北京透明带穿孔压电转基因

什么是压电陶瓷呢？其实它是一能够将机械能和电能互相转换的功能陶瓷材料。所谓压电效应是指某些介质在受到机械压力时，哪怕这种压力微小得像声波振动那样小，都会产生压缩或伸长等形状变化，引起介质表面带电，这是正压电效应。反之，施加激励电场，介质将产生机械变形，称逆压电效应。1880年法国人居里兄弟发现了“压电效应”。1942年，***个压电陶瓷材料——钛酸钡先后在美国、前苏联和日本制成。1947年，钛酸钡拾音器——***个压电陶瓷器件诞生了。50年代初，又一种性能**优于钛酸钡的压电陶瓷材料--锆钛酸铅研制成功。从此，压电陶瓷的发展进入了新的阶段。60年代到70年代，压电陶瓷不断改进，逐趋完美。如用多种元素改进的锆钛酸铅二元系压电陶瓷，以锆钛酸铅为基础的三元系、四元系压电陶瓷也都应运而生。这些材料性能优异，制造简单，成本低廉，应用***。利用压电陶瓷将外力转换成电能的特性，可以制造出压电点火器、移动X光电源、炮弹***装置。用两个直径3毫米、高5毫米的压电陶瓷柱取代普通的火石，可以制成一种可连续打火几万次的气体电子打火机。PMM PIEZO-ICSI是一种先进的技术，用于辅助生殖医学领域的人工受孕过程。北京透明带穿孔压电转基因

压电效应可分为正压电效应和逆压电效应。

正压电压电效应是指：当晶体受到某固定方向外力的作用时,内部就产生电极化现象,同时在某两个表面上产生符号相反的电荷；当外力撤去后，晶体又恢复到不带电的状态；当外力作用方向改变时，电荷的极性也随之改变；晶体受力所产生的电荷量与外力的大小成正比。压电式传感器大多是利用正压电效应制成的。

逆压电是指对晶体施加交变电场引起晶体机械变形的现象。用逆压电效应制造的变送器可用于电声和超声工程。压电敏感元件的受力变形有厚度变形型、长度变形型、体积变形型、厚度切变型、平面切变型5种基本形式。压电晶体是各向异性的，并非所有晶体都能在这5种状态下产生压电效应。例如石英晶体就没有体积变形压电效应，但具有良好的厚度变形和长度变形压电效应。 日本压电“PIEZO PMM 6”是一种压电显微操作系统，作为压电注射的先驱，投入了大量的资源进行其研发。

压电陶瓷是功能陶瓷中应用极广的一种。日常生活中很多人使用的“电子打火机”和煤气灶上的电子点火器，就是压电陶瓷的一种应用。点火器就是利用压电陶瓷的压电特性，向其上施加力，使之产生十几kV的高电压，从而产生火花放电，达到点火的目的。压电陶瓷实际上是一种经过极化处理的、具有压电效应的铁电陶瓷。它是在1946年当有人证实了钛酸钡陶瓷有铁电性之后开始问世的：差不多十年之后，贾菲（Jaffe）等又发现了PbTi03-PbZrO2系（即所谓PZT系）及后来又发现的mPZT为基的三元系压电陶瓷和铌酸盐系压电陶瓷。使压电陶瓷的性能和可应用性有了极大的提高。特别是三元系压电陶瓷的出现，使压电陶瓷在选择一定耦合系数、温度特性方面有了较大的余地，能满足多种电子仪器的要求，从而使压电陶瓷的应用范围**增加了。例如陶瓷滤波器和陶瓷鉴频器，电声换能器，水声换能器，声表的波器件，电光器件，红外探测器件和压电陀螺等，都是压电陶瓷在现代电子技术中的应用。

已有的流行病学研究显示，单精子胞浆注射技术(Intracytoplasmic sperm injection,ICSI)可能导致出生小孩泌尿系统疾病的发生率增加.印记基因印记状态的改变与泌尿系统疾病相关，而ICSI操作正是发生在印记基因甲基化重新建立的关键时期，所以本研究的目的是研究ICSI技术对小鼠肾脏印记基因表达及甲基化状况的影响，从分子水平上研究ICSI技术对子代泌尿系统的影响，建立ICSI小鼠模型，以2-细胞移植组和自然妊娠组为对照，分别取10周，1.5年小鼠肾脏，用real-time RT-PCR的方法测定h19,igf2,mest,peg3和snrpn的mRNA表达水平，对h19和snrpn进一步用亚硫酸盐测序方法测定甲基化水平.我们的结果显示***促排卵和单精子胞浆注射都能影响h19,mest,peg3和snrpn的mRNA表达水平，而mRNA表达水平的改变主要不是通过甲基化调控，提示ICSI操作确实会导致子代肾脏印记基因表达水平的改变，而引起这种改变的机制还需要进一步研究。PMM 6 MB-U-2高力度输出型号，它可进行克隆和ICSI等方面的许多操作。

在正常受精过程中，精子进入卵子后，会导致卵细胞内的钙离子浓度发生持续数小时的周期性的短暂升高，这个过程被称为卵子的“钙震荡”，钙震荡会引发大量生化反应事件，代谢活动重新活跃起来，这个过程称为卵子***。精子***后的卵子会发生一系列的变化，包括细胞内钙离子浓度升高，皮质反应，透明带反应等，然后卵子完成第二次减数分裂，排出第二极体，开启后续的胚胎发育过程。第二代试管婴儿（ICSI）授精后，成熟卵子见不到2原核的受精标志，称为ICSI完全受精失败。ICSI受精失败在ICSI周期中比例约为1%-3%，其中30%的夫妇会发生反复持续的受精失败，是临床中极其棘手的难题。即使是经验丰富的胚胎学家，也无法避免这种情况。卵母细胞***失败是ICSI受精失败的主要原因之一。通过使用PMM PIEZO-ICSI，医生可以更加精确地进行受精操作，提高受孕成功率，为患者创造更多的生命奇迹。北京压电PMM 6U

PRIME TECH PMM 6可用于DNA注射。北京透明带穿孔压电转基因

Piezo-ICSI程序:

使用直径100-mm的细胞培养皿上盖,准备操作盘；按照Piezo操作系统的要求，将4μL左右的汞从后部装入注射针中，轻轻将汞推至针尖处，在20-25℃室温下，准备进行显微操作。具体操作前，首先取10枚卵母细胞置于15L含3 % suerose的HEPES-CZB操作滴中备用；然后将2.5μL精子溶液与5pLHEPES-CZB+ 12 % PVP-360操作滴充分混合；再将单个精子从尾部吸入注射针，用Piezo脉冲从颈部断开头和尾；连续剪切5个精子后，将吸入全部精子头的注射针转移到放置卵母细胞的操作滴中，准备将精子头逐个注射至卵母细胞质中。注射时，从时钟9点的方向吸住卵母细胞，使纺锤体保持在6点或12点的位置，从3点的方向轻轻进针，同时用Piezo脉冲击穿透明带，将透明带碎片吹出注射针的同时，将精子头吹至针尖处，继续进针，直至针尖插入卵母细胞深处，几乎贴近对侧质膜时，用Piezo弱脉冲击穿卵母细胞质膜，将精子头吐出，回吸注入卵内多余的操作液，轻轻退针，完成一次注射。依次操作，尽快实现该批卵母细胞的注射，室温放置5min,然后用大量CZB溶液洗涤ICSI胚胎，并且移入CO₂箱培养。依法进行第二批卵母细胞的精子头注射，在注射HCG后17 h,完成全部卵母细胞的精子注射。 北京透明带穿孔压电转基因