场效应管与晶体管的比较:(1)场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管。(2)场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。(3)有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好。(4)场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了普遍的应用。场效应管的控制输入端电流极小,因此它的输入电阻(107~1012Ω)很大。浙江N型场效应管推荐
场效应管注意事项:为了安全使用场效应管,在线路的设计中不能超过管的耗散功率,较大漏源电压、较大栅源电压和较大电流等参数的极限值。各类型场效应管在使用时,都要严格按要求的偏置接入电路中,要遵守场效应管偏置的极性。如结型场效应管栅源漏之间是PN结,N沟道管栅极不能加正偏压;P沟道管栅极不能加负偏压,等等。MOS场效应管由于输入阻抗极高,所以在运输、贮藏中必须将引出脚短路,要用金属屏蔽包装,以防止外来感应电势将栅极击穿。尤其要注意,不能将MOS场效应管放入塑料盒子内,保存时比较好放在金属盒内,同时也要注意管的防潮。温州非绝缘型场效应管原理场效应管布局走线合理,整机稳定性高,信噪比佳,音乐细节有很好表现 。
场效应晶体管的一个优点是它的栅极到主电流电阻高(≥100 MΩ),从而使控制和流动彼此。因为基极电流噪声将随着整形时间而增加,场效应晶体管通常比双极结型晶体管 (BJT)产生更少的噪声,因此可应用于噪声敏感电子器件,例如调谐器和用于甚高频和卫星接收机的低噪声放大器。场效应晶体管对辐射相对免疫。它在零漏极电流下不显示失调电压,因此是一款出色的信号斩波器。场效应晶体管通常比双极结型晶体管具有更好的热稳定性。因为场效应晶体管是由栅极电荷控制的,所以在某下状态下一旦栅极闭合或打开,就不会像使用双极结晶体管或者是非闭锁的继电器一样有额外的功率损耗。这允许极低功率开关,这反过来又允许电路更小型化,因为与其他类型的开关相比,散热需求减少了。
场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管。场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是既有多数载流子,也利用少数载流子导电,被称之为双极型器件。有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比三极管好。场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了普遍的应用。场效应管由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。
场效应管的测试判定估测场效应管的放大能力: 将万用表拨到R×100档,红表笔接源极S,黑表笔接漏极D,相当于给场效应管加上1.5V的电源电压。这时表针指示出的是D-S极间电阻值。然后用手指捏栅极G,将人体的感应电压作为输入信号加到栅极上。由于管子的放大作用,UDS和ID都将发生变化,也相当于D-S极间电阻发生变化,可观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极时表针摆动很小,说明管子的放大能力较弱;若表针不动,说明管子已经损坏。场效应管(FET)是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件,并以此命名。广州st场效应管命名
场效应管场效应管更好的热稳定性,抗辐射性和较低噪声 。浙江N型场效应管推荐
场效应晶体管既可以作为多数载流子器件(由多子导电),又可以作为少数载流子器件(由少子导电)。该器件由电荷载流子(电子或空穴)从源极流到漏极的有源沟道组成。源极导体和漏极导体通过欧姆接触联结。沟道的电导率是栅源电压的函数。场效应晶体管的三个电极包括:源极(S),载流子经过源极进入沟道。通常,在源极处进入通道的电流由IS表示。漏极(D),载流子通过漏极离开沟道。通常,在漏极处进入通道的电流由ID表示。漏极与源极之间的电压由VDS表示。栅极(G),调制沟道电导率的电极。通过向栅极施加电压,可以控制ID。浙江N型场效应管推荐
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