低压化学气相淀积系统（LPCVD。LowPressureChemicalVaporDepositionSystem）设备名称：低压化学气相淀积系统设备功能：把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入LPCVD设备的反应室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜。主要企业（品牌）：国际：日本日立国际电气公司......国内：上海驰舰半导体科技有限公司、中国电子科技集团第四十八所、中国电子科技集团第四十五所、北京仪器厂、上海机械厂......6、等离子体增强化学气相淀积系统（PECVD，PlasmaEnhancedCVD）设备名称：等离子体增强化学气相淀积系统设备功能：在沉积室利用辉光放电，使其电离后在衬底上进行化学反应，沉积半导体薄膜材料。主要企业（品牌）：国际：美国ProtoFlex公司、日本Tokki公司、日本岛津公司、美国泛林半导体（LamResearch）公司、荷兰ASM国际公司......国内：中国电子科技集团第四十五所、北京仪器厂、上海机械厂......7、磁控溅射台（MagnetronSputterApparatus）设备名称：磁控溅射台设备功能：通过二极溅射中一个平行于靶表面的封闭磁场，和靶表面上形成的正交电磁场，把二次电子束缚在靶表面特定区域，实现高离子密度和高能量的电离。半导体设备进口报关需要注意风险控制。威海办理半导体设备进口报关气垫车
下游需求自主可控将拉动国产设备近千亿市场需求19年全球半导体投资放缓，预计2020年有望回暖。2019年全球半导体市场规模4110亿美金，同比下降，在全球景气度下行的背景下，受中国大陆智能手机销量等因素影响，2019年的全球半导体行业市场萎缩。半导体投资与行业市场规模高度同步，观察全球半导体行业投资规模，2018/2019年投资规模，同比下降，连续两年下滑，根据机构SEMI报告显示，受益于技术革新需要以及5G网络更新设备需求，预计2020年全球半导体行业资本支出将回暖至，同比+。从半导体大厂看，2020年资本开支呈现快速增长趋势。以全球比较大的半导体晶圆代工foundry厂台积电与中国大陆比较大的半导体晶圆代工foundry厂中芯国际为例，台积电2019年资本开支1071亿元，同比增长，预计2020年资本开支将持续稳定在高位，同比小幅增长。中芯国际2019年资本开支，同比增长，2020年同时受益于全球半导体投资回暖与国产替代，预计其资本开支约217亿元，同比+，资本开支加速上扬。另外，联电、日月光预计2020年资本开支也将加速增长。近年来中国晶圆厂建设进度加快，根据芯思想研究院数据显示，新建的20家FAB中，19年上半年有2家在建厂完毕逐步投产，12家在建。瑞士服务好的半导体设备进口报关打包运输确保进口的半导体设备符合国家质量标准和安全要求。
据SEMI的统计数据，目前全球半导体检测类设备市场规模超800亿，其中前道量测设备市场规模406亿元左右，后道测试设备399亿元左右。随着5G及其物联网技术的发展，各大存储器厂商加大对3DNAND堆叠技术的投入，继续资本开支增长。从全球范围内来看，半导体检测设备呈现寡头垄断格局。在前道检测设备领域中，科磊、应用材料、日立合计占据了76%的市场。后道测试主要分为测试机、探针台、分选机三大组成部分。后道测试机头部企业主要是泰瑞达和爱德万，二者市占率分别约为50%和40%；中芯片测试机几乎被国外企业垄断，国内华峰测控和长川科技在部分细分领域也有所突破，北京冠中集创深耕CIS芯片测试机，开始向Memory领域渗透。后道探针台主要是东京电子、东京精密，二者市占率合计超过80%；国内企业中长川科技处于研发阶段，深圳矽电处于测试阶段。后道分选机主要是爱德万、科休&爱普生等，合计市占率合计约60%，国内参与的企业主要有长川科技等。台积电测试设备的供应商主要来自于国外企业，国内供应商比例较低。随着先进制程的线宽越来越细，避免光刻胶产生晶圆报废事件再次发生给公司带来利润损失，台积电专门成立了200人规模的品质管理检测单位。
获取报告请登录未来智库。，MOCVD实现国产替代公司深耕刻蚀设备，技术比肩国际巨头。中微公司成立于2004年，前身为中微有限。公司主营业务为半导体等离子刻蚀设备（Etch）和用于LED的金属气相沉积设备（MOCVD），刻蚀设备方面，公司自成立以来便着手开发等离子刻蚀设备，目前已涵盖CCP、ICP和深硅刻蚀三大领域，刻蚀设备已在海内外前列客户芯片生产线进行65纳米到5纳米工艺的芯片加工制造。由于公司开发出与美国设备公司具有同等质量和相当数量的等离子体刻蚀设备并实现量产，美国商务部在2015年宣布解除了对我国等离子体刻蚀设备多年的出口管制。CCP刻蚀设备：自成立伊始公司就着手开发甚高频去耦合等离子体刻蚀设备PrimoD-RIE（CCP刻蚀设备），到目前为止已成功开发了双反应台PrimoD-RIE、双反应台PrimoAD-RIE和单反应台PrimoSSCAD-RIE三代刻蚀设备，以及用于存储芯片的PrimoHD-RIE，涵盖65-5纳米微观器件的众多刻蚀应用。ICP刻蚀设备：2012年公司开发电感性等离子体刻蚀设备（ICP刻蚀设备），2018年发布代电感耦合等离子体刻蚀设备Primonanova，该设备不仅能够用于多种导体刻蚀工艺，比如浅沟槽隔离刻蚀（STI）、多晶硅栅极刻蚀；同时可用于介质刻蚀，如间隙壁刻蚀。深圳进口半导体设备清关代理，进口溅射台半导体设备报关哪些要求，进口二手设备中检CCIC服务公司。
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CCP刻蚀机主要用于电介质材料的刻蚀工艺，如逻辑芯片工艺前段的栅侧墙和硬掩模刻蚀，中段的接触孔刻蚀，后段的镶嵌式和铝垫刻蚀等，以及在3D闪存芯片工艺(以氮化硅/氧化硅结构为例)中的深槽、深孔和连线接触孔的刻蚀等。ICP刻蚀机主要用于硅刻蚀和金属刻蚀，包括对硅浅沟槽(STI)、锗(Ge)、多晶硅栅结构、金属栅结构、应变硅(Strained-Si)、金属导线、金属焊垫(Pad)、镶嵌式刻蚀金属硬掩模和多重成像(MultiplePatteming)技术中的多道工序的刻蚀等。另外，随着三维集成电路(3DIC)、CMOS图像传感器(CIS)和微机电系统(MEMS)的兴起，以及硅通孔(TSV)、大尺寸斜孔槽和不同形貌的深硅刻蚀应用的快速增加，多个厂商推出了专为这些应用而开发的刻蚀设备。随着工艺要求的专门化、精细化，刻蚀设备的多样化，以及新型材料的应用，上述分类方法已变得越来越模糊。除了集成电路制造领域，等离子体刻蚀还被用于LED、MEMS及光通信等领域。、刻蚀机行业发展趋势及竞争格局随着芯片集成度的不断提高，生产工艺越来越复杂，刻蚀在整个生产流程中的比重也呈上升趋势。因此，刻蚀机支出在生产线设备总支出中的比重也在增加。而刻蚀机按刻蚀材料细分后的增长速度。威海办理半导体设备进口报关气垫车
