异质结电池的制程温度低于250℃，避免了高温工艺带来的热损伤，同时降低了生产成本。异质结电池的生产工艺流程较短，关键工艺需四步：清洗制绒、非晶硅薄膜沉积、透明导电膜沉积和金属电极化。异质结电池的双面结构使其能够有效利用背面光照，双面率可达90%，相比PERC和TOPCon电池，发电量更高。异质结电池在弱光条件下仍能保持较高的发电效率，增加了组件的发电时长。异质结电池与钙钛矿电池叠层使用时，能够进一步提升转换效率，理论极限效率可突破40%。采用先进异质结技术，我们的产品提升光电转换效率，让每一缕阳光都转化为清洁、可靠的电力。郑州高效硅异质结PVD
异质结电池采用N型单晶硅作为基底，结合非晶硅薄膜的钝化效果，能够显著提高光电转换效率。目前，异质结电池的转换效率已超过24%，并且具有更高的效率提升潜力。异质结电池的双面率高，比较高可达93%以上，这意味着它们可以从组件的两面发电，进一步提升发电效益。异质结电池的温度系数较低（约-0.24%/℃），相比传统PERC电池（-0.35%/℃）和TOPCon电池（-0.30%/℃），在高温环境下能耗损失更少，发电量更高。异质结电池采用非晶硅薄膜，不会出现常见的Staebler-Wronski效应，因此电池转换效率不会因光照而衰退。异质结电池的使用寿命长，可达30年，且无光致衰减（LID）和电势诱导衰减（PID）现象。郑州高效硅异质结PVD异质结压电陶瓷应用于超声波清洗，空化效应强度提升30%。
能带结构：两种材料的导带底（Ec）和价带顶（Ev）在界面处存在能量差（ΔEc、ΔEv），形成“势垒”或“量子阱”，可有效限制载流子在特定区域（如在窄禁带材料中运动）。例：在p型宽禁带半导体与n型窄禁带半导体形成的异质结中，电子被限制在窄禁带的n型材料一侧，空穴被限制在宽禁带的p型材料一侧，减少复合，提升器件效率。关键优势：载流子调控灵活：通过选择材料组合，可优化器件的光电转换、信号传输等性能。低复合率：界面处的势垒可抑制载流子复合，延长其寿命，适用于高灵敏度光电器件。多功能集成：可结合不同材料的特性（如宽禁带材料的高击穿场强、窄禁带材料的强光吸收能力），实现单一材料无法达到的功能。
异质结在光电子器件中有重要应用，因为其界面特性对光学性质有影响。例如，异质结结构在激光器中的应用，可以通过设计不同材料的组合来实现特定的光学性能。异质结的设计具有高度的灵活性，可以根据需要选择不同的半导体材料组合。例如，在砷化镓中，镓可以被铝或铟取代，而砷可以用磷、锑、或氮取代，从而设计出具有特定性能的材料。异质结是高频晶体管和光电子器件的关键成分，对于半导体技术的发展具有重大影响。它被广泛应用于各种电子器件中，如异质结双极晶体管（HBT）、异质结场效应晶体管（HFET）以及太阳能电池等。航空发动机叶片采用异质结涂层，耐温能力提升至1200℃。
光伏高效异质结电池整线解决方案，产业机遇：方向清晰：HJT技术工艺流程短、功率衰减低、输出功率稳定、双面发电增益高、未来主流技术方向；时间明确：HJT平均量产效率已超过PERC瓶颈（25%），行业对HJT电池投入持续加大，电池商业化已逐渐成熟；机遇可期：设备与耗材是HJT规模化的关键，降本增效是不变的主题，具备HJT整线整合能力的供应商优势明显。当前HJT生产成本约：硅片占比约50%，银浆占比约25%，靶材约6%左右；当前HJT设备成本约：清洗制绒设备、PECVD设备、PVD设备、丝网印刷，设备投资额占比分别约10%、50%、25%和15%。手术机器人配置异质结力传感器，操作反馈延迟低于1ms。郑州高效硅异质结PVD
异质结光解水制氢系统，产氢效率达15mmol/cm²·h。郑州高效硅异质结PVD
太阳能异质结中的不同层协同工作是通过光电转换的方式实现的。太阳能异质结由p型半导体和n型半导体组成，两种半导体之间形成了pn结。当太阳光照射到pn结上时，光子会被吸收并激发电子从价带跃迁到导带，形成电子空穴对。由于pn结两侧的电场方向相反，电子和空穴会被分离，形成电势差，从而产生电流。不同层之间的协同工作是通过优化各自的材料和结构实现的。例如，p型半导体通常采用硼掺杂的硅材料，n型半导体则采用磷或氮掺杂的硅材料。这样可以使得p型半导体的电子井深度较浅，n型半导体的电子井深度较深，从而提高光电转换效率。此外，太阳能电池的表面还会涂覆一层透明导电膜，以增加光的吸收和电子的收集效率。总之，太阳能异质结中的不同层通过优化材料和结构，协同工作实现光电转换，将太阳光能转化为电能。这种协同工作的优化可以提高太阳能电池的效率和稳定性，从而推动太阳能技术的发展。郑州高效硅异质结PVD
