存储方法保持容器密封，储存在阴凉，干燥的地方，主要用途用作枸橼酸铋钾中间体，系统编号CAS号：813-93-4MDL号：MFCD00050817EINECS号：212-390-1PubChem号：24871714，计算化学数据1、氢键供体数量：12、氢键受体数量：73、可旋转化学键数量：24、拓扑分子极性表面积（TPSA）：1415、重原...

  主要用途用作枸橼酸铋钾中间体。计算化学数据1、氢键供体数量：12、氢键受体数量：73、可旋转化学键数量：24、拓扑分子极性表面积（TPSA）：1415、重原子数量：146、表面电荷：07、复杂度：2118、同位素原子数量：09、确定原子立构中心数量：010、不确定原子立构中心数量：011、确定化学键立构中心数量：012、不确定化学键立构中...

  AS号:813-93-4英文名称:Bismuthcitrate英文同义词:BISMUTHCITRATE;Bismuth(3+)citrate;BISMUTH(III)CITRATE;BISMUTHCITRATE,POWDER;Bismuth,[citrato(3-)]-;BimuthPotassiumCitrate;BismuthCitr...

  柠檬酸铋化学性质熔点:300°C(dec.)(lit.)密度:0.94g/mLat25°C(lit.)形态:CrystallinePowder颜色:White水溶解性:Insolubleinwater,alcohol,ether.SolubleinammoniaChemicalbooksolutionandinsolutionofalka...

  次磷酸钠性质熔点decomposes[STR93]水溶解性100g/100gH2O[KRU93];soluble1partH2O,0.15partsboilingH2O;solublecoldalcohol;insolubleether[MER06]次磷酸钠用途与合成方法次磷酸盐次磷酸钠是一种常用的次磷酸金属盐，又称“次磷酸二氢钠”、“次...

  产品特性与用途二氧化铪(HfO2)是一种具有较高介电常数的氧化物。作为一种介电材料，因其较高的介电常数值(~20)，较大的禁带宽度(~5.5eV)，以及在硅基底上良好的稳定性，HfO2被认为是替代场效应晶体管中传统SiO2介电层的理想材料。如果互补金属氧化物半导体器件尺寸低于1μm，以二氧化硅为传统栅介质的技术会带来芯片的发热量增加、多晶...

  性质白色粉末，有单斜、四方和立方三种晶体结构。密度分别为10.3，10.1和10.43g/cm3。熔点2780～2920K。沸点5400K。热膨胀系数5.8×10-6/℃。不溶于水、盐酸和硝酸，可溶于浓硫酸和氟氢酸。由硫酸铪、氯氧化铪等化合物热分解或水解制取。为生产金属铪和铪合金的原料。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化剂。应用二氧化铪(H...

  氧化铪用途与合成方法物理性质氧化铪（HfO2）是白色晶体粉末。纯氧化铪以三种形式存在，一种是无定型状态，另外两种为晶体。在＜400℃煅烧氢氧化铪、氧氯化铪等不稳定的化合物时，可以得到无定型氧化铪。将其氧化铪继续加热至450~480℃，开始转化为单斜晶体，继续加热至1000~1650℃发生晶格常数逐步增加的趋势，并转化为4个氧化铪分子的单体...

  制备方法及特点1.一步法一步法指用黄磷与以下反应物之一进行反应而直接制得次磷酸钠的方法：（l）NaOH，（2）碱土金属氢氧化物和NaOH的混合物（以NaOH为主），（3）碱土金属氢氧化物和Na2CO3的混合物。例如，黄磷在惰性气氛下与石灰乳和Na2CO3溶液的混合物加热反应，放出磷化氢和氢气，反应结束后过滤分离反应物，滤液为次磷酸钠溶液，...

  其2P4+3Ca(OH)2+6H2O→3Ca(H2PO2)2+3PH3Ca(H2PO2)2+Na2CO3→2NaH2PO4+CaCO3两步法参见次磷酸钠复分解法，所不同的是，需要在生成次磷酸钠后，过滤除去碳酸钙，向滤液加人除砷剂和除重金属剂进行溶液净化，过滤，除去砷和重金属等杂质。合成制备方法（1）复分解法用途简介（1）在食品工业中用作防...

  氧化铪又称氧化铪(IV)，它是一种无机化工产品，其分子式为HfO2，分子量为210.4888。产品特性与用途二氧化铪(HfO2)是一种具有较高介电常数的氧化物。作为一种介电材料，因其较高的介电常数值(~20)，较大的禁带宽度(~5.5eV)，以及在硅基底上良好的稳定性，HfO2被认为是替代场效应晶体管中传统SiO2介电层的理想材料。如果互...

  产品特性与用途二氧化铪(HfO2)是一种具有较高介电常数的氧化物。作为一种介电材料，因其较高的介电常数值(~20)，较大的禁带宽度(~5.5eV)，以及在硅基底上良好的稳定性，HfO2被认为是替代场效应晶体管中传统SiO2介电层的理想材料。如果互补金属氧化物半导体器件尺寸低于1μm，以二氧化硅为传统栅介质的技术会带来芯片的发热量增加、多晶...