硅粉基本参数
  • 用途
  • 耐磨增硬,导热绝缘
  • 品牌
  • 鸿源材料
  • 相对分子质量
  • 2.6-2.8
  • 物理状态
  • 白色粉末状
  • 含量
  • 99
  • 产品等级
  • 优等品
  • 化学名称
  • SIO2
  • 性状
  • 白色,细腻粉末状粉体
  • 安全性
  • 安全
  • 包装规格
  • 25公斤/包(内膜编织袋/阀口袋)
  • 储存方法
  • 阴凉干燥处
  • 产地
  • 广东
  • 厂家
  • 鸿源材料
硅粉企业商机

硅粉,也叫微硅粉,学名“硅灰”,是工业电炉在高温熔炼工业硅及硅铁的过程中,随废气逸出的烟尘经特殊的捕集装置收集处理而成。学名“硅灰”, Microsilica 或 Silica Fume,是工业电炉在高温熔炼工业硅及硅铁的过程中,随废气逸出的烟尘经特殊的捕集装置收集处理而成。在逸出的烟尘中,SiO2含量约占烟尘总量的90%,颗粒度非常小,平均粒度几乎是纳米级别,故称为硅粉。以硅块为原料制取硅粉的方法很多。其中效果较好、应用较多的是雷蒙法,对辊法、盘磨法和冲旋法。所用设备相应是雷蒙法、对辊机、盘磨机(也称立磨)和冲旋法。就制粉原理看,种是挤压粉碎,后一种是冲击粉碎,就其结构看,相异很大,各有特色,各有优缺点。鸿源专业是一家生产硅粉的厂家,若您有需要,欢迎联系我们!嘉兴活性硅粉生产厂家

硅粉的主要作用:增加强度;用硅粉代替部分水泥加到混凝土中,增加了密度和凝聚力,使混凝土抗压抗折强度增强,掺入5%~10%的硅粉,抗压强度可提高10%~30%,抗折强度提高10%以上。增加致密度;硅粉可均匀地充填于水泥颗粒空隙之中,使混凝土更加致密,克服了混凝土常见的空隙弊病,对渗水性、碳化深度进行测试,结果表明,抗渗性可提高5~18倍,抗碳化能力提高4倍以上。抗冻性;掺硅粉混凝土在经过1500次快速冻融循环,相对动弹性模量降低1%~2%,而普通混凝土通过25~50次循环,相对动弹性模量降低36%~73%。绍兴球形多孔硅粉生产厂家就制粉原理看,挤压粉碎,后一种是冲击粉碎,就其结构看,相异很大,各有特色,各有优缺点。

在C50高性能混凝土中掺入适量的硅粉和超细矿渣,能够有效提高混凝土现场的工作性能和大楼主体结构的强度。同时,矿渣又是工业废料,有利于环境保护和降低造价,符合生态文明建设的要求。硅粉掺入到混凝土中后,引起混凝土坍落度下降,超细矿渣的掺入对混凝土坍落度略有增加。从降低混凝土经济成本和拥有良好的工作性能两方面考虑,硅灰掺量5%,超细矿渣掺量15%为宜。硅粉对提高混凝土早期强度有很好的效果,而超细矿渣对提高混凝土的后期强度有非常好的功效。双掺硅粉和超细矿渣时,混凝土各龄期抗压强度均优越于两者单掺的混凝土。综合试验结果,充分考虑科技大楼C50高性能混凝土的工作性能和强度后,确定硅粉掺量5%,超细矿渣掺量25%。

纳米硅防水剂的防水砂浆施工:清理基层泥沙、杂物、油污等,灰砂比控制在1:2.5~3(425#硅酸盐水泥、中砂含泥量小于3%);纳米硅防水剂加水8-15倍(体积比)可直接用于配制防水砂浆,水灰比≤0.5,实际净防水剂用量占水泥的3~5%。抹防水层分两层施工(每层10mm厚);底层先抹素灰浆1mm,再抹防水砂浆层,初凝时压实,用木抹戳成麻面;抹第二层防水砂浆后赶光压实。按正常养护或喷洒本公司生产的水泥养护剂。防水混凝土施工:纳米硅防水剂加水45倍(体积比)直接配制混凝土即可。与普通混凝土的施工方法相同。施工后按正常养护或喷洒本公司生产的水泥养护剂。硅粉较广用于微细农药、化肥、灭火剂等产品。

微硅粉可以改善混凝土的性能,但是使用不当也会造成不必要的麻烦,下面分享混凝土掺入微硅粉的注意事项。微硅粉颗粒细小,需水量高,在混凝土中掺入微硅粉时,必须使用高效减水剂才能保证效果良好。混凝土掺入微硅粉的方法有两种:外掺和内掺。由于内掺法要减少水泥的用量,所以一般低标号使用内掺,高标号使用外掺。混凝土中微硅粉掺入量不宜太高或者太低,一般在5%-10%,在此范围中混凝土的质量很好。即不但微硅粉代替水泥的作用很好,各种优良性能得到充分发挥,而且可避免不利的影响,如掺量大于己15%后,商品混凝土的抗冻性降低等。由于微硅粉混凝土的粘稠度较大,所以要在设计混凝土坍落度时,必须比普通混凝土的大2-3cm,强度不变。终凝前对混凝土要进行二次抹压,很好在抹压后覆盖,以防水分蒸发过快引起表面螺纹。终凝后2-4小时,必须对混凝土做保湿养护,防止混凝土产生塑性收缩裂缝。微硅粉的细度小于1μm的占80%以上,平均粒径在0.1-0.3μm ,是一种灰状态。云南硅粉多少钱

制取硅粉所用设备相应是雷蒙法、对辊机、盘磨机(也称立磨)和冲旋法。嘉兴活性硅粉生产厂家

21世纪是高度信息化的时代,微电子信息处理的速度迅速发展,但逐步趋向极限。要有所突破,实现光电集成是必由之路。在硅片上实现光电集成从工艺和材料上看是很理想的方案,但受到以下限制:硅具有间接带隙,只能发射极微弱的红外光,长期以来被认为不适合于光子学应用,特别是不能用作在光子学中起关键作用的光源。1990年多孔硅的室温强可见光发射被发现,使人们看到了硅被应用于光子学光源的可能性。通过改变富硅量、退火条件等,控制氧化硅中硅纳米晶的尺寸及密度。文献认为出现硅纳米晶的临界温度是1000oC,而我们通过试验确定出现纳米晶的临界退火温度为900oC。经900oC退火富硅量约为30%富硅氧化硅的高分辨电镜象。可以清楚硅纳米晶。嘉兴活性硅粉生产厂家

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