器件尺寸按摩尔定律的要求不断缩小，栅极介质的厚度不断减薄，但栅极的漏电流也随之增大。在5.0nm以下，SiO2作为栅极介质所产生的漏电流已无法接受，这是由电子的直接隧穿效应造成的。HfO2族的高k介质是目前比较好的替代SiO2/SiON的选择。HfO2族的高k介质主要通过原子层沉积（ALD）或金属有机物化学气相沉积（MOCVD）等方法沉积。介质膜的主要作用有：1.改善半导体器件和集成电路参数；2.增强器件的稳定性和可靠性，二次钝化可强化器件的密封性，屏蔽外界杂质、离子电荷、水汽等对器件的有害影响；3.提高器件的封装成品率，钝化层为划片、装架、键合等后道工艺处理提供表面的机械保护；4.其它作用，钝化膜及介质膜还可兼作表面及多层布线的绝缘层；镀膜后的表面具有优良的反射性能。吉林磁控溅射真空镀膜
首先，通过一个电子枪生成一个高能电子束。电子枪一般包括一个发射电子的热阴极（通常是加热的钨丝）和一个加速电子的阳极。电子枪的工作是通过电场和磁场将电子束引导并加速到目标材料。电子束撞击目标材料，将其能量转化为热能，使目标材料加热到蒸发温度。蒸发的材料原子或分子在真空中飞行到基板表面，并在那里冷凝，形成薄膜。因为这个过程在真空中进行，所以蒸发的原子或分子在飞行过程中基本不会与其他气体分子相互作用，这有助于形成高质量的薄膜。与其他低成本的PVD工艺相比，电子束蒸发还具有非常高的材料利用效率。电子束系统加热目标源材料，而不是整个坩埚，从而降低了坩埚的污染程度。通过将能量集中在目标而不是整个真空室上，它有助于减少对基板造成热损坏的可能性。可以使用多坩埚电子束蒸发器在不破坏真空的情况下应用来自不同目标材料的几层不同涂层，使其很容易适应各种剥离掩模技术。上海真空镀膜仪真空镀膜技术为产品提供可靠保护。
LPCVD是低压化学气相沉积（LowPressureChemicalVaporDeposition）的简称，是一种在低压条件下利用气态化合物在基片表面发生化学反应并形成稳定固体薄膜的工艺。LPCVD是一种常用的CVD工艺，与常压CVD（APCVD）、等离子体增强CVD（PECVD）、高密度等离子体CVD（HDPCVD）和原子层沉积（ALD）等其他CVD工艺相比，具有一些独特的特点和优势。LPCVD的原理是利用加热设备作为热源，将基片放置在反应室内，并维持一个低压环境（通常在10-1000Pa之间）。然后向反应室内输送含有所需薄膜材料元素的气体或液体前驱体，使其与基片表面接触并发生热分解或氧化还原反应，从而在基片表面沉积出所需的薄膜材料。LPCVD可以沉积多种类型的薄膜材料，如多晶硅、氮化硅、氧化硅、氧化铝、二硫化钼等。
LPCVD的优点主要有以下几个方面：一是具有较佳的阶梯覆盖能力，可以在复杂的表面形貌上形成均匀且连续的薄膜；二是具有很好的组成成分和结构控制，可以通过调节反应温度、压力和气体流量等参数来改变薄膜的物理和化学性质；三是具有很高的沉积速率和输出量，可以实现大面积和批量生产；四是降低了颗粒污染源，提高了薄膜的质量和可靠性LPCVD的缺点主要有以下几个方面：一是需要较高的反应温度（通常在500-1000℃之间），这会增加能耗和设备成本，同时也会对基片造成热损伤或热应力；二是需要较长的反应时间（通常在几十分钟到几小时之间），这会降低生产效率和灵活性；三是需要较复杂的设备和工艺控制，以保证反应室内的温度、压力和气体流量等参数的均匀性和稳定性。反应气体过量就会导致靶中毒。
电子束真空镀膜的物理过程：物理的气相沉积技术的基本原理可分为三个工艺步骤：（1）电子束激发镀膜材料金属颗粒的气化：即镀膜材料的蒸发、升华从而形成气化源，（2）镀膜材料粒子（（原子、分子或离子）的迁移：由气化源供出原子、分子或离子（原子团、分子团或离子团）经过碰撞，产生多种反应。（3）镀膜材料粒子在基片表面的沉积。LPCVD反应的能量源是热能，通常其温度在500℃-1000℃之间，压力在0.1Torr-2Torr以内，影响其沉积反应的主要参数是温度、压力和气体流量，它的主要特征是因为在低压环境下，反应气体的平均自由程及扩散系数变大，膜厚均匀性好、台阶覆盖性好。目前采用LPCVD工艺制作的主要材料有：多晶硅、单晶硅、非晶硅、氮化硅等。降低PVD制备薄膜的应力，可以提高衬底温度，有利于薄膜和衬底间原子扩散，并加速反应过程。盐城真空镀膜技术
电子束蒸发：将蒸发材料置于水冷坩埚中，利用电子束直接加热使蒸发材料汽化并在衬底上凝结形成薄膜。吉林磁控溅射真空镀膜
镀膜机中的电子束加热的方法与传统的电阻加热的方法相比较的话。电子束加热会产生更高的通量密度，这样的话对于高熔点的材料的蒸发比较有利，而且还可以使的蒸发的速率得到一定程度上的提高。蒸发镀膜机在工作的时候会将需要被蒸发的原材料放入到水冷铜坩埚内，这样就可以保证材料避免被污染，可以制造纯度比较高的薄膜，电子束蒸发的粒子动能比较的大，这样会有利于薄膜的精密性和结合力。电子束蒸发镀膜机的整体的构造比较的复杂，价格相较于其他的镀膜设备而言比较的偏高。镀膜机在工作的时候，如果蒸发源附近的蒸汽的密度比较高的话，就会使得电子束流和蒸汽粒子之间发生一些相互的作用，将会对电子的通量产生影响，使得电子的通量散失或者偏移轨道。同时你还可能会引发蒸汽和残余的气体的激发和电离，以此影响到整个薄膜的质量。吉林磁控溅射真空镀膜
