金华纳米氧化铝品牌

热压烧结：即在一定压力下烧结陶瓷，可以使加热烧结和加压成型同时进行。无压烧结：常压烧结氮化铝陶瓷一般温度范围为1600-2000℃，适当升高烧结温度和延长保温时间可以提高氮化铝陶瓷的致密度。微波烧结：微波烧结也是一种快速烧结法，利用微波与介质的相互作用产生介电损耗而使坯体整体加热的烧结方法。放电等离子烧结：融合等离子活化、热压、电阻加热等技术，具有烧结速度快，晶粒尺寸均匀等特点。自蔓延烧结：即在超高压氮气下利用自蔓延高温合成反应直接制备AlN陶瓷致密材料。但由于高温燃烧反应下原料中的Al易熔融而阻碍氮气向毛坯内部渗透， 难以得到致密度高的AlN陶瓷。以上5中烧结工艺中，热压烧结是目前制备高热导率致密化AlN陶瓷的主要工艺。氮化铝还是由六方氮化硼转变为立方氮化硼的催化剂。金华纳米氧化铝品牌

AlN陶瓷金属化的方法主要有：薄膜金属化（如Ti/Pd/Au）、厚膜金属化（低温金属化、高温金属化）、化学镀金属化（如Ni）、直接覆铜法（DBC）及激光金属化。薄膜金属化法采用溅射镀膜等真空镀膜法使膜材料和基板结合在一起，通常在多层结构基板中，基板内部金属和表层金属不尽相同，陶瓷基板相接触的薄膜金属应该具有反应性好、与基板结合力强的特性，表面金属层多选择电导率高、不易氧化的金属。由于是气相沉积，原则上任何金属都可以成膜，任何基板都可以金属化，而且沉积的金属层均匀，结合强度高。但薄膜金属化需要后续图形化工艺实现金属引线的图形制备，成本较高。金华纳米氧化铝品牌氮化铝陶瓷基片，热导率高，膨胀系数低，强度高，耐高温，耐化学腐蚀，电阻率高，介电损耗小。

氮化铝陶瓷的制备技术：模压成型是应用很较广的成型工艺。其工艺原理是将经过喷雾造粒后流动性好的造粒料填充到金属模腔内，通过压头施加压力，压头在模腔内产生移动，模腔内粉体在压头作用力下产生颗粒重排，颗粒间空隙内气体排出，形成具有一定强度和形状的陶瓷素坯。通常压制的初始阶段致密化速率很高，初始阶段的压力通过颗粒间的接触，使包覆有粘结剂的颗粒滑动和重排，当进一步施压时，颗粒变形增加相互间的接触面，减少颗粒间的气孔，气体在加压过程中通过颗粒间迁移，很终通过模具间隙排出。

氮化铝陶瓷因具有高热导率、低膨胀系数、度、耐腐蚀、电性能优、光传输性好等优异特性，是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。随着我国电子信息产业蓬勃发展，电子设备仪器的小型轻量化，以及混合集成度大幅提高，对散热基板的导热性能要求越来越高，氮化铝陶瓷的热导率较氧化铝陶瓷高5倍以上，膨胀系数低，与硅芯片的匹配性更好，因此在大功率器件等领域，已逐渐取代氧化铝基板，成为市场主流。但氮化铝陶瓷基板行业进入技术壁垒高，全球市场中，具有量产能力的企业主要集中在日本，日本企业在国际氮化铝陶瓷基板市场中处于垄断地位，此外，中国台湾地区也有部分产能。而随着国内市场对氮化铝陶瓷基板的需求快速上升，在市场的拉动下，进入行业布局的企业开始增多，但现阶段我国拥有量产能力的企业数量依然极少。氮化铝(AIN)是AI-N二元系中稳定的相，它具有共价键、六方纤锌矿结构。

在现有可作为基板材料使用的陶瓷材料中，Si3N4陶瓷抗弯强度很高，耐磨性好，是综合机械性能很好的陶瓷材料，同时其热膨胀系数很小，因而被很多人认为是一种很有潜力的功率器件封装基片材料。但是其制备工艺复杂，成本较高，热导率偏低，主要适合应用于强度要求较高但散热要求不高的领域。而氮化铝各方面性能同样也非常，尤其是在电子封装对热导率的要求方面，氮化铝优势巨大。不足的是，较高成本的原料和工艺使得氮化铝陶瓷价格很高，这是制约氮化铝基板发展的主要问题。但是随着氮化铝制备技术的不断发展，其成本必定会有所降低，氮化铝陶瓷基板在大功率LED领域大面积应用指日可待。高致密度是氮化铝陶瓷具有高热导率的前提。金华纳米氧化铝品牌

氮化铝但当温度高于1370℃时，便会发生大量氧化作用。金华纳米氧化铝品牌

AlN陶瓷基片的成型：流延成型制备氮化铝陶瓷基片的主要工艺，将氮化铝粉料、烧结助剂、粘结剂、溶剂混合均匀制成浆料，通过流延制成坯片，采用组合模冲成标准片，然后用程控冲床冲成通孔，用丝网印刷印制金属图形，将每一个具有功能图形的生坯片叠加，层压成多层陶瓷生坯片，在氮气中约700℃排除粘结剂，然后在1800℃氮气中进行共烧，电镀后即形成多层氮化铝陶瓷。流延成型分为有机流延成型和水基流延成型两种。流延成型法在AlN陶瓷基片方面的应用具有极强的优势，如设备要求低，可连续生产、生产效率高、自动化程度高，其生产成本低廉，非常适合现代工业生产。注射成型：首先将AlN粉体与有机粘结剂按一定比例混合，经过造粒得到性能稳定的喂料，然后在注射成型机上成型素坯，再经过脱脂、烧结很终获得AlN陶瓷基片。金华纳米氧化铝品牌