山东氮化镓芯片工艺定制开发

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院的高功率密度热源产品由热源管芯和热源集成外壳组成，并采用了先进的厚金技术。热源管芯的背面可以与任意热沉进行金锡等焊料集成，也满足与外壳集成后，在任意热沉进行机械集成。这种灵活的设计使得热源可以根据客户的要求进行定制，尺寸可以进行调整。这款高功率密度热源产品适用于微系统或微电子领域的热管、微流以及新型材料的散热技术开发。同时，它还可以对热管理技术进行定量的表征和评估。公司可以根据客户的需求，设计和开发各种热源微结构及其功率密度。这款产品不仅具有高功率密度，还具有良好的可定制性和适应性。芯谷高频研究院自主研发的太赫兹固态器件及单片集成电路，频率覆盖包括140GHz、220GHz、300GHz、340GHz等。山东氮化镓芯片工艺定制开发

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司具备较强的异质异构集成技术研发实力和研发基础，公司的研发团队具备深厚的专业知识和丰富的实践经验。通过不断的探索，公司在异质异构集成技术领域取得了重要的突破和进展。在异质异构集成技术方面，公司一直致力于进一步提升产品性能和降低成本，通过对不同材料和结构的理解和应用，实现了不同材料、不同元器件的集成，突破了传统器件的限制，显著提高了产品的性能。公司拥有先进的异质异构集成科研设施和研发平台，为科研人员提供了良好的条件和环境。在这里，研发人员可以充分发挥创造力和智慧，开展深入的研究和实验，不断推进技术的突破和创新。公司与多家高校和科研机构建立了长期稳定的合作关系，共同开展科学研究和成果转化，为公司的发展提供源源不断的动力。辽宁SBD芯片开发芯谷高频研究院提供定制化GaAs/InP SBD太赫兹集成电路芯片技术开发服务，该芯片电路工作频段达到1.5THz。

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供异质集成技术开发服务，公司拥有完善的表面处理、键合、转印、粘片、减薄、CMP、腐蚀等工艺技术，具有丰富的材料、器件、电路异质异构集成经验，在集成技术服务方面，可为客户提供定制化集成方案设计和集成工艺开发，在集成芯片制造方面，为客户提供定制化集成器件和芯片制造，异质异构集成技术通过不同材料、器件、工艺和功能的有机融合，是后摩尔时代微电子持续发展的重要途径之一。

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司公共技术服务平台除了提供各类专业技术服务外，还可以提供微组装服务。微组装是一种非常精密和复杂的技术，需要较高的技能和专业的设备来完成。而南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司公共技术服务平台正是以其专业的团队和先进的设备，为客户提供微组装服务。微组装技术广泛应用于电子、医疗、光学、机械等领域，对材料的性能和组件的精确度具有较高的要求。南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司公共技术服务平台拥有一支专业的技术团队，具备精湛的技术和丰富的经验。同时，平台还引入了先进的微组装设备，保证了产品的质量。芯谷高频研究院的热物性测试仪产品能够准确、高效地测试材料的热物性，为研究人员提供数据支撑。

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供大功率GaN微波/毫米波/太赫兹二极管技术开发服务，该系列大功率GaN微波毫米波太赫兹二极管器件产品具有耐功率、高速等优势，工作频率涵盖1GHz~300GHz，截止频率达600GHz；可用于接收端的大功率限幅，提高抗干扰能力；可用于无线输能或远距离无线充电，可大幅提高整流功率和效率，实现装置的小型化；用于太赫兹系统，可提高太赫兹固态源输出功率，实现太赫兹源小型化，为6G通信等未来应用奠定基础。芯谷高频研究院可进行Si、GaAs、InP、SiC、GaN、石墨烯以及碳纳米管等半导体器件的工艺流片。湖南氮化镓芯片工艺技术服务

芯谷高频研究院在背面工艺方面，拥有键合机、抛光台、磨片机等，可以进行晶片的减薄、抛光以及划片工艺。山东氮化镓芯片工艺定制开发

    南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司具备先进的CVD用固态微波功率源技术。CVD技术是一种关键的制备技术，它通过气相反应直接在衬底上生长薄膜，是许多重要材料的制备技术之一。而固态微波功率源则是CVD设备重要组成部分。研究院的固态微波功率源，其技术先进，性能优良，可以广泛应用于化学/物理/电子束气相沉积和磁控溅射等各领域。该技术的应用前景十分广阔。在催化反应、材料制备等领域，CVD已是一种通行的制备技术。该技术的优势不仅在于制备的薄膜质量高，而且操作简单，可实现大规模制备，制备出的薄膜可广泛应用于热电转换器、光学设备、导电薄膜和光伏电池等领域。研究院在CVD用固态微波功率源技术上的研究和应用，将极大地推动该技术的发展并扩大其应用范围。研究院的技术实力，丰富的经验以及创新精神，将为该行业的进一步发展奠定坚实的基础。 山东氮化镓芯片工艺定制开发