雪崩光电二极管(APD)当二极管PN结上加上足够强的反向电压的时候,耗尽区存在一个很强的场,足够使强电场飘移的光生载流子获得充分的动能来通过晶格原子碰撞产生新的载流子,新的载流子再次碰撞形成更多载流子,这样就实现了雪崩式的载流子倍增。但这同时也会造成噪声的放大当入射光功率脚较小时,多采用APD,此时引入的噪声不大,在入射光功率较大时,雪崩增益引起的噪声贡献占主要优势,可能带来光电流的失真,采用APD带来的好处不大,采用PIN更为合适。根据器件对辐射响应的方式不同,光电探测器可分为两大类:一类是光子探测器;另一类是热探测器。深圳2GHZ APD光电探测器交易价格
1873年,英国W.史密斯发现硒的光电导效应,但是这种效应长期处于探索研究阶段,未获实际应用。第二次世界大战以后,随着半导体的发展,各种新的光电导材料不断出现。在可见光波段方面,到50年代中期,性能良好的硫化镉、硒化镉光敏电阻和红外波段的硫化铅光电探测器都已投入使用。60年代初,中远红外波段灵敏的Ge、Si掺杂光电导探测器研制成功,典型的例子是工作在3~5微米和8~14微米波段的Ge:Au(锗掺金)和Ge:Hg光电导探测器。60年代末以后,HgCdTe、PbSnTe等可变禁带宽度的三元系材料的研究取得进展。在60年代初以前还没有研制出适用的窄禁带宽度的半导体材料,因而人们利用非本征光电导效应。Ge、Si等材料的禁带中存在各种深度的杂质能级,照射的光子能量只要等于或大于杂质能级的离化能,就能够产生光生自由电子或自由空穴。非本征光电导体的响应长波限λ由下式求得λc=1.24/Ei式中Ei表示杂质能级的离化能。飞博光电雪崩光电探测器价格比较光电探测器件的应用选择,实际上是应用时的一些事项或要点。
利用内光电效应制成的光子型探测器是用半导体材料制成的固态电子器件,主要包括光电导探测器和光伏型探测器等。光电导探测器具有光电导效应,是指由辐射引起被照射材料电导率改变的一种物理现象。当照射的光子能量hv等于或大于半导体的禁带宽度Eg时,光子能够将价带中的电子激发到导带,从而产生导电的电子、空穴对,这就是本征光电导效应。光伏型探测器通常由半导体PN结构成,其原理是利用PN结的内建电场将光生载流子(用光照射半导体时,若光子的能量等于或大于半导体的禁带宽度,则价带中的电子吸收光子后进入导带,产生电子-空穴对)扫出结区而形成信号。当探测器受到光照(辐照)、体内发生本征光吸收时,产生两种带相反电荷的光生载流子(电子和空穴)。这两种光生载流子一开始局限于光照区,随后由于存在浓度梯度,其中一部分扩散到PN结区,在PN结内建电场的作用下,分别聚集到结的两端,形成电压信号。如PN结两端连成一个回路,则形成电流信号。
光电探测器必须和光信号的调制形式、信号频率及波形相匹配,以保证得到没有频率失真的输出波形和良好的时间响应。这种情况主要是选择响应时间短或上限频率高的器件,但在电路上也要注意匹配好动态参数;光电探测器必须和输入电路在电特性上良好地匹配,以保证有足够大的转换系数、线性范围、信噪比及快速的动态响应等;为使器件能长期稳定可靠地工作,必须注意选择好器件的规格和使用的环境条件,并且要使器件在额定条件下才能使用。光电探测器的原理是由辐射引起被照射材料电导率发生改变。
光电探测器是光接收器的主要器件之一,用来将光功率转换为电流。根据系统的性能目标,可以选用PIN或APD(雪崩光电二极管)光电探测器。误码率(BER)是用于指定通信传输系统可靠性的主要指标,通常与接收机灵敏度值相关,该值定义了必须到达光电探测器的较小平均光功率,以实现所需的BER性能。另外,信道的Q值可以从采样的信号统计中计算出来,并用于估计系统的误码率。光电探测器在定义基本通信系统的较终灵敏度方面起着重要的作用,因为它以散弹噪声和热噪声的形式提供统计扰动,并引入了暗电流及定义响应率来衡量每单位输入功率获得多少电输出。这些特性取决于入射光的波长和传感器的材料特性和物理设计。为了达到比较好的探测器的响应速度,需要在探测器的吸收层厚度和光电探测器的面积中折衷。飞博光电雪崩光电探测器价格比较
利用外光电效应制成的光子型探测器是真空电子器件,如光电管、光电倍增管和红外变像管等。深圳2GHZ APD光电探测器交易价格
雪崩光电二级管(APD)是得用光生载流子在高电场区内的雪崩效应而获得光电流增益,具有灵敏度高、响应快等优点,通常用于激光测距、激光雷达、弱光检测(非线性)。APD雪崩倍增的过程是:当光电二极管的p-n结加相当大的反向偏压时,在耗尽层内将产生一个很高的电场,它足以使在强电场区漂移的光生载流子获得充分的动能,通过与晶格原子碰撞将产生新的电子-空穴对。新的电子-空穴对在强电场作用下,分别向相反的方向运动,在运动过程中又可能与原子碰撞再一次产生新的电子-空穴对。如此反复,形成雪崩式的载流子倍增加。这个过程就是APD的工作基础。APD一般在略低于反向南穿电压值的反偏压下工作。在无光照时,p-n结不会发生雪崩倍增效应。但结区一旦有光照射,激发出的光生载流子就被临界强电场加速而导致雪崩倍增。若反向偏压大于反向击穿电压时,光电流的增益可达(十的六次方)即发生“自持雪崩倍增”。由于这时出现的散粒噪声可增大到放大器的噪声水平,以致使器件无法使用。深圳2GHZ APD光电探测器交易价格
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