光电三级管与光电二极管比较，光电三级管输出电流较大，一般在毫安级，但光照特性较差，多用于要求输出电流较大的场合。光电三极管有pnp和npn型两种结构，常用材料有硅和锗。例如用硅材料制作的npn型结有3DU型，pnp型有3CU型。采用硅npn型光电三极管，其暗电流比锗光电三极管小，且受温度变化影响小，所以得到位广泛应用。下面以3DU型光电三极管为例说明它的结构、工作原理与主要特性。3DU型光电三极管是以p型硅为基极的三极管。3DU管的结构和普通晶体管类似，只是在材料的掺杂情况、结面积的大小和基极引线的设置上和普通晶体管不同。因为光电三极管要响应光辐射，受光面即集电结（bc结）面积比一般晶体管大。另外，它是利用光控制集电极电流的，所以在基极上既可设置引线进行电控制，也可以不设，完全同光一控制。它的工作原理是工作时各电极所加的电压与普通晶体管相同，即要保证集电结反偏置，发射正偏听偏置。由于集电结是反偏压，在结区有很强的内建电场，对3DU管来讲，内建电场方向是由c到b的。和光电二极管工作原理相同。根据器件对辐射响应的方式不同，光电探测器可分为两大类：一类是光子探测器；另一类是热探测器。飞博光电高转换效率光电探测器推广
在动态特性（即频率响应与时间响应）方面，以光电倍增管和光电二极管（尤其是PIN管与雪崩管）为比较好；在光电特性（即线性）方面，以光电倍增管、光电二极管和光电池为比较好；在灵敏度方面，以光电倍增管、雪崩光电二极管、光敏电阻和光电三极管为比较好。值得指出的是，灵敏度高不一定就是输出电流大，而输出电流大的器件有大面积光电池、光敏电阻、雪崩光电二极管和光电三极管；外加偏置电压比较低的是光电二极管、光电三极管，光电池不需外加偏置；在暗电流方面，光电倍增管和光电二极管较小，光电池不加偏置时无暗电流，加反向偏置后暗电流也比光电倍增管和光电二极管大；长期工作的稳定性方面，以光电二极管、光电池为比较好，其次是光电倍增管与光电三极管；在光谱响应方面，以光电倍增管和CdSe光敏电阻为较宽，但光电倍增管响应偏紫外方向，而光敏电阻响应偏红外方向。深圳APD光电探测器APD雪崩二极管在很多地方使用于雷达、通信、遥控、遥测、仪器仪表中。
飞博光电的光电探测器制造工艺和材料选择紧密相关，其制造过程大致可以分为以下几个步骤：
1.材料制备：制造光电探测器的关键第一步是选择适当的敏感材料。飞博光电的工程师根据应用需求，精选具有优良光电特性的材料，例如硅、锗等元素及其化合物。
2.薄膜制备：在制备好基底后，通过物理的气相沉积、化学气相沉积等方法，在基底上制备一层或多层敏感材料薄膜。这些薄膜的厚度需要精确控制，以确保其光吸收和光电转换效率的比较好。
3.图形化处理：通过光刻和刻蚀技术，将薄膜制备成具有特定形状和大小的微小结构，以提高光电探测器的性能和精度。
4.表面钝化：为了减少表面缺陷和提升器件稳定性，需要对探测器表面进行钝化处理，如氧化硅、氮化硅等钝化膜的沉积。
5.封装测试：将制备好的光电探测器进行封装和测试。这包括划片、封装、性能测试等环节。封装材料的选择也很重要，需要具有优异的绝缘性和耐腐蚀性。
飞博光电的工程师团队凭借丰富的经验和高超的技术，通过精细的制造工艺和严格的质量控制，确保每一款光电探测器都具备良好的性能和质量。同时，他们积极开展技术研发和创新，不断提升光电探测器的性能和功能，以满足市场的多样化需求。
飞博光电的光电探测器以其良好的性能和独特的设计特点而备受赞誉。以下是其光学系统设计的几个关键方面：
1.高灵敏度设计：飞博光电的光电探测器采用*新的光电材料和制造技术，以提高探测器的灵敏度和响应速度。此外，其光学系统设计也专注于提高信号-to-noiseratio（信噪比），从而确保探测器能够在低光条件下检测到微弱的光信号。
2.多通道并行检测：飞博光电的光电探测器具有多通道并行检测的能力，能够在同一时间检测多个不同波长的光信号。这种设计增加了探测器的多功能性和应用的灵活性，使其适用于多种不同的应用场景。
3.波长选择性：飞博光电的光电探测器具有出色的波长选择性，能够对特定波长的光信号进行精确检测。这种设计使得探测器在光谱分析和高速光通信等领域表现出良好的性能。
4.抗干扰设计：飞博光电的光电探测器采用抗干扰技术，能够抵抗环境中其他光源的干扰，确保探测器的稳定性和可靠性。这种设计使得探测器在复杂的光环境中也能够正常工作。
总之，飞博光电的光电探测器在光学系统设计方面表现出色，具有高灵敏度、多通道并行检测、波长选择性和抗干扰能力等特点，使其在各种光电应用领域中具有广泛的应用前景。 光电探测器必须和输入电路在电特性上良好地匹配。
半导体光子型探测器的性能在很大程度上取决于制备探测器所用的半导体材料。本征半导体材料比掺杂半导体材料更加有用。本征半导体材料既能用来制作光导型探测器，又能制做光伏型探测器；而掺杂半导体只能做成光导型探测器。截止波长较长的半导体光子型探测器，大多数必须在较低温度下工作，如77K，38K或4.2K。同一探测器在室温下的探测率明显低于低温下的探测率。为了保持半导体光子型探测器的正常工作，常把探测器置于低温容器（杜瓦瓶）中，或用微型致冷器使探测器达到较低的工作温度。线性度和灵敏度是衡量PIN型光电探测器性能的两个重要参数。深圳APD光电探测器
激光就是─种相干光。飞博光电高转换效率光电探测器推广
光电探测器必须和光信号的调制形式、信号频率及波形相匹配，以保证得到没有频率失真的输出波形和良好的时间响应。这种情况主要是选择响应时间短或上限频率高的器件，但在电路上也要注意匹配好动态参数；光电探测器必须和输入电路在电特性上良好地进行匹配，以保证有足够大的转换系数、线性范围、信噪比及快速的动态响应等；为使器件能长期稳定可靠地工作，必须注意选择好器件的规格和使用的环境条件，并且要使器件在额定条件下使用。飞博光电高转换效率光电探测器推广
