TO247单管并联,市场上也有少量使用TO247单管封装的电控系统方案。使用单管并联方案的优势主要有两点:①单管方案可以实现灵活的线路设计,需要多大的电流就用相应的单管并联就好了,所以成本也有一定优势;②寄生电感问题比IGBT模块好解决。但是使用单管并联也存在一些待解决的难点:①每个并联单管之间均流和平衡比较困难,一致性比较难得到保障,例如实现同时的开断,相同的电流、温度等;②客户的系统设计、工艺难度非常大;③接口比较多,对产线的要求很高。IGBT自动化设备实现了IGBT模块封装过程的高度可重复性。一体化共晶真空炉规格
SiC宽禁带半导体功率器件更高的开关频率,可以降低无源器件的重量,占用的封装体积也更小,因此可以提高功率器件的功率密度,同时SiC器件具有更高的热导率,可以更高效的把芯片耗散热排出。然而,SiC器件越来越高的电压等级和开关速度也给器件封装带来巨大的挑战。目前现有封装技术的不适配是摆在高压SiC器件应用面前的一道屏障。SiC芯片尺寸小,厚度更薄,而电压等级提高,需要特别关注封装中涉及芯片、基板以及输出端子等薄弱点的电气绝缘问题,如10kVSiCMOSFET的芯片厚度只有100μm,平均电场强度达到100kV/mm,而对于1.7kV的SiIGBT,芯片厚度为210μm,而平均电场强度只有8.1kV/mm。专业共晶真空炉厂家IGBT自动化设备的动态测试能够辅助优化器件的设计和生产工艺。
芯片下表面焊接连接,上表面采用载银硅树脂连接,以进一步降低热机械应力。栅极端子与聚酰亚胺柔性电路板连接。通过空气实现散热器与环境间的电气绝缘。芯片两侧的基板表面为翅片状热沉的连接提供了平台,可使用介电流体(如空气)进行冷却,该PCoB双面风冷模块具有与液冷等效的散热性能。研究表明,采用该封装的1200V/50ASiC肖特基二极管在空气流速为15CFM的条件下测试得到模块结到环境的热阻只为0.5℃/W。在没有散热措施时,结到环境的热阻也低于5℃/W。而对于类似大小的芯片,采用25mil的AlN陶瓷基板和12mil的镀镍铜底板封装的传统功率模块的结壳热阻已达到约0.4℃/W。将该模块通过导热脂连接在液冷散热板上,结到冷却液体的热阻为0.6~1℃/W。表明该PCoB双面空冷模块具有与传统液冷模块相当的热性能。
TFC金属化是一种在AlN陶瓷基板上制作铜膜的过程,它通过使用铜浆料和丝网印刷技术,将铜浆料均匀地涂布在基板上。在涂布完成后,通过850℃真空烧结处理,使铜膜与基板牢固结合,并形成TFC覆铜AlN基板。DBC金属化则是一种将AlN基板与铜箔进行冶金结合的制作方法。首先将AlN基板与铜箔精确对齐,然后将它们装配在一起,施加一定的压力。随后,在控制炉内氧分压的情况下,将温度加热至1065℃,使得铜箔表面的氧化物薄层与AlN基板表面氧化产生的三氧化二铝(Al2O3)发生化学反应,生成一种称为CuAlO2的化合物。这种化合物将铜箔和AlN基板紧密地结合在一起,形成冶金结合。而AMB金属化是一种在AlN表面制作铜膜的另一种方法。首先,在AlN表面涂布一层含有银(Ag)、铜(Cu)和钛(Ti)的焊膏,然后覆盖一层铜箔。接下来,将样件置于真空环境中,加热至890℃并保持一段时间,这样就可以使AlN表面上的焊膏与铜箔发生反应,形成一层坚固的铜膜。这样制作的覆铜AlN基板具有良好的导热性能,可用于高功率电子器件的封装。IGBT自动化设备利用X光缺陷检测技术,筛选出合格的半成品,确保产品质量。
半导体技术的进步使得芯片的尺寸得以不断缩小,倒逼着封装技术的发展和进步,也由此产生了各种各样的封装形式。当前功率器件的设计和发展具有低电感、高散热和高绝缘能力的属性特征,器件封装上呈现出模块化、多功能化和体积紧凑化的发展趋势。为实现封装器件低电感设计,器件封装结构更加紧凑,而芯片电压等级和封装模块的功率密度持续提高,给封装绝缘和器件散热带来挑战。在有限的封装空间内,如何把芯片的耗散热及时高效的释放到外界环境中以降低芯片结温及器件内部各封装材料的工作温度,已成为当前功率器件封装设计阶段需要考虑的重要问题之一。通过功能测试,IGBT自动化设备能够检验产品的性能,确保符合工厂标准。江西静态测试网带式气氛烤炉
功率端子键合环节中,IGBT自动化设备能够实现端子的稳固连接。一体化共晶真空炉规格
芯片背面可通过焊层与DBC基板连接。芯片封装上下两个外表面均为平面,可在两侧分别连接热沉进行冷却。研究表明,器件功率损失在5~300W范围内时,与键合线连接的单面液冷相比,嵌入式封装双面液冷热阻可降低45%~60%。且随着冷却流体流速的增加,散热效果更加明显。因此,使用嵌入式功率芯片封装的双面液体对流散热是改善功率半导体器件散热的可行且有效方案。与常规芯片封装相反,将芯片正面连接在DBC上,芯片背面通过铜夹引出,即可实现芯片的倒装封装,实现芯片两个表面散热。一体化共晶真空炉规格