场效应管在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS(off)，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。HIGFET (异质结构绝缘栅场效应晶体管)现在主要用于研究。绍兴半导体场效应管参数
场效应管属于电压控制元件，这一点类似于电子管的三极管，但它的构造与工作原理和电子管是截然不同的，与双极型晶体管相比，场效应晶体管具有如下特点：（1）场效应管是电压控制器件，它通过UGS来控制ID；（2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；（5）场效应管的抗辐射能力强；（6）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。中山N沟道场效应管生产商功率mos管选择深圳盟科电子。
场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是既有多数载流子，也利用少数载流子导电，被称之为双极型器件。有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比三极管好。场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了普遍的应用。
场效应晶体管的一个优点是它的栅极到主电流电阻高（≥100 MΩ），从而使控制和流动彼此。因为基极电流噪声将随着整形时间而增加，场效应晶体管通常比双极结型晶体管 (BJT)产生更少的噪声，因此可应用于噪声敏感电子器件，例如调谐器和用于甚高频和卫星接收机的低噪声放大器。场效应晶体管对辐射相对免疫。它在零漏极电流下不显示失调电压，因此是一款出色的信号斩波器。场效应晶体管通常比双极结型晶体管具有更好的热稳定性。因为场效应晶体管是由栅极电荷控制的，所以在某下状态下一旦栅极闭合或打开，就不会像使用双极结晶体管或者是非闭锁的继电器一样有额外的功率损耗。这允许极低功率开关，这反过来又允许电路更小型化，因为与其他类型的开关相比，散热需求减少了。场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高。
场效应管与双极性晶体管的比较场效应管是电压控制器件，栅极基本不取电流，而晶体管是电流控制器件，基极必须取一定的电流。因此，在信号源额定电流极小的情况，应选用场效应管。场效应管是多子导电，而晶体管的两种载流子均参与导电。由于少子的浓度对温度、辐射等外界条件很敏感，因此，对于环境变化较大的场合，采用场效应管比较合适。场效应管除了和晶体管一样可作为放大器件及可控开关外，还可作压控可变线性电阻使用。场效应管的源极和漏极在结构上是对称的，可以互换使用，耗尽型MOS管的栅——源电压可正可负。因此，使用场效应管比晶体管灵活。盟科MK3404参数是可以替代AO3404的。中山贴片场效应管推荐
场效应管的输入阻抗很大，输入电流极小；晶体管输入阻抗很小，在导电时输入电流较大。绍兴半导体场效应管参数
场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID， 用栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压进行控制”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。绍兴半导体场效应管参数
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