对于PNP型三极管,分析方法类似,不同的地方就是电流方向跟NPN的刚好相反,因此发射极上面那个箭头方向也反了过来。电阻R1基极偏置用,电阻R2有限流作用,也是三极管集电极的负载电阻。发光二极管D指示作用,三极管T开关作用,电池E供电。三极管可以看成是2个PN结。测试其好坏只要测其PN结是否正常就行。其方法是,用电阻档测b,c极和b,e极的...
查看详细 >>二极管(英语:Diode),是一种具有不对称电导的双电极电子元件。理想的二极管在正向导通时两个电极(阳极和阴极)间拥有零电阻,而反向时则有无穷大电阻,即电流只允许由单一方向流过二极管。肖特基二极管,基本原理是:在金属(例如铅)和半导体(N型硅片)的接触面上,用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压...
查看详细 >>功耗低场效应管完美顺应了当今节能减排的时代趋势。通过对沟道结构进行优化设计,采用新型的低电阻材料,明显降低了导通电阻,从而大幅减少了电流通过时的能量损耗。在可穿戴设备领域,电池续航一直是困扰用户的难题。以智能手环为例,其内部空间有限,电池容量不大,但却需要持续运行多种功能,如心率监测、运动追踪、信息提醒等。功耗低场效应管应用于智能手环的电...
查看详细 >>现在的高清、液晶、等离子电视机中开关电源部分除了采用了PFC技术外,在元器件上的开关管均采用性能优异的MOS管取代过去的大功率晶体三极管,使整机的效率、可靠较大程度上提高,故障率大幅的下降。MOS管和大功率晶体三极管在结构、特性有着本质上的区别,所以在应用上,它的驱动电路比晶体三极管复杂。所有的FET都有栅极(gate)、漏极(drain...
查看详细 >>场效应管主要参数:1、漏源击穿电压。漏源击穿电压BUDS是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能接受的较大漏源电压。这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。2、较大耗散功率。较大耗散功率PDSM也是—项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的较大漏源耗散功率。运用时场效应管实践功耗应小于PDSM并留有—定余量。...
查看详细 >>导通电阻(R_DS(on)):场效应管导通时的漏极与源极之间的电阻。它决定了电流通过器件时的压降和功耗,较小的导通电阻意味着较低的功耗和较高的电流驱动能力。较大漏极电流(I_D(max)):场效应管能够承受的较大电流,超过这个电流值可能会导致器件过热、性能退化甚至长久损坏。较大漏极-源极电压(V_DS(max)):场效应管能够承受的较大电...
查看详细 >>mos管,mos管是金属(metal)-氧化物(oxide)-半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属-绝缘体(insulator)-半导体,MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能,这样的器件被认...
查看详细 >>三极管的参数,三极管的参数有很多,可以分成三大类:直流参数、交流参数、极限参数。直流参数:a.集电极—基极反向饱和电流Icbo集电极—基极反向饱和电流是指发射极开路时,基极和集电极之间加上规定的反向电压Ucb时的集电极反向电流。b.集电极—发射极反向电流Iceo集电极—发射极反向电流也称穿透电流,是指基极开路时,集电极和发射极之间加上规定...
查看详细 >>反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下,因势垒区宽度很小,反向电压较大时,破坏了势垒区内共价键结构,使价电子脱离共价键束缚,产生电子-空穴对,致使电流急剧增大,这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低,势垒区宽度较宽,不容易产生齐纳击穿。雪崩击穿,另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时,外加电场使电子漂...
查看详细 >>场效应晶体管。当满足 MOS 管的导通条件时,MOS 管的 D 极和 S 极会导通,这个时候体二极管是截止状态。因为 MOS 管导通内阻很小,不足以使寄生二极管导通。MOS管的导通条件:PMOS增强型管:UG-US|UGSTH| , UGSTH是开启电压;NMOS增强型管:UG-US>0,且 |UG-US|>|UGSTH| ,UGSTH是...
查看详细 >>小噪音场效应管致力于攻克信号传输中的噪声干扰难题,在音频、射频等对信号质量要求近乎苛刻的领域发挥着关键作用。在信号传输过程中,电子的热运动等因素会产生噪声,如同噪音污染一般,严重影响信号的完整性。小噪音场效应管通过改进制造工艺,优化内部结构,从根源上减少电子热运动等产生的噪声。在音频放大器中,音乐的每一个细节都至关重要,小噪音场效应管...
查看详细 >>MOS管的工作原理,在开关电源中常用MOS管的漏极开路电路,如图2漏极原封不动地接负载,叫开路漏极,开路漏极电路中不管负载接多高的电压,都能够接通和关断负载电流。是理想的模拟开关器件。这就是MOS管做开关器件的原理。当然MOS管做开关使用的电路形式比较多了。NMOS管的开路漏极电路,在开关电源应用方面,这种应用需要MOS管定期导通和关断。...
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