硅粉基本参数
  • 用途
  • 耐磨增硬,导热绝缘
  • 品牌
  • 鸿源材料
  • 相对分子质量
  • 2.6-2.8
  • 物理状态
  • 白色粉末状
  • 含量
  • 99
  • 产品等级
  • 优等品
  • 化学名称
  • SIO2
  • 性状
  • 白色,细腻粉末状粉体
  • 安全性
  • 安全
  • 包装规格
  • 25公斤/包(内膜编织袋/阀口袋)
  • 储存方法
  • 阴凉干燥处
  • 产地
  • 广东
  • 厂家
  • 鸿源材料
硅粉企业商机

硅灰的细度:硅灰中细度小于1?m的占80%以上,平均粒径在0.1~0.3?m,比表面积为:20~28m2/g。其细度和比表面积约为水泥的80~100倍,粉煤灰的50~70倍。颗粒形态与矿相结构:硅灰在形成过程中,因相变的过程中受表面张力的作用,形成了非结晶相无定形圆球状颗粒,且表面较为光滑,有些则是多个圆球颗粒粘在一起的团聚体。它是一种比表面积很大,活性很高的火山灰物质。掺有硅灰的物料,微小的球状体可以起到润滑的作用。微硅粉能够填充水泥颗粒间的孔隙,同时与水化产物生成凝胶体,与碱性材料氧化镁反应生成凝胶体。在混凝土中掺入硅粉,能减少Ca (OH) 2 含量,增加混凝土密实性,有效提高弱酸腐蚀能力。绍兴纯硅粉报价

晶体硅的性质概括:带有金属光泽的灰黑色固体、硬度大、有脆性、常温下化学性质不活泼。为适应大规模集成电路的发展、单晶硅正向大直径、高纯度、高均匀性,无缺陷方向发展。很大硅片直径已达150mm,实验室的高纯硅接近理论极限纯度。常用的太阳能电池是硅电池。如果在1平方米面积上铺满硅太阳电池,就可以得到100W电力。单晶硅太阳能电池的性能稳定,转换效率高,体积小,重量轻,很适合作太空航天器上的电源。美国的大型航天器——太空实验室上就安装有4块太阳能电池帆板,它们是由147840块8平方厘米大小的单晶硅太阳能电池排列组成的,发电功率大约为12KW。珠海工业硅粉销售厂家硅粉混凝土有良好的防水、抗渗、耐冲磨和抗侵蚀性。

硅粉硅粉,又被成为硅灰,是金属硅或者铁合金在生产过程中,所被回收出来的烟尘,由于硅粉含有的二氧化硅是非常高的,并且颗粒极为细腻,它不但在橡胶、油漆行业,在混凝土等等行业上也被较广应用呢!而硅粉具火山灰活性。硅粉用途:控制混凝土材料的离析和泌水,减少或避免混凝土出现蜂窝、麻面、薄弱夹层、裂缝和乳皮等缺陷。提高混凝土的抗压强度,试验证明硅微粉能大幅度的提高混凝土的强度。改善混凝土的耐久性,提高混凝土的抗渗性、抗冻性、抗磨性和抗蚀性。提高混凝土的抗炭化性,对于钢筋混凝土,掺入硅微粉不公可提高基体与钢筋间的粘结强度,还能增强钢筋的抗锈蚀能力。改善耐火材料的流动性和致密程度,提高耐火材料高温强度和热震性。

多晶硅呈灰色或黑色且有金属光泽的等轴八面晶体,是制造单晶硅的原料。硅属半金属,是极为重要的元素半导体材料。多晶硅的生产,除个别工厂采用硅烷热分解法外,一般都采用氢还原三氯氢硅方法。三氯氢硅法:包括三氯氢硅的合成和三氯氢硅的还原两部分。三氯氢硅的合成,用金属硅和氯化氢为原料,在流态化氯化炉中进行反应,三氯氢硅的沸点为31.5℃,与绝大多数杂质的氯化物挥发温度相差较大,所以可用精馏法提纯。三氯氢硅极易挥发和水解,产生强腐蚀的盐酸气,因此精馏设备必须防止水汽和空气混入。小规模生产超纯硅可采用聚四氟乙烯,特制玻璃或石英作为精馏设备材料,大规模生产则须采用耐腐蚀的金属或合金材料以免铜、铁、镍等重金属杂质混入而影响超纯硅的质量。掺入适量的硅灰具有保水、防止离析、泌水、大幅降低砼泵送阻力的作用。

微硅粉在混凝土中的应用 :微硅粉掺入水泥混凝土后能很好地填充于水泥颗粒空隙之中,使浆体更微密,另外它还与游离的 Ca(OH) 结合,形成稳定的硅酸钙水化物 2CaO 、SiO 2 、H 2 O, 该水化物凝胶强度高于 Ca(OH) 晶体,主要表现在:增加强度。使混凝土抗压、抗折强度增加,掺入 5 — 10% 的微硅粉,抗压强度可提高 10 — 30% ,抗折强度提高 10% 以上。增加致密度。抗渗性能提高 5 — 18 倍,抗化能力提高 4 倍以上。抗冻性:微硅粉在经过 300 — 500 次快速冻解循环,相对弹性模量隆低 10 — 20% ,而普通混凝土通过 25 — 50 次循环,相对弹性模量隆低为 30 — 73% 。早强性:微硅粉混凝土使诱导期缩短,具有早强的特性。抗冲磨、控空蚀性:微硅粉混凝土比普通混凝土抗冲磨能力提高 0.5 — 2.5 倍,抗空蚀能力提高 3 — 16 倍。内掺硅粉一般对砂石用量不必调整。珠海工业硅粉销售厂家

硅粉具有表面积大,高表面活性,松装密度低的特点,该产品具有无毒,无味。绍兴纯硅粉报价

21世纪是高度信息化的时代,微电子信息处理的速度迅速发展,但逐步趋向极限。要有所突破,实现光电集成是必由之路。在硅片上实现光电集成从工艺和材料上看是很理想的方案,但受到以下限制:硅具有间接带隙,只能发射极微弱的红外光,长期以来被认为不适合于光子学应用,特别是不能用作在光子学中起关键作用的光源。1990年多孔硅的室温强可见光发射被发现,使人们看到了硅被应用于光子学光源的可能性。通过改变富硅量、退火条件等,控制氧化硅中硅纳米晶的尺寸及密度。文献认为出现硅纳米晶的临界温度是1000oC,而我们通过试验确定出现纳米晶的临界退火温度为900oC。经900oC退火富硅量约为30%富硅氧化硅的高分辨电镜象。可以清楚硅纳米晶。绍兴纯硅粉报价

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