石家庄计算机集成电路器件

    图至图中公开的结构不限于这种方法，而且可以作为于该方法的结构而单独存在。的截面图所示，在衬底上方形成互连层a。在一些实施例中，通过在衬底上方形成层间介电(ild)层来形成互连层a。在一些实施例中，ild层可以通过一个或多个附加介电层与衬底分隔开。图案化ild层以限定沟槽。在一些实施例中，可以通过在ild层上方形成图案化的掩模层(未示出)并且实施蚀刻工艺来去除ild层的未由图案化的掩模层覆盖的各部分来图案化ild层。在沟槽内形成导电材料，以及随后是平坦化工艺(例如。化学机械平坦化工艺)以形成互连层a。在各个实施例中，衬底可以是任何类型的半导体主体(例如。硅、sige、soi等)，诸如半导体晶圆和/或晶圆上的一个或多个管芯，以及任何与其相关的其它类型的半导体和/或外延层。在一些实施例中，ild层可以包括一种或多种介电材料，诸如二氧化硅(sio)、sicoh、氟硅酸盐玻璃、磷酸盐玻璃(例如，硼磷硅酸盐玻璃)等。在一些实施例中，导电材料可以包括通过沉积工艺(例如，cvd、pvd、pe-cvd、ald等)形成的金属(例如，钨、铝等)。在各个实施例中，互连层a可以是互连线层、互连层、第三互连线层或更高金属互连线层。的截面图所示。中国集成电路是世界上少有的具有设计、制造、封测、装备和材料五大板块齐整的产业。石家庄计算机集成电路器件

    在所述系统板上的多个印刷电路板插座，多个液体冷却管，每个所述液体冷却管邻接于所述印刷电路板插座中的一个印刷电路板插座地耦联至所述系统板，连接至所述印刷电路板插座的多个集成电路模块，和多个散热器，每个所述散热器与所述集成电路模块中的一个集成电路模块热耦联；以及将所述印刷电路装配件彼此相对地布置，使得所述两个印刷电路装配件的集成电路模块彼此交错，并且所述印刷电路装配件中的每个印刷电路装配件的散热器的顶表面与另一个印刷电路装配件的液体冷却管热耦联。附图说明参考下列附图，根据一个或多个不同实施例详细描述了本公开。附图出于说明的目的提供，并且描绘典型或示例的实施例。图是系统的关系图，在该系统中可以实施不同实施例。图a和图b示出了根据一个实施例的双列直插式存储模块(dimm)组件。图示出了图a和图b的双列直插式存储模块组件的一侧的视图。图a示出了根据一个实施例的两个相同的印刷电路装配件。图b示出了图a的两个印刷电路装配件，所述两个印刷电路装配件相对地放置在一起。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司经营范围包括：一般经营项目是：电子产品及其配件的技术开发与销售；国内贸易等。本公司主营推广销售AD。超大规模集成电路企业我国已形成较完整的集成电路产业链，也涌现了一批高质量企业和企业家，在局部已形成了很强的能力。

    该调节访问装置包括被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问的调节mtj器件。存储器电路包括存储器阵列，存储器阵列具有以行和列布置的多个存储单元a,至c,(例如，mram单元)。多个存储单元a。至c,分别包括被配置为存储数据的工作mtj器件和通过调节提供给工作mtj器件的电流而选择性地对工作mtj器件提供访问的调节访问装置。在一些实施例中，调节访问装置包括连接至工作mtj器件的同一层的调节mtj器件和调节mtj器件。例如，调节mtj器件和调节mtj器件可以都连接至工作mtj器件的固定层。在一些实施例中，调节mtj器件连接在工作mtj器件和字线wlx之间(x＝,,)。并且调节mtj器件连接在工作mtj器件和字线wly(y＝,,)之间。例如，在存储单元a,中，调节mtj器件连接在工作mtj器件和字线wl之间，而调节mtj器件连接在工作mtj器件和字线wl之间。调节mtj器件、调节mtj器件和工作mtj器件分别包括mtj，mtj具有通过介电遂穿阻挡层与自由层分隔开的固定层。在一些实施例中，固定层可以包括钴(co)、铁(fe)、硼(b)、镍(ni)、钌(ru)、铱(ir)、铂(pt)等。在一些实施例中，介电遂穿阻挡层可以包括氧化镁(mgo)、氧化铝(alo)等。在一些实施例中，自由层可以包括钴(co)、铁(fe)、硼(b)等。在操作期间。

    在多个底电极通孔正上方形成多个mtj器件。多个mtj器件包括工作mtj器件和一个或多个调节mtj器件。出了对应于步骤的一些实施例的截面图。在步骤中，在多个mtj器件正上方形成多个顶电极通孔。出了对应于步骤的一些实施例的截面图。在步骤中，在多个顶电极通孔上方形成具有多个互连结构的互连层。多个互连结构限定位线和一条或多条字线。出了对应于步骤的一些实施例的截面图。步骤至在衬底上方形成存储单元。在一些实施例中，可以重复步骤至(如步骤所示)以在存储单元上方形成存储单元。出了对应于步骤的一些实施例的截面图。虽然方法描述了包括具有调节访问装置(包括mtj器件)的存储单元(例如。mram单元)的方法存储器电路，但是应该理解，在其它实施例中，调节装置可以包括电阻器(例如，薄膜电阻器)。在这样的实施例中，工作mtj器件可以通过组操作(在步骤中)形成，而包括电阻器的调节装置可以通过组单独的操作(在步骤和步骤之间发生)形成。例如，在工作mtj的形成(在步骤中)之后，可以通过一个或多个沉积和蚀刻工艺形成电阻器。因此，在一些实施例中。涉及不具有驱动晶体管(即。存取晶体管)的存储单元(例如，mram单元)。而且，存储单元包括调节访问装置。到了20世纪中后期半导体制造技术进步，使得集成电路成为可能；

    为了达到这个目标，在过去的几十年间，存储单元组件的尺寸已经不断缩小。mtj器件超越其它存储器类型的一个优势是mtj器件的mtj可以制成非常小的尺寸。然而，在mram单元中，驱动晶体管(即，存取晶体管)用于在读取和/或写入操作期间选择性地向相关的mtj器件提供电压和/或电流。因为mram单元通常对写入操作使用相对高的电压和/或电流，所以驱动晶体管的尺寸可能相对较大。虽然可以使mram单元的mtj具有小的尺寸，但是相对大尺寸的驱动晶体管限制了存储器阵列内的小型ram单元可以缩小的程度。在一些实施例中，涉及集成芯片，该集成芯片包括具有多个存储单元(例如，mram单元)的存储器阵列，存储单元不包括驱动晶体管(即，不使用驱动晶体管来对存储单元提供电压和/或电流)。而且，多个存储单元分别包括调节访问装置，该调节访问装置被配置为选择性地对存储器阵列内的工作mtj器件提供访问。调节访问装置具有连接至工作mtj器件的一个或多个调节mtj器件。一个或多个调节mtj器件被配置为通过控制(即。调节)提供给工作mtj器件的电流来选择性地对工作mtj器件提供访问。通过使用调节访问装置来选择性地对存储器阵列内的工作mtj器件提供访问，可以减小存储器阵列内的存储单元(例如。2020年我国集成电路产量达2612.6亿块，同比增长16.2%。珠海模拟集成电路哪家好

模拟集成电路有，例如传感器、电源控制电路和运放，处理模拟信号。石家庄计算机集成电路器件

    使用调节访问装置来选择性地对工作mtj器件提供访问提供了没有驱动晶体管的存储单元。没有驱动晶体管的存储单元允许存储器阵列的尺寸减小，从而改进存储器电路的性能并且减小成本。出了具有调节访问装置的存储器电路的一些额外实施例的示意图，该调节访问装置包括被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问的调节mtj器件。存储器电路包括存储器阵列，存储器阵列具有以行和列布置的多个存储单元a,至c,(例如，mram单元)。多个存储单元a。至c,分别包括被配置为存储数据的工作mtj器件和通过调节提供给工作mtj器件的电流而选择性地对工作mtj器件提供访问的调节访问装置。在一些实施例中，调节访问装置包括连接至工作mtj器件的同一层的调节mtj器件和调节mtj器件。例如，调节mtj器件和调节mtj器件可以都连接至工作mtj器件的固定层。在一些实施例中，调节mtj器件连接在工作mtj器件和字线wlx之间(x＝,,)，并且调节mtj器件连接在工作mtj器件和字线wly(y＝,,)之间。例如，在存储单元a,中，调节mtj器件连接在工作mtj器件和字线wl之间，而调节mtj器件连接在工作mtj器件和字线wl之间。调节mtj器件、调节mtj器件和工作mtj器件分别包括mtj，mtj具有通过介电遂穿阻挡层与自由层分隔开的固定层。石家庄计算机集成电路器件