且收纳箱6的内壁预留有第三凹槽7，第三凹槽7的内壁设置有孔洞8，且孔洞8的内部安装有滑块9，并且滑块9的顶部固定有托板10，托板10与滑块9之间为焊接连接，且滑块9与孔洞8构成卡合结构，通过安装在收纳箱6内部的托班，向外拉动托板10，通过滑块9在第三凹槽7内部滑动，滑动出收纳箱6，将线路放置于粘连带12和固定带13之间，使粘连带12通过活...

生产厂家都会提供该器件在自然冷却情况下的结—环境的热阻（Rja）和当元器件自带一散热器，通过散热器进行器件冷却的结--壳热阻（Rjc）。2整流桥模块的结构特点1、铝基导热底板：其功能为陶瓷覆铝板(DBC基板)提供联结支撑和导热通道，并作为整个模块的结构基础。因此，它必须具有高导热性和易焊性。由于它要与DBC基板进行高温焊接，又因它们之间热...

以及设置于所述塑封体内的整流桥、功率开关管、逻辑电路、至少两个基岛；其中，所述整流桥的一交流输入端通过基岛或引线连接所述火线管脚，第二交流输入端通过基岛或引线连接所述零线管脚，一输出端通过基岛或引线连接所述高压供电管脚，第二输出端通过基岛或引线连接所述信号地管脚；所述逻辑电路的控制信号输出端输出逻辑控制信号，高压端口连接所述功率开关管的漏...

或电流）的情况下晶闸管才导通。这时晶闸管处于正向导通状态。3.一旦晶闸管开始导通，它就被钳住在导通状态，而此时门极电流可以取消。晶闸管不能被门极关断，像一个二极管一样导通，直到电流降至零和有反向偏置电压作用在晶闸管上时，它才会截止。当晶闸管再次进入正向阻断状态后，允许门极在某个可控的时刻将晶闸管再次触发导通。晶闸管可用两个不同极性（P-N...

所以一旦可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。由于他只有导通和关断两种工作状态，所以晶闸管具有开关特性，这也就是晶闸管的作用。晶闸管在工作过程中，它的阳极（A）和阴极（K）与电源和负载连接，组成晶闸管的主电路，晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸...

操作前应考虑合环点两侧的相角差和电压差，并估算合环潮流保证不超过环流限额。2）解环操作应先检查解环点的有功、无功潮流，以确保解环后系统各部分电压在规定范围内，各环潮流的变化不超过继电保护，系统稳定和设备容量等方面的限额。（9）冲击合闸、零起升压操作：变压器、母线等设备在新安装投入运行前、大修后和故障跳闸后均应按有关规定进行全电压冲击操作或...

不得在带电压下就地手动操作，以免失去电气闭锁，或因分相操作引起非对称开断，影响继电保护的正常运行。4）分相操作隔离开关，拉闸应先拉中相，后拉边相；合闸操作相反。5）隔离开关经操作后，必须检查其开、合的位置；合闸时检查三相刀片接触良好，拉开时三相断开角度符合要求。以防由于操动机构发生故障或调节不当，出现操作后未全拉开和未全合上的不一致现象。...

共54页目录基础检验批质量验收记录表构架及遮栏检验批质量验收记录表电力变压器检验批质量验收记录表互感器检验批质量验收记录表高压断路器检验批质量验收记录表隔离开关、负荷开关及高压熔断器检验批质量验收记录表避雷器检验批质量验收记录表电容器、电抗器检验批质量验收记录表配电盘（柜）及二次回路检验批质量验收记录表母线装置检验批质量验收记录表（Ⅰ）铁...

环境温度越高，保险丝的工作温度就越高，其寿命也就越短。相反，在较低的温度下运行会延长保险丝的寿命。5．熔断额定容量也称为致断容量。熔断额定容量是保险丝在额定电压下能够确实熔断的**大许可电流。短路时，保险丝中会多次通过比正常工作电流大的瞬时过载电流。安全运行要求保险丝保持完整的状态(无爆裂或断裂)并消除短路。保险丝智能对于大多数采用电感的...

对于常用的硅二极管而言导通后正极与负极之间的电压降为。根据二极管的这一特性，可以很方便地分析由普通二极管构成的简易直流稳压电路工作原理。3只二极管导通之后，每只二极管的管压降是，那么3只串联之后的直流电压降是×3=。3．故障检测方法检测这一电路中的3只二极管为有效的方法是测量二极管上的直流电压，如图9-41所示是测量时接线示意图。如果测量...

学习目标：能正确识别、选择、安装、使用低压熔断器,掌握其功能、基本结构、工作原理及型号含义,熟记其图形符号和文字符号一、熔断器的结构与主要技术参数1.熔断器的结构熔体是熔断器的**，常做成丝状、片状或栅状，制作熔体的材料一般有铅锡合金、锌、铜、银等。熔管是熔体的保护外壳,用耐热绝缘材料制成,在熔体熔断时兼有灭弧作用。熔座是熔断器的底座，作...

使MAX668的输出电压一直高于MAX810的复位门槛电压。假如R、C使Q1的导通时间延长，同时也延长了关断时间。因此需要在电阻上并联一肖特基二极管，以加速当负载过载时关闭Q1的进程。为了获得增强型通道及较低的导通电阻，上述电路均需要采用逻辑电平控制的P沟道MOSFET，如果Q1的导通电阻值较大且在其两端产生较大的压降（特别是低输出电压应...