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可控硅模块基本参数
  • 产地
  • 山东淄博
  • 品牌
  • 正高
  • 型号
  • 多种型号
  • 是否定制
可控硅模块企业商机

接下来需要检测的是控制极与阴极之间的PN结是否损坏。我们可以用万用表的R×1k或R×10k挡测阳极与控制极之间的电阻,正反向测量阻值均应几百千欧以上,若电阻值很小表明可控硅击穿短路。用R×1k或R×100挡,测控制极和阴极之间的PN结的正反向电阻在几千欧左右,如出现正向阻值接近于零值或为无穷大,表明控制极与阴极之间的PN结已经损坏。反向阻值应很大,但不能为无穷大。正常情况是反向阻值明显大于正向阻值。

  如果想要判断可控硅是否已经被击穿损坏,工程师可以使用万用表选电阻R×1挡,然后将黑表笔接阳极,红表笔仍接阴极,此时万用表指针应不动。红表笔接阴极不动,黑表笔在不脱开阳极的同时用表笔尖去瞬间短接控制极,此时万用表电阻挡指针应向右偏转,阻值读数为10欧姆左右。如阳极接黑表笔,阴极接红表笔时,万用表指针发生偏转,说明该单向可控硅已击穿损坏。 淄博正高电气有限公司产品适用范围广,产品规格齐全,欢迎咨询。潍坊高压可控硅模块组件

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一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件,创制于1957年,由于它特性类似于真空闸流管,所以国际上通称为硅晶体闸流管,简称晶闸管T。又由于晶闸管开始应用于可控整流方面所以又称为硅可控整流元件,简称为可控硅SCR。

在性能上,可控硅不仅具有单向导电性,而且还具有比硅整流元件(俗称“死硅”)更为可贵的可控性。它只有导通和关断两种状态。

可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备,如果超过此频率,因元件开关损耗明显增加,允许通过的平均电流相降低,此时,标称电流应降级使用。

可控硅的优点很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍数高达几十万倍;反应极快,在微秒级内开通、关断;无触点运行,无火花、无噪音;效率高,成本低等等。

可控硅的弱点:静态及动态的过载能力较差;容易受干扰而误导通。

可控硅从外形上分类主要有:螺栓形、平板形和平底形。 威海小功率可控硅模块淄博正高电气有限公司以***,高质量的产品,满足广大新老用户的需求。

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可控硅模块的应用领域

该智能模块应用于控温、调光、励磁、电镀、电解、充放电、电焊机、等离子拉弧、逆变电源等需对电力能量大小进行调整和变换的场合,如工业、通讯、**等各类电气操控、电源等,依据还可经过模块的操控端口与多功用操控板联接,结束稳流、稳压、软启动等功用,并可结束过流、过压、过温、缺持平维护功用。

可控硅模块的操控办法

经过输入模块操控接口一个可调的电压或许电流信号,经过调整该信号的大小即可对模块的输出电压大小进行滑润调度,结束模块输出电压从0V至任一点或悉数导通的进程。

电压或电流信号可取自各种操控外表、核算机D/A输出,电位器直接从直流电源分压等各种办法;操控信号选用0~5V,0~10V,4~20mA三种对比常用的操控办法。

可控硅模块的使用注意事项

1.在选择可控硅模块的额定电流时,应注意的是,除考虑通过元件的平均电流外,还必须注意正常运行过程中传导角的大小、散热和通风条件等因素,同时,管壳的温度不得超过相应电流的允许值。

2.使用可控硅模块时,使用万用表检查可控硅模块是否处于良好状态,如有短路或断路,应立即更换。

3.严禁使用兆欧表来检查部件的绝缘情况。

4.率大于5A的可控硅模块,应安装散热器,并保证规定的冷却条件。同时,为保证散热器与可控硅模块管芯接触良好,应在两者之间涂一层有机硅油或硅脂,以利于更好的散热。

5.根据规定,主电路中的可控硅模块采用过电压和过电流保护装置。

6.防止控制极正向过载和反向击穿。 淄博正高电气有限公司得到市场的一致认可。

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可控硅模块是有PNPN四层半导体构成的元件,有三个电极,阳极a,阴极K和控制机G所构成的。

可控硅模块的应用领域模块应用详细说明介绍:

可控硅模块应用于控温、调光、励磁、电镀、电解、充放电、电焊机、等离子拉弧、逆变电源等需对电力能量大小进行调整和变换的场合,如工业、通讯、**等各类电气控制、电源等,根据还可通过可控硅模块的控制端口与多功能控制板连接,实现稳流、稳压、软启动等功能,并可实现过流、过压、过温、缺相等保护功能。 淄博正高电气有限公司品牌价值不断提升。潍坊高压可控硅模块组件

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正高可控硅分单向可控硅、双向可控硅。单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚。双向可控硅有两个阳极:一阳极A1(T1),二阳极A2(T2)、控制极G三个引出脚。

  只有当单向可控硅阳极A与阴极K之间加有正向电压,同时控制极G与阴极间加上所需的正向触发电压时,方可被触发导通。此时A、K间呈低阻导通状态,阳极A与阴极K间压降约1V。单向可控硅导通后,控制器G即使失去触发电压,只要阳极A和阴极K之间仍保持正向电压,单向可控硅继续处于低阻导通状态。只有把阳极A电压拆除或阳极A、阴极K间电压极性发生改变(交流过零)时,单向可控硅才由低阻导通状态转换为高阻截止状态。单向可控硅一旦截止,即使阳极A和阴极K间又重新加上正向电压,仍需在控制极G和阴极K间有重新加上正向触发电压方可导通。单向可控硅的导通与截止状态相当于开关的闭合与断开状态,用它可制成无触点开关。 潍坊高压可控硅模块组件

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