思捷光电注重产品操作体验，采用工业级 OLED 显示屏，同时展示温度、信号强度、设备状态等信息，强光下清晰可见。按键布局简洁，通过 “SET” 键可快速切换单色 / 双色模式、调整发射率与响应时间，支持掉电参数保存。带视频瞄准的机型实现 “所见即所测”，以太网接口支持远程监控与参数设置，适配工业自动化管控需求，降低操作门槛。思捷光电建立完善的质量管理体系，通过 ISO9001、ISO14001 等多项认证。生产环节拥有 EMC 测试平台、老化测试平台与无尘实验室，零部件经严格筛选，成品用 - 50℃~3000℃标准黑体校准。与高校、各行业合作优化技术，多款产品获 “常州市高新技术产品” 认定。从设计、装配到检验的全环节管控，确保每台设备符合高精度与高稳定性要求。双色测温仪通过两波长能量比值确定温度。无锡在线式高温计原理
炼钢阶段的连铸与二次加热环节，对温度精度要求更高。连铸过程中，钢水温度需严格控制，EX-SMART系列光纤双色仪（350℃~3300℃）1ms超快速响应，能及时捕捉钢水温度波动，三模式测温确保数据准确，避免因温度不当导致的铸坯缺陷。二次加热环节，STRONG-GR系列（250℃~2600℃）适配中高温需求，双色技术抗氧化层干扰，准确控制加热温度，为后续轧制做好准备。轧钢环节涵盖型钢轧制、线棒材加工等，STRONG系列双色仪（如STRONG-GR-4020，400℃~2000℃）距离系数100:1，绿色LED瞄准快速定位轧件，实时监测轧制温度，避免因温度不均导致的轧件变形，助力企业生产高质量钢材产品。汕头国产高温计国产准确度 0.1℃！思捷测温仪，细节控工业人的菜！
EX-SMART-F 系列光纤式双色红外测温仪，在功能配置上，它支持双色、单色宽波段（1CB）、单色窄波段（1CS）三种测温模式，主屏与小屏可同步显示不同模式下的实时温度，满足多样化测量需求。配备红色激光瞄准（800℃以下建议关闭以避免影响精度），搭配手动可调焦镜头（焦距 0.15m~5m），准确定位被测目标。同时，具备镜头脏检测功能，当双色信号能量百分比低于设定值（默认 30%）时，PNP 输出 DC24V 报警，提醒及时清洁。丰富的通讯与输出接口（3 路模拟量、RS485/RS232）支持设备联网与数据上传，广泛应用于激光加热、等离子体加热、半导体长晶炉等高精度、复杂环境的温度监测
玻璃熔融需在1400℃~1600℃高温下进行，炉内玻璃液流动、挥发物多，传统测温方式难以实时准确监测。思捷针对玻璃行业推出红外测温仪解决方案，覆盖熔炉、成型、钢化全流程。玻璃熔炉（1400℃~1600℃）采用STRONG-SR-7016双色测温仪，叠层硅探测器适配高温段，(0.7~1.08)μm/1.08μm波长可穿透炉内挥发物，200:1距离系数远程监测玻璃液表面温度，双色模式不受炉内粉尘干扰，测量精度±0.5%T，确保熔融温度稳定，减少气泡与结石缺陷。玻璃成型过程（600℃~1000℃）选用STRONG-GR-3514，350℃~1400℃量程适配中低温，InGaAs探测器对玻璃低发射率（0.6~0.8）适应性强，视频瞄准准确定位成型模具温度，避免成型偏差。钢化玻璃工艺（200℃~700℃）用MARS-EXG系列，150℃~1200℃量程，扩展型InGaAs探测器抗钢化炉内热风干扰，实时监测玻璃冷却速度。某玻璃厂应用后，玻璃成品缺陷率下降4.5%，钢化强度提升15%。一按就测，红外测温仪效率快。
光伏单晶硅生产中，从铸锭、拉晶到切片，温度控制直接影响硅料纯度与晶体结构，进而决定光伏组件转换效率。思捷光电针对单晶硅生产全流程，提供多系列红外测温仪解决方案，覆盖单晶硅铸锭炉、单晶炉及晶圆加工环节。单晶硅铸锭炉（800℃~1600℃）采用STRONG-SR-6016双色测温仪，60:1距离系数适配炉体结构，双色模式不受炉内硅蒸汽与石墨粉尘干扰，测量精度±0.5%T，确保铸锭过程温度均匀。单晶炉拉晶环节（1400℃~2000℃）选用MARS-G-3530单色测温仪，InGaAs探测器适配中高温段，100:1距离系数准确测量硅熔体界面温度，5ms响应捕捉拉晶速度变化时的温度波动。晶圆加工的薄膜沉积工艺（300℃~800℃）则用STRONG-GR-2512，250℃~1200℃量程适配低温段，窄带红外滤片减少薄膜材料发射率变化影响。整套方案支持数据存储与曲线分析，帮助企业优化工艺参数，某光伏企业应用后，单晶硅片转换效率提升0.3%，原料损耗降低2.5%。STRONG 系列响应时间 5ms~99.99s 可调。辽阳有哪些高温计售后服务
思捷拥有 “高污染环境红外测温系统” 实用新型专利。无锡在线式高温计原理
半导体制造对温度精度要求极高，思捷光电提供覆盖晶圆加工、薄膜沉积、长晶等环节的精密测温方案。晶圆加工阶段，蚀刻与沉积温度需控制在±1℃以内，EX-SMART系列光纤双色仪（350℃~3300℃）以1ms响应捕捉温度细微变化，三模式测温对比分析数据，抗电磁干扰设计适配光刻机等设备。第三代半导体长晶炉测温选用STRONG-SR系列双色仪（700℃~3200℃），准确监测炉内温度，形成工艺曲线，保障晶体质量；薄膜沉积环节，MARS-G系列（300℃~2500℃）监测沉积温度，确保薄膜厚度均匀。设备支持以太网通讯，与半导体自动化系统联动，实现温度闭环控制，提升产品良率。无锡在线式高温计原理
