电容基本参数
  • 品牌
  • 芯声
  • 型号
  • 齐全
  • 介质材料
  • 高频瓷介,半导体瓷,低频瓷介
  • 工作电压
  • 高压,中压,低压
  • 用途
  • 谐振,温度补偿,旁路,滤波,隔直流,耦合,放大信
  • 调节方式
  • 固定,微调,可变
  • 厂家
  • 江苏芯声微电子科技有限公司
电容企业商机

陶瓷电容器的起源:1900年,意大利人L.longbadi发明了陶瓷介质电容器。20世纪30年代末,人们发现在陶瓷中加入钛酸盐可以使介电常数加倍,从而制造出更便宜的陶瓷介质电容器。1940年左右,人们发现陶瓷电容器的主要原料BaTiO3(钛酸钡)具有绝缘性,随后陶瓷电容器开始用于尺寸小、精度要求高的电子设备中。陶瓷叠层电容器在1960年左右开始作为商品开发。到1970年,随着混合集成电路、计算机和便携式电子设备的发展,它迅速发展起来,成为电子设备中不可缺少的一部分。目前,陶瓷介质电容器的总数量约占电容器市场的70%。陶瓷电容器品种繁多,外形尺寸相差甚大从0402(约1×0.5mm)。上海高频陶瓷电容厂家直销

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引线结构的电解电容器:引线结构电解电容器也采用“负极标记”,即套管的“-”标记对应的引线为负极。还有就是根据引线的长度来识别,长引线为正,短引线为负。片式铝电解电容器片式铝电解电容器没有套管,所以容量、电压、正负极的信息都印在铝壳的底部。了解电解电容的判断方法。电解电容器常见的故障有容量降低、容量消失、击穿短路和漏电,其中容量变化是由于电解电容器中的电解液在使用或放置过程中逐渐变干引起的,而击穿和漏电一般是由于外加电压过大或质量不良引起的。万用表的阻值一般用来判断电源电容的好坏测量。中国台湾贴片电容电阻哪家便宜铝电解电容器由于在负荷工作过程中电解液不断修补并增厚阳极氧化膜(称为补形效应),会导致电容量的下降。

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频率特性:电参量随电场频率一起变化的。高频率工作的电容,其介电常数比低频率时小,因此高频电流比低频率时低。频率越高,损耗也越大。此外,在高频率工作时,电容器的分布参数,如极片电阻、导线与极片之间的电阻等,都会对电容的性能产生影响。这一切,使电容器的使用频率受到限制。绝缘电阻:表示漏电流大小。通常,容量较小的电容,绝缘电阻可达数百兆欧姆或数千兆欧姆。电解电容一般是绝缘电阻小。相对来说,绝缘电阻越大,漏电流越小。

电容容量,普通陶瓷电容的电容范围:0.5pF~100uF。陶瓷的电容从0.5pF开始可以达到100uF,根据不同的电容封装(尺寸)电容会有所不同。在选择电容器时,不能盲目选择大容量。选对了才是对的。比如0402电容可以做到10uF/10V,0805电容可以做到47uF/10V。但为了采购好,成本低,一般不选择电容。一般建议0402选用4.7uF-6.3V,0603选用22uF/6.3,0805选用47uF/6.3V。其他更高的耐受电压需要相应降低。如果满足要求,选择主要看是否常用,价格是否低廉。额定电压陶瓷电容器常见的额定电压有:2.5V、4V、6.3V、10V、16V、25V、50V、63V、100V、200V、250V、450V、500V、630V、1KV、1.5KV、2KV、2.5KV、3KV等。MLCC成为使用数量较多的电容。

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铝电解电容器的击穿是由于阳极氧化铝介质膜破裂,导致电解液与阳极直接接触。氧化铝膜可能由于各种材料、工艺或环境条件而局部损坏。在外加电场的作用下,工作电解液提供的氧离子可以在受损部位重新形成氧化膜,从而对阳极氧化膜进行填充和修复。但如果受损部位有杂质离子或其他缺陷,使填充修复工作不完善,阳极氧化膜上会留下微孔,甚至可能成为通孔,使铝电解电容器击穿。阳极氧化膜不够致密牢固等工艺缺陷,后续铆接工艺不好时,引出箔上的毛刺刺破氧化膜,这些刺破的部位漏电流很大,局部过热导致电容产生热击穿。MLCC 它是电子信息产业较为重要的电子元件之一。宿迁压电陶瓷电容规格

MLCC即多层陶瓷电容器,也可简称为片式电容器、积层电容、叠层电容等,属于陶瓷电容器的一种。上海高频陶瓷电容厂家直销

电容允许偏差:这个上期我们讲安规电容的作用时又提起过,顾名思义,这就是电容的较大允许偏差范围。常用的容量误差为:J表示允许偏差±5%,K表示允许偏差±10%,M表示允许偏差±20%。额定工作电压:在电路中能长时间稳定、可靠地工作,并能承受较大直流电压,也叫耐压。对结构、容量一样的电子器件,耐压越高,体积越大。损耗:贴片陶瓷电容在电场的作用下,由于每单位时间产生热量而消耗能量。这种损失主要来源于介质损失和金属损失。一般都是以损耗角正切值表示的。上述就是关于贴片陶瓷电容的一些基本常识,想要了解更多电容相关咨询的,可关注江苏芯声微电子科技。上海高频陶瓷电容厂家直销

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