电电池组的二级保护芯片，通过检测电池包中每一节电芯的电压，为电池包提供过充电保护和过放保护1。功能特点高精度电池电压检测功能：过充电检测电压-（步进50mV），精度±25mV；过充电电压0-（步进50mV），精度±50mV；过放电检测电压-（步进100mV），精度±80mV；过放电电压0V-（步进100mV），精度±100mV1。保护延时内置可选：可根据不同应用场景选择合适的保护延时1。内置断线保护功能（可选）：增加了电池使用的安全性1。输出方式可选：有CMOS输出、N沟道开路漏级输出、P沟道开路漏级输出三种方式1。输出逻辑可选：动态输出H、动态输出。移动电源soc芯片DS5136B+MPP无线充 （QI2.0）22.5W 单串移动电源+无线充.无锡XBM3360赛芯代理

带电池正负极反接保护的充电管理。广州XBM3204DBA赛芯集成MOS 两节锂保

    降压型C+CA多口快充SOC  DS2730数据手册—降压型C+CA多口快充SOC  DS2730集成了过压/欠压保护、过流保护、过温保护、短路保护功能。•过压/欠压保护：放电过程中，DS2730实时监测输入/输出电压，并和预设的阈值电压比较。如果电压高于过压阈值或低于欠压阈值，且维持时间达到一定长度时，芯片关闭放电通路。•过流保护：放电过程中，利用内部的高精度ADCADC，实时监测流经采样电阻的电流。当电流大于预设的过流阈值时，首先降低输出功率；如果降低功率后仍然持续过流，则触发过流保护，芯片自动关闭放电通路。•过温保护：放电过程中，利用连接在TS管脚上的NTCNTC，实时监测芯片自身的温度或应用方案中关键元件的温度（例如，MOS管）。当温度超出预设的保护门限时，降低放电功率。•短路保护：放电过程中，实时检测VBUS的电压和放电电流。发生VBUSBUS输出短路时，自动关闭放电通路。 广州XBM3204DBA赛芯集成MOS 两节锂保