利用内光电效应制成的光子型探测器是用半导体材料制成的固态电子器件，主要包括光电导探测器和光伏型探测器等。光电导探测器具有光电导效应，是指由辐射引起被照射材料电导率改变的一种物理现象。当照射的光子能量hv等于或大于半导体的禁带宽度Eg时，光子能够将价带中的电子激发到导带，从而产生导电的电子、空穴对,这就是本征光电导效应。光伏型探测器通常由半导体PN结构成，其原理是利用PN结的内建电场将光生载流子（用光照射半导体时，若光子的能量等于或大于半导体的禁带宽度，则价带中的电子吸收光子后进入导带，产生电子-空穴对）扫出结区而形成信号。当探测器受到光照(辐照)、体内发生本征光吸收时，产生两种带相反电荷的光生载流子（电子和空穴）。这两种光生载流子一开始局限于光照区，随后由于存在浓度梯度，其中一部分扩散到PN结区，在PN结内建电场的作用下，分别聚集到结的两端，形成电压信号。如PN结两端连成一个回路，则形成电流信号。光电探测器的原理是由辐射引起被照射材料电导率发生改变。深圳30G PIN光电探测器有什么
光电探测器必须和光信号的调制形式、信号频率及波形相匹配，以保证得到没有频率失真的输出波形和良好的时间响应。这种情况主要是选择响应时间短或上限频率高的器件，但在电路上也要注意匹配好动态参数；光电探测器必须和输入电路在电特性上良好地匹配，以保证有足够大的转换系数、线性范围、信噪比及快速的动态响应等；为使器件能长期稳定可靠地工作，必须注意选择好器件的规格和使用的环境条件，并且要使器件在额定条件下才能使用。10G多模 PIN光电探测器服务电话光电探测器件的应用选择，实际上是应用时的一些事项或要点。
雪崩效应只是APD的工作原理，和工作模式不是一个东西。APD工作模式分盖革模式和线型模式，区别在于线型模式偏置电压低于反向击穿电压，盖格模式偏置电压高于击穿电压。线性模式下APD就是一个增益高的普通光电二极管。盖格模式下APD接受到光子后就会进入并一直处于反向击穿状态，APD一直通过一个很大的反向电流。这时，通过外部电路使偏置电压暂时下降至击穿电压之下，APD从反向击穿模式恢复，等待下一个光子，所以盖格模式通常只适用与单光子计数应用。
光电流指在入射光照射下光电探测器所产生的光生电流，暗电流可以定义为没有光入射的情况下探测器存在的漏电流。其大小影响着光接收机的灵敏度大小，是探测器的主要指标之一。暗电流主要包括以下几种：①耗尽区中边界的少子扩散电流;②载流子的产生-复合电流，通过在加工中消除硅材料的晶格缺陷，可以有效减小载流子的产生-复合电流，通常对于高纯度的单晶硅产生-复合电流可以降低到2*1011A/nm2以下;③表面泄漏电流，在制造工艺结束时，对芯片表面进行钝化处理，可以将表面漏电流降低到1011A/nm2量级。当然，暗电流也受探测器工作温度和偏置电压的影响。探测器的暗电流与噪声是分不开的，通常光电探测器的噪声主要分为暗电流噪声、散粒噪声和热噪声：a暗电流噪声：对于一个光电探测器来讲，可接收的光功率是由探测器的暗电流大小决定的，所以减小探测器的暗电流能提高光接收机的灵敏度;b散粒噪声：当探测器接收入射光时，散粒噪声就产生于光子的产生-复合过程中。由于光生载流子的数量变化规律服从泊松统计分部，所以光生载流子的产生过程存在散粒噪声;c热噪声：由于导体中电子的随机运动会产生导体两端电压的波动，因此就会产生热噪声。当光线照在物体上，使物体的电导率发生变化，或产生光生电动势的现象叫内光电效应。
器件灵敏度用一定偏压下每流明辐照所产生的光电流的大小来表示。例如一种CdS光敏电阻,当偏压为70伏时，暗电流为10-6～10-8安，光照灵敏度为3～10安/流明。CdSe光敏电阻的灵敏度一般比CdS高。光敏电阻另一个重要参数是时间常数τ，它表示器件对光照反应速度的大小。光照突然去除以后，光电流下降到最大值的1/e（约为37%）所需的时间为时间常数τ。也有按光电流下降到最大值的10%计算τ的;各种光敏电阻的时间常数差别很大。CdS的时间常数比较大（毫秒量级）。红外波段的光电导探测器PbS、Hg1-xCdxTe的常用响应波段在1～3微米、3～5微米、8～14微米三个大气透过窗口。由于它们的禁带宽度很窄，因此在室温下，热激发足以使导带中有大量的自由载流子，这就快速降低了对辐射的灵敏度。APD雪崩二极管其主要缺点是噪声较大。10G多模 PIN光电探测器列表
热探测器基于材料吸收了光辐射能量后温度升高，从而改变了它的电学性能。深圳30G PIN光电探测器有什么
光电探测器的原理是由辐射引起被照射材料电导率发生改变。光电探测器在国民经济的各个领域有较广的用途。在可见光或近红外波段主要用于射线测量和探测、工业自动控制、光度计量等；在红外波段主要用于导弹制导、红外热成像、红外遥感等方面。光电导体的另一应用是用它做摄像管靶面。为了避免光生载流子扩散引起图像模糊，连续薄膜靶面都用高阻多晶材料，如PbS-PbO、Sb2S3等。其他材料可采取镶嵌靶面的方法，整个靶面由约10万个单独探测器组成。深圳30G PIN光电探测器有什么
